STS8DNF3LL

MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 20 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 12.5 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIS412DN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128 в ленте 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ WM03N115A (WAYON) SOP8L в ленте 3000 шт
 
A+ STL11N4LLF5 (ST) PowerFlat (3.3x3.3)
 
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL11N3LLH6 (ST) POWERFLAT 10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS9NF3LL (ST) SOIC-8-3.9 8-SO
 
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS8C5H30L (ST) SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET транзистор - [SO-8]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 22...25 мОм; @U...
A+ STS14N3LLH5 (ST) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS13N3LLH5 (ST) SOIC-8-3.9 8-SO
 
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS10N3LH5 (ST) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL8NH3LL (ST) DFN-8
 
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD17551Q3A (TI) DFN-8 2500 шт
 
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7807TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 4000 шт MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6604 (INFIN) DIRECTFETMQ 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMS13N03T1 (WAYON) SOP8L в коробках 4000 шт
 
A+ WMS10N04TS (WAYON) SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMR13N03T1 (WAYON) DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ STL40DN3LLH5 (ST) POWERFLAT в ленте 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.