CSD17308Q3

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CSD17308Q3T (TI) DFN-8 TDFN8 1 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRLB8748PBF (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF3709ZSTRRPBF (INFIN) TO263 800 шт
 
A+ IRF3709SPBF (INFIN) TO263 50 шт
 
A+ IRF2903ZPBF (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPP055N03LGXKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
A+ IPP039N04LGXKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IRLU8726PBF (INFIN) TO251 в линейках 75 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRLR8729PBF (INFIN) TO252 в линейках 75 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPD100N04S4-02 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ IPD075N03LGATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CSD17304Q3 (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ BSC080N03MSGATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 
A+ IRFR7440TRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт
 
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package
A+ IRFR3707ZTRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ BSC032N04LSATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
A+ AUIRF4104 (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMO96N03T1 (WAYON) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO70N03T1 (WAYON) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO55N03T1 (WAYON) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMB017N03LG2 (WAYON) PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ SIR158DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD18514Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 8 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17301Q5A (TI) SON8 2500 шт
 
30V N Channel NexFET™ Power MOSFET

Файлы

показать свернуть

Публикации 3

показать свернуть
01 января 2018
публикация

Базовый проект контроллера заряда батареи с количеством ячеек от 1 до 4 с гибридным режимом повышения мощности с интерфейсом SMBus

Базовый проект TIDA–00657 характеризуется высоким значением КПД (более 90% в диапазоне тока нагрузки 1 А – 2 А) и быстрый зарядом благодаря высокому значению зарядного тока (до 3 А). В данном проекте используется инновационный... ...читать

01 января 2018
публикация

Синхронный понижающий преобразователь с входным напряжением 12 В и выходом 0,9 В/ 7 А

В базовом проекте благодаря использованию синхронного понижающего контроллера TPS40192 генерируется выход 0,9 В/ 7,5 А из входного напряжения 12 В. Благодаря низким сопротивлениям «сток–исток» в открытом состоянии и быстрому... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.