CSD19538Q2

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус WDFN-6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 100V, 49mOhm SON2x2 NexFET Power MOSFET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- AON2290 (AOS) UDFN6 1 шт
 
A+ IRFL110TRPBF (VISH/IR) TO261 в ленте 2500 шт MOSFET транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.54 Ом; @...
A+ IRFI540NPBF (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFH5010TRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
 
A+ IRF530NSTRLPBF (INFIN) TO263 в ленте 800 шт
 
100V N-ch MOSFET 17A in D2-PAK
A+ IRF530NPBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRL530NPBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFR3910TRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPD78CN10NGATMA1 (INFIN) TO252 2500 шт
 
A+ TSM900N10CP ROG (TSC) TO252 1 шт

Файлы

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.