CSD19532Q5B

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 100V, 4.0 mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
F~ BSC050N03MSGATMA1 (INFIN) PGTDSON8 5000 шт
 
A+ IRFP4468PBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ AUIRLS4030-7P (INFIN) TO2637 в линейках 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRLS4030TRL7PP (INFIN) TO2637 800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFSL4310Z (INFIN)
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ AUIRFS4010-7P (INFIN) TO2637 50 шт
 
100V Automotive N-ch MOSFET 190A 3.3mOhm 150nC D2-PAK-7
A+ IRFS4010TRL7PP (INFIN) TO2637 в ленте 800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFB4310Z (INFIN) MOSFET транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 127 А; Rси(вкл): 6 мОм; @... HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF100S201 (INFIN) TO263 800 шт
 
A+ IRF100B201 (INFIN) TO220AB 50 шт
 
A+ IPB180N10S403ATMA1 (INFIN) TO2637 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
A+ IRFB4110GPBF (INFIN) TO-220-3 50 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFB4110 (INFIN)
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ STH315N10F7-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
A+ STH240N10F7-6 (ST) H2PAK6 в ленте 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRLB4030PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMM043N10HGD (WAYON) TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON) TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ ISC0802NLSATMA1 (INFIN) PGTDSON8 200 шт
 

Файлы

показать свернуть

Публикации 6

показать свернуть
01 января 2018
публикация

Automotive Reverse Polarity Protection Reference Design

Reverse polarity is standard protection required in an automotive environment. When battery cables are detached and reconnected there is a probability of connecting the wires to wrong terminals of the battery. This mistake could damage the... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.