CSD17579Q5AT
- Группа: FET транзисторы
- Серия: CSD17579Q5A
- Корпус: DFN-8 TDFN8
- Норма упаковки: 250 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN-8 TDFN8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | CSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CSD17579Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | CSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | IRLR8729PBF (INFIN) | TO252 | в линейках 75 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | — | ||||||||||
A+ | CSD17308Q3 (TI) | DFN-8 TDFN8 | в ленте 2500 шт | 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | CSD17309Q3 (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | 30V N Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | CSD17307Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | 30V N Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | CSD17302Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | 30V N Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | IRF3709ZSTRRPBF (INFIN) | TO263 | 800 шт | — | — | |||||||||||
A+ | IRF3709SPBF (INFIN) | TO263 | 50 шт | — | ||||||||||||
A+ | IRF2903ZPBF (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | |||||||||
A+ | IPP055N03LGXKSA1 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | — | — | — | ||||||||
A+ | IPP039N04LGXKSA1 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | |||||||||
A+ | IRLU8726PBF (INFIN) | TO251 | в линейках 75 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | — | ||||||||||
A+ | CSD17304Q3 (TI) | DFN-8 TDFN8 | в ленте 2500 шт | 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | IRLB8748PBF (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | ||||||||||
A+ | IPD075N03LGATMA1 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFR7440TRPBF (INFIN) | TO252 | в ленте 2000 шт | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package | — | |||||||||||
A+ | BSC080N03MSGATMA1 (INFIN) | PGTDSON8 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFR3707ZTRPBF (INFIN) | TO252 | в ленте 2000 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | |||||||||||
A+ | AUIRF4104 (INFIN) | TO220AB | в линейках 50 шт | — | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | ||||||||||
A+ | WMO70N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | WMO55N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | SIR158DP-T1-GE3 (VISHAY) | POWERPAKSO8 | 1 шт | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||
A+ | CSD18514Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | в ленте 8 шт | — | — | 40V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | — | ||||||||
A+ | CSD17308Q3T (TI) | DFN-8 TDFN8 | 1 шт | 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | CSD17322Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | 30V, N-Channel NexFET Power MOSFET | — |
Файлы
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.