CSD19536KCS

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 100V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IPT015N10N5ATMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт
 

Файлы

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
01 сентября 2014
новость

CSD19536KCS - 100V MOSFET с малым сопротивлением канала от TI

CSD19536KCS – представитель N–канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 100 В от компании Texas Instruments. Силовой MOSFET транзистор выполнен по NexFET технологии, что позволяет повысить эффективность во вторичных цепях... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.