STD12N65M5

STMicroelectronics
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 8.5 А; Rси(вкл): 0.41 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MJD50T4G

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STD16N65M5 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 650V 12A DPAK —
A+ SPB11N60C3ATMA1 (INFIN)
 
TO263 в ленте 1000 шт
 
 — —
A+ STP16N65M5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 —
A+ IPA80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB —
A+ SPP11N60C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB —
A+ STF15N80K5 (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP — —
A+ SPA11N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
 
 — —
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
 
 —
A+ IPT65R195G7XTMA1 (INFIN)
 
PGHSOF8 2000 шт HIGH POWER_NEW — —
A+ IPP80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IPP60R170CFD7XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт —
A+ IPL65R340CFDAUMA1 (INFIN)
 
PGVSON4 3000 шт
 
 — —
A+ IPD80R450P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 —
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252 —
A+ IPD70R360P7SAUMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 700V 34A DPAK —
A+ IPD65R400CEAUMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5 STP12N65M5, STU12N65M5 N-channel 650 V, 0.39 Ω, 8.5 A MDmesh™ V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK Features VDSS @ TJmax Type STD12N65M5 STF12N65M5 STI12N65M5 STP12N65M5 STU12N65M5 710 V RDS(on) max ID PTOT 3 2 8.5 A 8.5 A(1) < 0.43 Ω 8.5 A 8.5 A 8.5 A 3 1 70 W 25 W 70 W 70 W 70 W IPAK TO-220 3 1 DPAK 1. Limited only by maximum temperature allowed. 3 3 12 ■ Worldwide best RDS(on) * area ■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability ■ Excellent switching performance ■ Easy to drive ■ 100% avalanche tested 2 1 1 TO-220FP I²PAK Figure 1. 2 Internal schematic diagram Applications $ Switching applications Description ' These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency. Table 1. !-V Device summary Order codes STD12N65M5 STF12N65M5 STI12N65M5 STP12N65M5 STU12N65M5 June 2011 3 Marking Packages Packaging 12N65M5 DPAK TO-220FP I²PAK TO-220 IPAK Tape and reel Tube Tube Tube Tube Doc ID 15428 Rev 5 1/23 www.st.com 23 PDF
Документация на STP12N65M5 

N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh™ V Power MOSFET DPAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

Дата модификации: 23.06.2011

Размер: 1.06 Мб

23 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)