01 января 2018
публикация
CSD19532Q5B
- Группа: FET транзисторы
- Серия: CSD19532Q5B
- Корпус: DFN-8 TDFN8
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFN-8 TDFN8 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание | 100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F~ | BSC050N03MSGATMA1 (INFIN) | PGTDSON8 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IRFP4468PBF (INFIN) | TO247AC | в линейках 400 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | AUIRLS4030-7P (INFIN) | TO2637 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||
| A+ | IRLS4030TRL7PP (INFIN) | TO2637 | 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | IRFSL4310Z (INFIN) | — |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | — | |||
| A+ | AUIRFS4010-7P (INFIN) | TO2637 | 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | 100V Automotive N-ch MOSFET 190A 3.3mOhm 150nC D2-PAK-7 | — | — | ||
| A+ | IRFS4010TRL7PP (INFIN) | TO2637 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | IRFB4310Z (INFIN) | — |
![MOSFET транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 127 А; Rси(вкл): 6 мОм; @...](/dataimg/korpus/kk/to-220-3/e152b0594bb0fe862c14370bd887b498.jpg){kind=small}
|  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | — | ||
| A+ | IRF100S201 (INFIN) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IRF100B201 (INFIN) | TO220AB | 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IPB180N10S403ATMA1 (INFIN) | TO2637 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 |  | — | ||
| A+ | IRFB4110GPBF (INFIN) | TO-220-3 | 50 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | |
| A+ | IRFB4110 (INFIN) | — |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | — | |||
| A+ | STH315N10F7-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | STH240N10F7-6 (ST) | H2PAK6 | в ленте 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | IRLB4030PBF (INFIN) | TO220AB | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |  | — | ||
| A+ | WMM043N10HGD (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  | — | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMK043N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |
|  |  |  | — | — |  | — | — | — | — | — | |
| A+ | ISC0802NLSATMA1 (INFIN) | PGTDSON8 | 200 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — |  |
Файлы
показать свернутьПубликации 6
показать свернуть 01 января 2018
публикация
01 января 2018
публикация
01 января 2018
публикация
01 января 2018
публикация
01 января 2018
публикация
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.