CSD18514Q5A

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Примечание 40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CSD18514Q5AT (TI) DFN-8 TDFN8 100 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
P- STL70N4LLF5 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD18501Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
40V N-Channel NexFET Power MOSFETs, CSD18501Q5A
A+ IRF2805STRLPBF (INFIN) TO263 в ленте 800 шт
 
55V N-ch MOSFET 135A in D2-PAK
A+ STP110N55F6 (ST) TO220AB 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD18513Q5AT (TI) VSON-8
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD18513Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 5 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD18511Q5AT (TI) DFN-8 TDFN8
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD18503Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD18503Q5A
A+ CSD18503KCS (TI) TO-220-3 50 шт MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET... .
A+ IRFP1405PBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF3205PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IPD100N04S4-02 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ STP120NF04 (ST) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
A+ IRF150 (INFIN) TO204AA 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRL2505STRLPBF (INFIN) TO263 в ленте 800 шт
 
55V N-ch MOSFET 104A in D2-PAK
A+ IRL2505SPBF (INFIN) TO-263-3 D2PAK в линейках 1000 шт MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK 55V N-ch MOSFET 104A in D2-PAK
A+ IRL1404PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ BSC032N04LSATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
A+ BSC027N04LSGATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON) PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ STP200NF04 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP100NF04 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IRF1404ZSTRLPBF (INFIN) TO263 в линейках 800 шт
 
40V N-ch MOSFET 180A in D2-PAK
A+ STP150NF55 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.