CSD17579Q5AT

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание CSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CSD17579Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
CSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRLR8729PBF (INFIN) TO252 в линейках 75 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ CSD17308Q3 (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17309Q3 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17307Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17302Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRF3709ZSTRRPBF (INFIN) TO263 800 шт
 
A+ IRF3709SPBF (INFIN) TO263 50 шт
 
A+ IRF2903ZPBF (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPP055N03LGXKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
A+ IPP039N04LGXKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IRLU8726PBF (INFIN) TO251 в линейках 75 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ CSD17304Q3 (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRLB8748PBF (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPD075N03LGATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRFR7440TRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт
 
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package
A+ BSC080N03MSGATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 
A+ IRFR3707ZTRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ AUIRF4104 (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMO70N03T1 (WAYON) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO55N03T1 (WAYON) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ SIR158DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD18514Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 8 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17308Q3T (TI) DFN-8 TDFN8 1 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17322Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET

Файлы

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
01 января 2018
публикация

Базовый проект адаптера зарядного устройства с выходом 5 В/ 3 А (12 В/ 3 А) с DFP-портом USB типа C с технологией PD

Базовый проект PMP4489 представляет собой обратноходовой преобразователь с DFP–портом USB типа C с технологией PD2.0, выходом 5 В/ 3 А (12 В/ 3 А) и управлением на вторичной стороне, в котором используется UCC28740DR с режимами постоянного... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.