STP11NM80

STMicroelectronics
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STF15N80K5 (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP — —
A+ STP21N90K5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 —
A+ IPA80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB —
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
 
 —
A+ IPP90R340C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 15A TO-220 — — —
A+ IPP80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252 —

Файлы 2

показать свернуть
STB11NM80, STF11NM80 STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247 Features Order codes VDSS RDS(on) max RDS(on)*Qg ID 3 3 1 STB11NM80 1 D²PAK STF11NM80 STI11NM80 800 V < 0.40 Ω 14Ω*nC 2 TO-220FP 11 A STP11NM80 STW11NM80 ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance ■ Best RDS(on)*Qg in the industry I²PAK Applications ■ 3 3 12 Figure 1. 1 TO-220 2 2 3 1 TO-247 Internal schematic diagram Switching applications $ Description These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Table 1. ' 3 !-V Device summary Order codes Marking Package Packaging STB11NM80 B11NM80 D²PAK Tape and reel STF11NM80 F11NM80 TO-220FP STI11NM80 I11NM80 I²PAK STP11NM80 P11NM80 TO-220 STW11NM80 W11NM80 TO-247 Tube September 2011 Doc ID 9241 Rev 11 1/22 www.st.com 22 PDF
Документация на STB11NM80T4 

N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

Дата модификации: 16.09.2011

Размер: 904.8 Кб

22 стр.

STB11NM80, STF11NM80 STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247 Features Order codes VDSS RDS(on) max RDS(on)*Qg ID 3 3 1 STB11NM80 1 D²PAK STF11NM80 STI11NM80 800 V < 0.40 Ω 14Ω*nC 2 TO-220FP 11 A STP11NM80 STW11NM80 ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance ■ Best RDS(on)*Qg in the industry I²PAK Applications ■ 3 3 12 Figure 1. 1 TO-220 2 2 3 1 TO-247 Internal schematic diagram Switching applications $ Description These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Table 1. ' 3 !-V Device summary Order codes Marking Package Packaging STB11NM80 B11NM80 D²PAK Tape and reel STF11NM80 F11NM80 TO-220FP STI11NM80 I11NM80 I²PAK STP11NM80 P11NM80 TO-220 STW11NM80 W11NM80 TO-247 Tube September 2011 Doc ID 9241 Rev 11 1/22 www.st.com 22 PDF
Документация на серию STP11NM80 

Дата модификации: 16.09.2011

Размер: 904.8 Кб

22 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)