SMAJ58A-TR

STMicroelectronics
Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс: 3.3 Вт; Pрасс(пик): 400 Вт; Uогр(ном): 58 В; Линий: 1
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MRA4007T3G

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Количество линий ограничения
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= SMAJ58A (YJ)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		DO214AC 5000 шт
 
 — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A-13-F (DIODES)
 
DO214AC 1 шт —
P= SMAJ58A (ST)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		DO214AC 1 шт — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A (VISHAY)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		—
 
 — — — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 58V V(RWM), Unidirectional
P= SMAJ58A-E3/5A (VISHAY)
 
DO214AC Защитный диод - — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A-E3/61 (VISHAY)
 
DO214AC в ленте 1800 шт — — TRANSIL UNI 0,4KW 68V SMA RoHSconf
P= SMAJ58A (LTL)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		DO214AC в ленте 5000 шт Защитный диод - [DO-214AC, SMA]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uимп(макс): 93.6 В; Iи... — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A-Q (BOURNS)
 
— — — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A (DIODES)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		—
 
 — — — — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 58V V(RWM), Unidirectional
P= SMAJ58A (BOURNS)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		DO214AC 1 шт DIODE, TVS, 58V, 400W, UNI, 5%, SMA — — — — — TVS DIODE 58VWM SMD General Purpose
P= SMAJ58Ae3/TR13 (MCRCH)
 
— 72 шт — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A (GOOD-ARK)
 

SMAJ58A/TR7 (YAG) 		— — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= P4SMAJ58 (DIOTEC)
 
— Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uогр(диапазон): 64.4...78.6... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58AQ-13-F (DIODES)
 
— 5000 шт — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
P= P4SMAJ58A_R1_00001 (PJ)
 
— — — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= P4SMAJ58A (DIOTEC)
 
DO214AC 1 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uогр(диапазон): 64.4...71.5... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A-TP (MCC)
 
DO214AC — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A+ (MULTCMP)
 
— — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

Файлы 1

показать свернуть
SMAJ Transil™ Features ■ Peak pulse power: – 400 W (10/1000 µs) – 2.3 kW (8/20 μs) A ■ Stand off voltage range: from 5 V to 188 V ■ Unidirectional and bidirectional types K ■ Low leakage current: – 0.2 μA at 25 °C – 1 μA at 85 °C Unidirectional ■ Operating Tj max: 150 °C ■ High power capability at Tj max: – 270 W (10/1000 µs) ■ JEDEC registered package outline Bidirectional SMA (JEDEC DO-214AC) Description Complies with the following standards ■ IEC 61000-4-2 level 4 – 15 kV (air discharge) – 8 kV (contact discharge) ■ IEC 61000-4-5 (see Table 3 for surge level) ■ MIL STD 883G, method 3015-7 Class 3B – 25 kV HBM (human body model) ■ Resin meets UL 94, V0 ■ MIL-STD-750, method 2026 solderability ■ EIA STD RS-481 and IEC 60286-3 packing ■ IPC 7531 footprint The SMAJ Transil series has been designed to protect sensitive equipment against electrostatic discharges according to IEC 61000-4-2, and MIL STD 883, method 3015, and electrical over stress according to IEC 61000-4-4 and 5. These devices are generally used against surges below 400 W (10/1000 μs). Planar technology makes these devices suitable for high-end equipment and SMPS where low leakage current and high junction temperature are required to provide reliability and stability over time. SMAJ are packaged in SMA (SMA footprint in accordance with IPC 7531 standard). TM: Transil is a trademark of STMicroelectronics July 2010 Doc ID 5544 Rev 12 1/10 www.st.com 10 PDF
Документация на серию SMAJ 

Transil™

Дата модификации: 09.07.2010

Размер: 141 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5KE12A (ST)