IRF630

STMicroelectronics
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 31 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF630 (SAMSUNG)
  • Корпус: TO220AB
  • Норма упаковки: 50  шт. (в линейках)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ IRFB4020PBF (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
P= IRF630NPBF (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF200B211 (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —
A+ STD17NF25 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 250V 17A DPAK Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRFI640GPBF (VISH/IR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 39 А; Rси(вкл): 0.18 О... — — —
A+ IRF630PBF (VISH/IR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @U... — — —
A+ IRFR13N20DTRPBF (INFIN)
 
TO252 в ленте 2000 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF640NSTRLPBF (INFIN)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 200V N-ch MOSFET 18A in D2-PAK —

Файлы 1

показать свернуть
IRF630 IRF630FP N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID IRF630 200V <0.40Ω 9A IRF630FP 200V <0.40Ω 9A ■ Extremely high dv/dt capability ■ Very low intrinsic capacitances ■ Gate charge minimized 3 1 TO-220 3 2 1 2 TO-220FP Description This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources. Internal schematic diagram Applications ■ Switching application Order codes Part number Marking Package Packaging IRF630 IRF630 TO-220 Tube IRF630FP IRF630FP TO-220FP Tube August 2006 Rev 9 1/14 www.st.com 14 PDF
Документация на IRF630 

N-channel 200V - 0.35 - 9A - TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY™ Power MOSFET

Дата модификации: 20.02.2009

Размер: 332.3 Кб

14 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF150 (INFIN)