TSAL4400

IR EMITTER, 3MM, 940NM; Wavelength, Typ:940nm; Power Dissipation:210mW; Current, Forward If:100mA; Voltage, Vf Max:1.35V; Angle, Viewing:50°; Case Style:T-1; Temperature, Operating Range:-55°C to +100°C; Angle, Full:50°; Angle, Half:25°; Current, If AV:100mA; LED / Lamp Size:3mm / T-1; Radiant Intensity:80mW/Sr; Radiant Intensity, Max:30mW/Sr; Radiant Intensity, Min:16mW/Sr; Time, Fall:0.8чs; Time, Rise:0.8чs; Time, t Off:0.8чs; Time, t On:0.8чs; Voltage, Vf Typ:1.35V
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Цвета свечения
Количество цветов в корпусе
Длина волны 1 цвета 940
Мощность ИК излучения
Угол по горизонтали
Угол по вертикали
Тип корпуса
Тип линзы
Размер мм
Примечания IR-EMITTER-DIODE, 950 NM, +/-25 GRAD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Цвет N λ1 Длина волны 2 λ3 Iv1 Iv2 Iv3 Tц Поток U Pик αX αY CIE x CIE y Корпус Линза Схема T раб Примечания Карточка
товара
P= FYL-3014IRAC1A (FORYARD)
 
A- TSAL6100 (VISHAY) LED5MM 4000 шт
 
940 High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
A- TSAL6200 (VISHAY) LED5MM в коробках 4000 шт
 
940
A- TSAL6400 (VISHAY) LED5MM 4000 шт Светодиод общего назначения - Цвет: ИК; N: 1; λ1:  940 нм; Pик: 40 мВт/ср; αX: 50 ... 940 IR-EMITTER-DIODE, 950 NM, 25 GRAD
A- L-53F3C (KGB) LED5MM 1000 шт
 
940
A- L-7113F3C (KGB) LED5MM 1000 шт
 
940
A- BIR-BM13J4G (BRI) LED5MM 500 шт
 
940
A- SFH 4545 (OSRAM) в коробках 1000 шт 950
A- SFH 4546 (OSRAM) 1 шт 950
A- SFH 4550 (OSRAM) 1000 шт 850
A- L-7113F3BT (KGB) LED5MM 1000 шт
 
940
A- L-53SF4BT (KGB) LED5MM 1 шт
 
880
A- L-53SF4C (KGB) LED5MM 1000 шт
 
880

Файлы 1

показать свернуть
TSAL4400 www.vishay.com Vishay Semiconductors High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs FEATURES • • • • • • • • • • • • • 94 8636 DESCRIPTION Package type: leaded Package form: T-1 Dimensions (in mm): Ø 3 Peak wavelength: λp = 940 nm High reliability High radiant power High radiant intensity Angle of half intensity: ϕ = ± 25° Low forward voltage Suitable for high pulse current operation Good spectral matching with Si photodetectors Package matches with detector TEFT4300 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC Note ** Please see document “Vishay Material Category Policy”: www.vishay.com/doc?99902 TSAL4400 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package. APPLICATIONS • Infrared remote control units • Free air transmission systems • Infrared source for optical counters and card readers PRODUCT SUMMARY COMPONENT Ie (mW/sr) ϕ (deg) λP (nm) tr (ns) 30 ± 25 940 800 TSAL4400 Note • Test conditions see table “Basic Characteristics“ ORDERING INFORMATION ORDERING CODE TSAL4400 PACKAGING REMARKS PACKAGE FORM Bulk MOQ: 5000 pcs, 5000 pcs/bulk T-1 Note • MOQ: minimum order quantity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified) SYMBOL VALUE Reverse voltage PARAMETER TEST CONDITION VR 5 UNIT V Forward current IF 100 mA Peak forward current tp/T = 0.5, tp = 100 μs IFM 200 mA Surge forward current tp = 100 μs IFSM 1.5 A Power dissipation PV 160 mW Junction temperature Tj 100 °C Operating temperature range Tamb - 40 to + 85 °C Storage temperature range Tstg - 40 to + 100 °C Soldering temperature t ≤ 5 s, 2 mm from case Tsd 260 °C Thermal resistance junction/ambient J-STD-051, leads 7 mm, soldered on PCB RthJA 300 K/W Rev. 1.7, 24-Aug-11 Document Number: 81006 1 For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 PDF
Документация на TSAL4400 

Дата модификации: 03.06.2012

Размер: 97.2 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.