2N5415

Биполярный транзистор - [TO-39-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 200 В; UКЭ(пад): 2.5 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 10 Вт; Fгран: 15 МГц
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO39
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= 2N5415 (CDIL) TO205AD3 1 шт Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
P= 2N5415 (MCRCH) Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5
A+ ZTX957 (DIODES) ELINE3
 
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
A+ FZT957TA (DIODES) TO261 20 шт Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
A+ ZXTP03200BGTA (DIODES) TO261 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, TO-261AA
A+ 2SA1943-O (TOS) 1 шт Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.