1N65G-AA3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET  DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching applications of power supplie...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N65G (YOUTAI)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ 2NM65G-TN3-R (UTC)
 
TO-252-3
A+ 2N80L-TN3-R (UTC)
 
2 шт
A+ 2N80L-TF1-T (UTC)
 
TO-220F1
 
A+ 2N80G-TF3-T (UTC)
 
TO-220-3-FP TO-220F
A+ 2N65L-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ 2N65G-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ IRFBE20PBF-[TO-220] (KLS)
 
в линейках 50 шт
 
A+ CJPF02N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
±
A+ CJD02N65 (JSCJ)
 
TO251
 
±
A+ 2N65L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.