CSD19534Q5A
- Группа: FET транзисторы
- Серия: CSD19534Q5A
- Корпус: DFN-8 TDFN8
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN-8 TDFN8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | 100V, N-Channel NexFET Power MOSFET | |
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
F~ | BSO040N03MSGXUMA1 (INFIN) | SO-8 SOIC8 | 2500 шт |
| — | — | — | — | ||||||||
A+ | STB80NF10T4 (ST) | TO263 | 1000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | — | ||||||||||
A+ | CSD19537Q3T (TI) | DFN-8 | 1 шт | — | 100V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | ||||||||||
A+ | CSD19534KCS (TI) | TO-220-3 | 50 шт |
| — | CSD19534KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||
A+ | CSD19533Q5AT (TI) | DFN-8 TDFN8 | 250 шт | — | 100V, 7.8mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET Power MOSFET | — | ||||||||||
A+ | CSD19533Q5A (TI) | DFN-8 TDFN8 | 2500 шт | 100V, 7.8mOhm, SON5x6 N-Channel NexFET Power MOSFET | — | |||||||||||
A+ | CSD19533KCS (TI) | TO-220-3 | 50 шт |
| 100V, 8.7mOhm, TO-220 N-Channel NexFET Power MOSFET | — | ||||||||||
A+ | IRF530PBF (VISH/IR) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | — | — | |||||||||
A+ | IRF3710ZSTRLPBF (INFIN) | TO-263-3 D2PAK | в ленте 800 шт |
| 100V N-ch MOSFET 59A in D2-PAK | — | ||||||||||
A+ | IRF3710STRLPBF (INFIN) | TO-263-3 D2PAK | в ленте 800 шт |
| 100V N-ch MOSFET 57A in D2-PAK | — | ||||||||||
A+ | IRF1310NPBF (INFIN) | TO220AB | в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | |||||||||||
A+ | ISZ0804NLSATMA1 (INFIN) | PGTSDSON8 | 400 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | ISC0805NLSATMA1 (INFIN) | PGTSDSON8 | 300 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | ISC0804NLSATMA1 (INFIN) | PGTSDSON8 | 350 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRL2910STRLPBF (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт | 100V N-ch MOSFET 55A in D2-PAK | — | |||||||||||
A+ | IRL2910PBF (INFIN) | TO220AB | в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | |||||||||||
A+ | IRFS4610TRLPBF (INFIN) | TO-263-3 D2PAK | в ленте 800 шт |
| 100V N-ch MOSFET 73A in D2-PAK | — | ||||||||||
A+ | IRFP4710PBF (INFIN) | TO247AC | в линейках 25 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | |||||||||||
A+ | WMQ119N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | WMO099N10HGS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | ||||||
A+ | WMK175N10LG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | |||||
A+ | WMK175N10HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | |||||
A+ | WMK099N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в коробках 1000 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | |||||
A+ | STP80NF10 (ST) | TO220AB | в линейках 50 шт |
| — | — | ||||||||||
A+ | STD100N10F7 (ST) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — |
Файлы
показать свернутьПубликации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.