CSD17304Q3

Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IPD100N04S4-02 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 — —
A+ IRF1404ZSTRLPBF (INFIN)
 
TO263 в линейках 800 шт
 
 40V N-ch MOSFET 180A in D2-PAK —
A+ STP100NF04 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ CSD17306Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD17305Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD17303Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD17302Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD17301Q5A (TI)
 
SON8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ IRF3709ZSTRRPBF (INFIN)
 
TO263 800 шт
 
 — —
A+ IRF3709SPBF (INFIN)
 
TO263 50 шт
 
 —
A+ IRF2903ZPBF (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IPP039N04LGXKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 — Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STP200NF04 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ CSD18514Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 в ленте 8 шт
 
 — — 40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET — —
A+ IRLU8726PBF (INFIN)
 
TO251 в линейках 75 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRLB8748PBF (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRFR7440TRPBF (INFIN)
 
TO252 в ленте 2000 шт
 
 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package —
A+ BSC032N04LSATMA1 (INFIN)
 
PGTDSON8 5000 шт
 
 — — — —
A+ AUIRF4104 (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — —
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
A+ SIR158DP-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CSD17309Q3 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —

Сопутствующие товары 1

показать свернуть
Наименование Корпус Упаковка Краткое описание Карточка
товара
TPS65090EVM (TI)
 
— Средство разработки - —  

Файлы

показать свернуть

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 января 2018
    публикация

    Transient Load Generator Reference Design

    The TIDA–01379 reference design permits to generate fast load transient signals required for the evaluation of converter stability. The board includes three separable load transient generators that are either regulated or non–regulated... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)