WMM055N10HG2

WMM055N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM055N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G S TO-263 Features ⚫ VDS= 100V, ID = 120A(Silicon L...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMK058N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK049N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.