ZW12000-200

SUNCO
ZW12000- WELDING DIODE Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co.,Ltd 200-400 VDRM **************************************************************************************************************************************** WELDING DIODE Features: W3 . All diffused structure . High current density . Very low forward voltage drop . Ceramic housing hermetic package . Ultra-low thermal resistance E...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Обратное напряжение (повт. имп.)
Прямой ток (макс.)
Прямое напряжение
Динамическое сопротивление
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ZW12000- WELDING DIODE Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co.,Ltd 200-400 VDRM **************************************************************************************************************************************** WELDING DIODE Features: W3 . All diffused structure . High current density . Very low forward voltage drop . Ceramic housing hermetic package . Ultra-low thermal resistance ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RATINGS Reverse Blocking ZW12000-02 VRRM (1) 200 VRSM (1) 300 ZW12000-04 400 450 Device Type Notes: All ratings are specified for Tj=25 oC, unless otherwise stated . (1) Sine half wave, f=50Hz, Tj = -40 to +170oC. (2) Sine half wave, Pulse width 10 msec. Tj = -40 to +170oC. (3) Maximum value for Tj = 170 oC. (4) See parameter definition below : VRRM = Repetitive peak reverse voltage VRSM = Non repetitive peak reverse voltage (2) Repetitive peak reverse leakage current 15 mA 50 mA (3) IRRM Conducting - on state Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions Sinewave 180o, Tc =85℃ Average forward current IF(AV) 12000 A RMS forward current IFRMS 18800 A Peak one cycle surge (non repetitive) current IFSM 85000 A I2 t 36000 KA2s Peak forward voltage VFM 1.05 V IFM= 5000A; 25℃ Threshold voltage VTO 0.74 V Tj = 170 ℃ Slope resistance rT 0.019 mΩ Tj = 170 ℃ I square t Pulse width 10 msec, sinusoidal wave-shape, 180o conduction, Tj = 170 ℃ Pulse width 10 msec, sinusoidal wave-shape, Tj = 170 ℃ Reverse Recovery Current (4) IRM(REC) A IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/s;Tjmax Reverse Recovery Charge (4) Qrr μC IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/s;Tjmax Reverse Recovery Time (4) trr μs IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/s;Tjmax http://www.chinarunau.com Page 1 of 2 PDF
Документация на ZW12000-200 

Technical Data : CD-028

Дата модификации: 25.07.2022

Размер: 216.1 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MD100C18D1 (YJ)