STL40DN3LLH5

STMicroelectronics
MOSFET транзистор - [PowerFLAT 5x6 D.I.]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 18...25 мОм; @Uзатв(ном): 4.5...10 В; Qзатв: 4.5 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус POWERFLAT
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIS412DN-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAK12128 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRL6342TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC —
A+ NTMFS4835NT1G (ONS)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — —
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN — —
A+ IRFH3707TRPBF (INFIN)
 
PQFN8 4000 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY)
 
TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 — —
A+ IRF8721PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8736TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8714TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8707TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7842TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7828TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор. 30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRF7821TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6604 (INFIN)
 
DIRECTFETMQ 1 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —

Файлы 1

показать свернуть
STL40DN3LLH5 Automotive-grade dual N-channel 30 V, 0.016 Ω typ., 40 A STripFET™ H5 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 DI package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID STL40DN3LLH5 30 V 0.018 Ω 40 A • AEC-Q101 qualified • Low on-resistance • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Wettable flank package Figure 1. Internal schematic diagram Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class. Table 1. Device summary Order code Marking Package Packing STL40DN3LLH5 40DN3LH5 PowerFLAT™ 5x6 double island Tape and reel October 2016 This is information on a product in full production. DocID18416 Rev 7 1/16 www.st.com PDF
Документация на STL40DN3LLH5 

Automotive-grade dual N-channel 30 V, 0.016 typ., 40 A STripFET™ H5 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 DI package

Дата модификации: 11.10.2016

Размер: 801.8 Кб

16 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)