CSD17559Q5T

N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Примечание 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CSD17559Q5 (TI) SON8 2500 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRL40SC209 (INFIN) TO2637 в линейках 800 шт
 
A+ BSC005N03LS5ATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
A+ IRFS7430TRL7PP (INFIN) TO2637 800 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 522A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ AUIRFS3004-7P (INFIN) TO2637 50 шт
 
40V Automotive N-ch MOSFET 400A 0.9mOhm 160nC D2-PAK-7
A+ IRFS3004TRL7PP (INFIN) TO2637 в ленте 800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFS3004-7P (INFIN) MOSFET транзистор - [TO-263-7]; Тип: N; Uси: 40 В; Iс(25°C): 400 А; Rси(вкл): 1.25 мОм;... HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPB240N03S4LR9ATMA1 (INFIN) TO2637 1000 шт
 
A+ IQE008N03LM5CGATMA1 (INFIN)
 
A+ IRL40T209ATMA1 (INFIN) PGHSOF8
 
A+ IQE008N03LM5ATMA1 (INFIN)
 
A+ IPLU300N04S4R8XTMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.00077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ BSC010N04LSIATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IPLU300N04S41R1XTMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт
 
A+ BSC010N04LSATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ BSC010N04LS6ATMA1 (INFIN) PGTDSON8 4 шт
 
A+ BSC007N04LS6ATMA1 (INFIN) PGTDSON8 1 шт
A+ AUIRF2804S-7P (INFIN) TO2637 в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ CSD18510Q5BT (TI) DFN-8 TDFN8 250 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD18510Q5B (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17573Q5BT (TI) DFN-8 TDFN8 250 шт
 
CSD17573Q5B 30 V, N-Channel NexFET Power MOSFET
A+ CSD17573Q5B (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
CSD17573Q5B 30 V, N-Channel NexFET Power MOSFET
A+ BSC005N03LS5IATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
A+ IRFS7434TRL7PP (INFIN) TO2637 800 шт
 
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak-7Pin package

Файлы

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
01 января 2018
публикация

120VAC Input: PSR 5V 25W Flyback Reference Design

This reference design is a 120Vac to 5V primary side regulated flyback converter with synchronous rectification on the secondary side. The reference design has extremely low standby power at 67mW. UCC28704 features integrated CC–CV... ...читать

01 января 2018
публикация

Базовый проект преобразователя мощностью с высоким КПД при малых нагрузках, переменным входным напряжением 120 В, постоянным выходным напряжением 5 В (мощность 25 Вт) и 4 выходами для нагрузок, расположенных в непосредственной близости от преобразователя

В проекте мощностью 25 Вт используются UCC28740 в обратноходовой топологии для минимизации потребляемой мощности в режиме ожидания (при отсутствии нагрузки) и контроллер синхронных выпрямителей UCC24636 для минимизации времени проводимости через... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.