STB6N80K5

STMicroelectronics
MOSFET силовой транзистор - [D2PAK]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 1.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид STB6N80K5

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
STB6N80K5, STD6N80K5, STI6N80K5, STP6N80K5 N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, DPAK, I²PAK and TO-220 packages Datasheet - production data TAB Features TAB Order codes 3 VDS RDS(on)max ID PTOT 800 V 1.6 Ω 4.5 A 85 W 1 3 1 STB6N80K5 DPAK D2PAK STD6N80K5 TAB TAB STI6N80K5 STP6N80K5 3 3 12 1 2 • Industry’s lowest RDS(on) TO-220 I2PAK • Industry’s best figure of merit (FoM) Figure 1. Internal schematic diagram D(2, TAB) • Ultra low gate charge • 100% avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications G(1) Description S(3) AM01476v1 These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Table 1. Device summary Order code Marking Package STB6N80K5 D2PAK STD6N80K5 DPAK Packaging Tape and reel 6N80K5 STI6N80K5 I2PAK STP6N80K5 TO-220 Tube March 2015 This is information on a product in full production. DocID024661 Rev 3 1/26 www.st.com PDF
Документация на STD6N80K5 

N-channel 800 V, 1.3 typ., 4.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, DPAK, I²PAK and TO-220 packages

Дата модификации: 27.03.2015

Размер: 1.26 Мб

26 стр.

STB6N80K5, STD6N80K5, STI6N80K5, STP6N80K5 N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A SuperMESH™ 5 Power MOSFET in D2PAK, DPAK, I2PAK and TO-220 packages Datasheet − preliminary data TAB Features TAB Order codes 3 1 3 1 STD6N80K5 STI6N80K5 TAB TAB RDS(on)max ID PTOT 800 V 1.6 Ω 4.5 A 110 W STB6N80K5 DPAK D2PAK VDS STP6N80K5 • TO-220 worldwide best RDS(on) • Worldwide best FOM (figure of merit) 3 3 12 1 2 • Ultra low gate charge TO-220 I2PAK • 100% avalanche tested Figure 1. Internal schematic diagram D(2, TAB) • Zener-protected Applications • Switching applications Description G(1) S(3) AM01476v1 These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs realized in SuperMESH™5, a revolutionary avalanche-rugged very high voltage Power MOSFET technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency. Table 1. Device summary Order code Marking Package STB6N80K5 D2PAK STD6N80K5 DPAK Packaging Tape and reel 6N80K5 STI6N80K5 I2PAK STP6N80K5 TO-220 Tube May 2013 DocID024661 Rev 1 This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice. 1/20 www.st.com 20 PDF
Документация на серию STB6N80K5 

N-channel 800 V, 1.3 typ., 4.5 A SuperMESH™ 5 Power MOSFET in D2PAK, DPAK, I2PAK and TO-220 packages

Дата модификации: 28.05.2013

Размер: 1.11 Мб

20 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)