WMLL065N15HG2
WMLL065N15HG2
150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
D
WMLL065N15HG2 uses Wayon's advanced power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
G
S
S
S
RDS(on) <6mΩ @ VGS = 10V
Green Device Available
Low Gate Charge
100% EAS Guaranteed
S
S
S
S
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMK161N15T2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMM161N15T2 (WAYON) | TO263 | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCEP15T14LL (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| A+ | JMSH1504NTL-13 (JIEJIE) | TO2473 | 2000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH1504NC-U (JIEJIE) | TO2203L | 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CRST052N15N3Z (CRMICRO) | TO-220-3 |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMLL065N15HG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 21.02.2023
Размер: 628.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.