CSD19531KCS

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 100V, 6.4mOhm, TO-220 NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSC035N10NS5ATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
A+ STP120NF10 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
A+ IRL540PBF (VISH/IR) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 110 А; Uзатв(макс): 10 В;...
A+ IRFP4468PBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFP4310ZPBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRLS4030TRLPBF (INFIN) TO263 800 шт MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 100V N-ch MOSFET 180A in D2-PAK
A+ IRLS4030PBF (INFIN) TO263 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 100V N-ch MOSFET 180A in D2-PAK
A+ IRFB4310PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFB4110PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRLB4030PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPP045N10N3GXKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
A+ IRFS4310ZTRLPBF (INFIN) TO263 в ленте 800 шт MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 100V N-ch MOSFET 127A in D2-PAK
A+ IRFS4310TRLPBF (INFIN) TO263 в ленте 800 шт MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK 100V N-ch MOSFET 130A in D2-PAK
A+ IRFS4310PBF (INFIN) TO263 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK 100V N-ch MOSFET 130A in D2-PAK
A+ IRFS4010TRL7PP (INFIN) TO2637 в линейках 800 шт MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPB042N10N3GATMA1 (INFIN) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
A+ IPB039N10N3GATMA1 (INFIN) TO2637 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
A+ IPB027N10N3GATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
A+ IRFPS3810PBF (INFIN) TO274AA в линейках 25 шт MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
01 сентября 2014
новость

CSD19536KCS - 100V MOSFET с малым сопротивлением канала от TI

CSD19536KCS – представитель N–канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 100 В от компании Texas Instruments. Силовой MOSFET транзистор выполнен по NexFET технологии, что позволяет повысить эффективность во вторичных цепях... ...читать

03 июня 2014
новость

CSD19531KCS - новый силовой 100V MOSFET с низким зарядом затвора

Компания Texas Instruments расширяет свое семейство транзисторов NexFET™, которые характеризуются крайне низкими потерями на проводимость и на управление. Новый транзистор CSD19531KCS отличается низким значением заряда затвора – всего 37 нК... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.