BU508AF

STMicroelectronics
Биполярный транзистор - [ISOWATT218F]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 1.5 кВ; IК(макс): 8 А; Pрасс: 50 Вт; h21: 5...30
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус ISOWATT218FX
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BU508AF High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display Features ■ State-of-the-art technology: – Diffused collector “Enhanced generation” ■ Stable performances versus operating temperature variation ■ Low base-drive requirement ■ Tight hFE range at operating collector current ■ High ruggedness ■ Fully insulated power package U.L. compliant 3 1 2 ISOWATT218FX Applications ■ Horizontal deflection output for CRT TV ■ Switch mode power supplies for CRT TV Figure 1. Internal schematic diagram Description The BU508AF is manufactured using diffused collector in planar technology adopting new and enhanced high voltage structure for updated performance to the horizontal deflection stage. Table 1. Device summary Order code Marking Package Packaging BU508AF BU508AF ISOWATT218FX Tube August 2007 Rev 2 1/11 www.st.com 11 PDF
Документация на серию BU508AF 

High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display

Дата модификации: 25.06.2010

Размер: 211.2 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N5192 (ST)