STP12N65M5

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 8.5 А; Rси(вкл): 0.41 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STD16N65M5 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
A+ SPB11N60C3ATMA1 (INFIN) TO263 в ленте 1000 шт
 
A+ IPA80R360P7XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
A+ SPP11N60C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
A+ STF15N80K5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
A+ SPA11N80C3XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
 
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
 
A+ IPT65R195G7XTMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт HIGH POWER_NEW
A+ IPP80R360P7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IPP60R170CFD7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IPL65R340CFDAUMA1 (INFIN) PGVSON4 3000 шт
 
A+ IPD80R450P7ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252
A+ IPD70R360P7SAUMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 700V 34A DPAK
A+ IPD65R400CEAUMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ STP16N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Файлы 1

показать свернуть
Документация на STP12N65M5 

N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh™ V Power MOSFET DPAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

Дата модификации: 23.06.2011

Размер: 1.06 Мб

23 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    03 декабря 2010
    новость

    MDMESH V - силовые МOSFET транзисторы с рекордно низким Rdson

    На склад Компэл поступили силовые MOSFET транзисторы семейства MDMESH V от ST Microelectronics, которые отличаются рекордно низким значением сопротивления открытого канала (Rdson до 22 мОм), расcширенным окном рабочего напряжения сток–исток... ...читать

    03 ноября 2009
    статья

    Повышаем энергоэффективность с транзисторами Mdmesh V

    Являясь ведущим мировым поставщиком высоковольтных силовых MOSFET–транзисторов, компания STMicroelectronics предлагает разработчикам широкий выбор силовых устройств для различных конечных применений. На сегодняшний день каждый пятый... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.