01 сентября 2014
новость
CSD19531KCS
- Группа: FET транзисторы
- Серия: CSD19531KCS
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание | 100V, 6.4mOhm, TO-220 NexFET™ Power MOSFET | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F~ | SPD50N03S207GBTMA1 (INFIN) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | ISC0802NLSATMA1 (INFIN) | PGTDSON8 | 200 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — |  | ||
| A+ | IRFPS3810 (INFIN) | TO274AA | 1 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | SUM110N10-09-E3 (VISHAY) | TO263 | 1 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |  | — | |
| A+ | STL110N10F7 (ST) | POWERFLAT | 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | STB120NF10T4 (ST) | TO263 | в ленте 1000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |  | — | |
| A+ | STH315N10F7-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | STH240N10F7-6 (ST) | H2PAK6 | в ленте 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | STH180N10F3-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | STH110N10F7-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | STP180N10F3 (ST) | TO220AB | в линейках 50 шт |
|  |  |  |  |  |  | — |  |  | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |  | — | |
| A+ | STP150N10F7 (ST) | TO220AB | 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | STP130N10F3 (ST) | TO220AB |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |  | — | ||
| A+ | STP110N10F7 (ST) | TO220AB | 50 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |
| A+ | CSD19531Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | 100V, 5.3mOhm, SON5x6 NexFET™ Power MOSFET |  | — | ||
| A+ | IRFB4310PBF (INFIN) | TO220AB | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | IRLB4030PBF (INFIN) | TO220AB | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | IRFPS3810PBF (INFIN) | TO274AA | в линейках 25 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | WMM043N10HGD (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMK060N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в коробках 1000 шт |
|  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |
| A+ | WMK043N10LGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |
|  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |
| A+ | WMK043N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |
|  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |
| A+ | WMB043N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CSD19532Q5B (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | 100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET |  | — | ||
| A+ | IPB038N12N3 G (INFIN) | — |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы
показать свернутьПубликации 2
показать свернуть 03 июня 2014
новость
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.