SUD50N04-8m8P-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRF6613TRPBF (INFIN) DIRECTFETMT 4800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 2

показать свернуть
SUD50N04-8m8P Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.0088 at VGS = 10 V 50 0.0105 at VGS = 4.5 V 50 VDS (V) 40 Qg (Typ.) 16 nC • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested • 100 % Rg Tested • PWM Optimized • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • LCD Display Backlight Inverters • DC/DC Converters TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S Top View S Ordering Information: SUD50N04-8m8P-4GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol VDS VGS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C ID TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD Continuous Source-Drain Diode Current 40 ± 20 V 14b 11.2b 100 40 A 2.6b 30 45 48.1 30.8 mJ W 3.1b 2.0b - 55 to 150 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit 50a 44 IDM Pulsed Drain Current Limit °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Steady State Symbol RthJA Typical Maximum Junction-to-Ambientb 32 40 Maximum Junction-to-Case Steady State RthJC 2.1 2.6 Unit °C/W Notes: a. Package limited. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 68647 S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10 www.vishay.com 1 PDF
Документация на SUD50N04-8M8P-4GE3 

Дата модификации: 13.05.2017

Размер: 166.4 Кб

9 стр.

SUD50N04-8m8P Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.0088 at VGS = 10 V 50 0.0105 at VGS = 4.5 V 50 VDS (V) 40 Qg (Typ.) 16 nC • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested • 100 % Rg Tested • PWM Optimized • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • LCD Display Backlight Inverters • DC/DC Converters TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S Top View S Ordering Information: SUD50N04-8m8P-4GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol VDS VGS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C ID TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD Continuous Source-Drain Diode Current 40 ± 20 V 14b 11.2b 100 40 A 2.6b 30 45 48.1 30.8 mJ W 3.1b 2.0b - 55 to 150 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit 50a 44 IDM Pulsed Drain Current Limit °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Steady State Symbol RthJA Typical Maximum Junction-to-Ambientb 32 40 Maximum Junction-to-Case Steady State RthJC 2.1 2.6 Unit °C/W Notes: a. Package limited. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 68647 S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10 www.vishay.com 1 PDF
Документация на SUD50N04-8m8P-4GE3 

Дата модификации: 02.01.1970

Размер: 182.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.