CSD16340Q3

Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SON8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 25V, N Channel NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CSD17553Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD17553Q5A —
A+ IRF6607TR1 (INFIN)
 
DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
 — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ SI4842BDY-T1-E3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4634DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC — Small Signal Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4630DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC — Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4630DY-T1-E3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4628DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4166DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 3 шт MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 30.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4164DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4160DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 25.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ CSD17555Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N-ch NexFET Power MOSFET, CSD17555Q5A —
A+ CSD17505Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
 30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET with 20 Volt Vgs —
A+ CSD17311Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD16415Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 —
A+ CSD16414Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD16403Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD16401Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD16342Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 N-Channel NexFET™ Power MOSFET.... —
A+ CSD16327Q3 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 —
A+ CSD16325Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ IRFH5300TRPBF (INFIN)
 
PQFN8 в ленте 4000 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRFH5250DTRPBF (INFIN)
 
PQFN8 в ленте 4000 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6811STRPBF (INFIN)
 
DIRECTFETSQ 4800 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4842BDY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы

показать свернуть

    Публикации 5

    показать свернуть
    01 января 2018
    публикация

    Синхронный повышающий преобразователь с выходом 5 В / 4 А для зарядных USB-устройств

    PMP5417 представляет собой синхронный повышающий преобразователь с высоким КПД с использованием TPS43000. Рабочий диапазон входного напряжения 2,5 В – 4,2 В позволяет данному проекту работать от источника напряжения 3,3 В, а также от... ...читать

    01 января 2018
    публикация

    Повышающий преобразователь с мощностью 24 Вт, оптимизированный под малогабаритные применения

    Данный повышающий преобразователь со входом от одной ячейки литий–ионной батареи имеет выход 8 В/ 3 А (24 Вт). Его выходное напряжение можно регулировать в диапазоне от 5 В до 8 В, а КПД достигает 92% (при выходном напряжении 8 В) на... ...читать

    01 января 2018
    публикация

    Повышающий преобразователь с диапазоном входного напряжения от 2,5 В до 3,6 В и выходом 4,1 В/ 2,4 А

    Миниатюрный синхронный повышающий преобразователь мощностью 10 Вт имеет практически постоянный КПД во всём диапазоне нагрузки (96% при полной нагрузке и входном напряжении 3,6 В), а при мощности нагрузки 20 мВт и входном напряжении 3,3 В он имеет... ...читать

    01 января 2018
    публикация

    Tiny LED Driver Reference Design

    This reference design contains a unique LED Driver to be supplied out of a single or a dual cell lithium ion battery. The circuit in SEPIC topology accepts input voltages as low as 1.8V to 8.4V. The TPS43000 was chosen for handling low input... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16406Q3 (TI)