SIHFB20N50K-E3

IRFB20N50K, SiHFB20N50K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 500 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 0.21 Qg (Max.) (nC) 110 Qgs (nC) 33 Qgd (nC) 54 Configuration • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness RoHS* COMPLIANT • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Single...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IRFB20N50K, SiHFB20N50K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 500 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 0.21 Qg (Max.) (nC) 110 Qgs (nC) 33 Qgd (nC) 54 Configuration • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness RoHS* COMPLIANT • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Single • Low RDS(on) D TO-220 Available • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) G • Uninterruptible Power Supply • High Speed Power Switching S G D • Hard Switched and High Frequency Circuits S N-Channel MOSFET ORDERING INFORMATION Package TO-220 IRFB20N50KPbF SiHFB20N50K-E3 IRFB20N50K SiHFB20N50K Lead (Pb)-free SnPb ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted PARAMETER SYMBOL LIMIT Drain-Source Voltage VDS 500 Gate-Source Voltage VGS ± 30 Continuous Drain Current VGS at 10 V TC = 25 °C TC = 100 °C Pulsed Drain Currenta ID UNIT V 20 12 A IDM 80 2.2 W/°C EAS 330 mJ Currenta IAR 20 A Repetitive Avalanche Energya EAR 28 mJ Linear Derating Factor Single Pulse Avalanche Energyb Repetitive Avalanche Maximum Power Dissipation TC = 25 °C Peak Diode Recovery dV/dtc Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Recommendations (Peak Temperature) Mounting Torque PD 280 W dV/dt 10 V/ns TJ, Tstg - 55 to + 150 for 10 s 300d 6-32 or M3 screw 10 °C N Notes a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature. b. Starting TJ = 25 °C, L = 1.6 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 20 A. c. ISD ≤ 20 A, dI/dt ≤ 350 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C. d. 1.6 mm from case. * Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply Document Number: 91101 S09-2236-Rev. D, 05-Apr-10 www.vishay.com 1 PDF
Документация на SIHFB20N50K-E3 

Дата модификации: 05.11.2015

Размер: 183.9 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.