IRF630

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 31 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF630 (SAMSUNG)
  • Корпус: TO220AB
  • Норма упаковки: 50  шт. (в линейках)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ IRFB4020PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
P= IRF630NPBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF200B211 (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ STD17NF25 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 250V 17A DPAK Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRFI640GPBF (VISH/IR) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 39 А; Rси(вкл): 0.18 О...
A+ IRF630PBF (VISH/IR) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @U...
A+ IRFR13N20DTRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF640NSTRLPBF (INFIN) TO263 в ленте 800 шт
 
200V N-ch MOSFET 18A in D2-PAK

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.