2N5415

STMicroelectronics
Биполярный транзистор - [TO-39-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 200 В; UКЭ(пад): 2.5 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 10 Вт; Fгран: 15 МГц
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид 2N1711

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO39
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= 2N5415 (CDIL)
 
TO205AD3 1 шт — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
P= 2N5415 (MCRCH)
 
— — — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5
A+ ZTX957 (DIODES)
 
ELINE3
 
 — — — Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
A+ FZT957TA (DIODES)
 
TO261 20 шт — — — Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
A+ ZXTP03200BGTA (DIODES)
 
TO261 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, TO-261AA
A+ 2SA1943-O (TOS)
 
— 1 шт — — — Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Файлы 1

показать свернуть
2N5415 2N5416 ® SILICON PNP TRANSISTORS ■ ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES PNP TRANSISTORS DESCRIPTION The 2N5415, 2N5416 are high voltage silicon epitaxial planar PNP transistors in Jedec TO-39 metal case designed for use in consumer and industrial line-operated applications. These devices are particularly suited as drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value 2N5415 Unit 2N5416 V CBO Collector-Base Voltage (I E = 0) -200 -350 V V CEO Collector-Emitter Voltage (I B = 0) -200 -300 V V EBO Emitter-Base Voltage (I C = 0) IC Collector Current IB Base Current o P tot Total Dissipation at T c ≤ 25 C P tot Total Dissipation at T amb ≤ 50 o C T stg Storage Temperature December 2000 -4 -6 V -1 A -0.5 A 10 W 1 -65 to 200 W o C 1/4 PDF
Документация на 2N5415 

Дата модификации: 05.09.2004

Размер: 50.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N5192 (ST)