CSD19531KCS

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 100V, 6.4mOhm, TO-220 NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
F~ SPD50N03S207GBTMA1 (INFIN) TO252 2500 шт
 
A+ ISC0802NLSATMA1 (INFIN) PGTDSON8 200 шт
 
A+ IRFPS3810 (INFIN) TO274AA 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SUM110N10-09-E3 (VISHAY) TO263 1 шт MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STL110N10F7 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STB120NF10T4 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STH315N10F7-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
A+ STH240N10F7-6 (ST) H2PAK6 в ленте 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH180N10F3-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH110N10F7-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STP180N10F3 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP150N10F7 (ST) TO220AB 50 шт
 
A+ STP130N10F3 (ST) TO220AB MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP110N10F7 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N CH 100V 110A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD19531Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
100V, 5.3mOhm, SON5x6 NexFET™ Power MOSFET
A+ IRFB4310PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRLB4030PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFPS3810PBF (INFIN) TO274AA в линейках 25 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMM043N10HGD (WAYON) TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON) TO-220-3 в коробках 1000 шт
A+ WMK043N10LGS (WAYON) TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ WMK043N10HGS (WAYON) TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ WMB043N10HGS (WAYON) PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CSD19532Q5B (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IPB038N12N3 G (INFIN) MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Файлы

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
01 сентября 2014
новость

CSD19536KCS - 100V MOSFET с малым сопротивлением канала от TI

CSD19536KCS – представитель N–канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 100 В от компании Texas Instruments. Силовой MOSFET транзистор выполнен по NexFET технологии, что позволяет повысить эффективность во вторичных цепях... ...читать

03 июня 2014
новость

CSD19531KCS - новый силовой 100V MOSFET с низким зарядом затвора

Компания Texas Instruments расширяет свое семейство транзисторов NexFET™, которые характеризуются крайне низкими потерями на проводимость и на управление. Новый транзистор CSD19531KCS отличается низким значением заряда затвора – всего 37 нК... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.