BPW85B

TRANSISTOR, PHOTO, NPN, 850NM, T-1; Transistor Polarity:NPN; Wavelength Typ:850nm; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:25°; No. of Pins:2; Light Current:2.5mA; Dark Current:200nA; C-E Breakdown Voltage:70V; Current Rating:50mA ;RoHS Compliant: Yes
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.