STS10DN3LH5

STMicroelectronics
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 21...28 мОм; @Uзатв(ном): 4.5...10 В; Qзатв: 4.6 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIS412DN-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAK12128 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRF8721PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRL6342TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC —
A+ NTMFS4835NT1G (ONS)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — —
A+ IRFH3707TRPBF (INFIN)
 
PQFN8 4000 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8736TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY)
 
TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 — —
A+ IRF8707TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8714TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7842TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7828TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор. 30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRF7821TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7470TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7470PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6604 (INFIN)
 
DIRECTFETMQ 1 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —

Файлы 3

показать свернуть
STS10DN3LH5 Dual N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS10DN3LH5 30 V 0.021 Ω 10 A ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ Very low switching gate charge ■ High avalanche ruggedness ■ Low gate drive power losses SO-8 Application ■ Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM. Table 1. Device summary Order codes Marking Package Packaging STS10DN3LH5 10DD3L SO-8 Tape and reel May 2009 Doc ID 15624 Rev 1 1/13 www.st.com 13 PDF
Документация на серию STS10DN3LH5 

Дата модификации: 12.05.2009

Размер: 767.4 Кб

13 стр.

STS10DN3LH5 Dual N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS10DN3LH5 30 V 0.021 Ω 10 A ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ Very low switching gate charge ■ High avalanche ruggedness ■ Low gate drive power losses SO-8 Application ■ Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM. Table 1. Device summary Order codes Marking Package Packaging STS10DN3LH5 10DD3L SO-8 Tape and reel May 2009 Doc ID 15624 Rev 1 1/13 www.st.com 13 PDF
Документация на STS10DN3LH5 

Dual N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET Datasheet;STS10DN3LH5

Дата модификации: 12.05.2009

Размер: 769.4 Кб

13 стр.

STS10DN3LH5 Dual N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS10DN3LH5 30 V 0.021 Ω 10 A ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ Very low switching gate charge ■ High avalanche ruggedness ■ Low gate drive power losses SO-8 Application ■ Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM. Table 1. Device summary Order codes Marking Package Packaging STS10DN3LH5 10DD3L SO-8 Tape and reel May 2009 Doc ID 15624 Rev 1 1/13 www.st.com 13 PDF
Документация на STS10DN3LH5 

Dual N-channel 30 V, 0.019 , 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

Дата модификации: 12.05.2009

Размер: 767.5 Кб

13 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    16 декабря 2010
    статья

    Новые MOSFETs: нет лавинному пробою

    Крупнейший европейский производитель полупроводниковой техники STMicroelectronics является и одним из ведущих мировых поставщиков силовых транзисторов MOSFET. Тем не менее, на российском рынке известность компании в этом секторе –... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)