ESH2D-M3/5BT

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 930 мВ, ёмкостью перехода 30 пФ, производства Vishay (VISHAY)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ESH2B-M3, ESH2C-M3, ESH2D-M3 www.vishay.com Vishay General Semiconductor Surface-Mount Ultrafast Plastic Rectifier FEATURES • Glass passivated pellet chip junction • Ideal for automated placement • Ultrafast recovery times for high efficiency • Low forward voltage, low power loss • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C SMB (DO-214AA) Cathode • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Anode TYPICAL APPLICATIONS LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converter and inverter for both consumer. 3D 3D 3D Models MECHANICAL DATA PRIMARY CHARACTERISTICS IF(AV) 2.0 A VRRM 100 V, 150 V, 200 V trr 25 ns VF 0.93 V TJ max. 175 °C Package SMB (DO-214AA) Circuit configuration Single Case: SMB (DO-214AA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and commercial grade Terminals: matte tin plated leads, solderable J-STD-002 and JESD 22-B102 M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test per Polarity: color band denotes cathode end MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Device marking code ESH2B ESH2C ESH2D EHB EHC EHD UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 70 105 140 V 100 150 200 Maximum DC blocking voltage VDC Maximum average forward rectified current (fig. 1) IF(AV) 2.0 A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 60 A TJ, TSTG -55 to +175 °C Operating junction and storage temperature range V Revision: 13-May-2020 Document Number: 89482 1 For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 PDF
Документация на ESH2D-M3/52T 

Дата модификации: 21.05.2020

Размер: 98.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.