1PGSMB5926

Taiwan Semiconductor
1PGSMB5926 – 1PGSMB5956 Taiwan Semiconductor 3W, 11V - 200V Surface Mount Zener Diode FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Photo Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low inductance Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VZ 11 - 200 V Test current IZT 1.9 - 34.1 mA Ptot 3...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Рабочая температура
Примечания Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 3W, Silicon, Unidirectional, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 1PGSMB5926 

Дата модификации: 09.03.2021

Размер: 441.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.