Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

17 мая 2019

Мероприятие прошло 13.06.2019

Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом поведении транзисторов, об энергии лавинного пробоя и многом другом.Данный вебинар будет интересен инженерам-конструкторам и схемотехникам, разрабатывающим источники вторичного электропитания различного назначения.

Содержание

• Практические аспекты применения транзисторов серии CoolMOS;
• Обзор линеек MOSFET от Infineon. Какие транзисторы для каких устройств лучше подходят;
• Транзисторы серии P7950В;
• Новый неизолированный LED драйвер ILD8150;

Общая информация

Начало: 13 июня 2019 г. в 11:00
Продолжительность: 45 минут
Форма участия: бесплатно
Добавить в календарь: Google, iCal

Докладчик

Антон Подколзин — инженер по применению в области управления питанием в компании КОМПЭЛ. Опыт разработки маломощных источников питания и портативных устройств более 3-х лет.

Видео

Вопросы и ответы

Каков запас прочности транзистора по напряжению, (при высокой температуре кристалла) в цепях аналоговых схем стабилизации высокого напряжения 1.2 кВ? Возможные способы схемного решения отключения цепи, с реактивной нагрузкой. Проще говоря, работа на низкой частоте 0.05 Гц.?

Напряжение полевого транзистора растёт по мере увеличения температуры, и, соответственно, снижается при низких температурах. Номинальное напряжение сток-исток (Vds) в даташите приводится при нормальных условиях окружающей среды — 25 градусов. Например, для транзистора IPA95R450P7, номинальное напряжение составляет 950 В. Однако, согласно диаграмме 13 из даташита напряжение Vds равно примерно 1045 В при температуре кристалла 125 градусов. Для схем с высоким напряжением, я бы рекомендовал применить высоковольтные полевые транзисторы STMicroelectronics серии K5 на напряжение 1200…-1500 В. Либо применить IGBT транзисторы на 1200 В. При работе в цепях с реактивной нагрузкой (я полагаю, активно-индуктивной, раз речь идёт о напряжении), в любом случае необходимо предусмотреть пути протекания тока дросселя при выключении транзистора во избежание перенапряжения. Обычно, можно поставить шунтирующий диод.

Чем «CoolMOS» отличается от обычного MOSFET кроме пониженного сопротивления, каковы нюансы использования?

Главное отличие полевых транзисторов серии CoolMOS от транзисторов более старых линеек, — это, всё же, улучшенные динамические характеристики, достигаемые за счёт построения более тонких полупроводниковых структур. Если вести сравнение по сопротивлению канала, то серия CoolMOS имеет такое же низкое сопротивление, как и другие аналогичные линейки.

Какие из транзисторов годятся для использования в импульсных УМЗЧ? Напряжение питания порядка 150В, мощность на нагрузке до 1000Вт.

Для данной задачи я бы рекомендовал остановиться на линейке низковольтные силовых транзисторов серии OptiMOS, в частности присмотреться к линейкам OptiMOS 3 на напряжение 200…-300 В.

Какие рабочие частоты в реальных применениях полевых транзисторов ?

Полевые транзисторы серии CoolMOS могут успешно работать на частотах переключения до 150-…200 кГц. В схемах с жёсткой коммутацией, обычно, рабочие частоты не превышают 100 кГц. Если же рассматривать схемы с мягкой коммутацией (резонансные), то рабочая частота может доходить до 200 кГц.

Есть ли схемотехнические решения, где пригодится большая ёмкость «стока-истока» этих транзисторов?

Прежде всего, стоит отметить, что транзисторы серии CoolMOS обладают намного меньшей выходной ёмкостью «сток-исток» (Cds = Coss-Crss), чем более старые поколения полевых транзисторов. Это обстоятельство говорит в пользу улучшения динамических параметров и даёт задел для перехода на более высокие частоты коммутации в изделии. Другими словами, большая ёмкость «стока-истока» транзисторов обычно является проблемой в реальных устройствах, и производители компонентов делают всё, чтобы её уменьшить.
Схемотехнические решения, где может пригодиться выходная ёмкость транзисторов, выходят за рамки стандартных применений и, скорее всего, относятся к области специальных задач.

Осталось непонятным, почему при изменении положения варистора и дросселя изменилась выделяемая мощность. За счет чего это произошло?

Изменилась не мощность самого входного импульса, а перераспределение энергии импульса между компонентами входного фильтра и транзистором в схеме. При перемещении варистора и дифференциального фильтра напряжение импульса стало более эффективно «задавливаться». То есть, до транзистора доходит меньше напряжения импульса, и он вообще не переходит в режим лавинного пробоя (кроме импульса 2 кВ с выделяемой энергией 2 мДж, см. слайд 16 презентации).
Такой схемотехнический приём подойдёт для любых полевых транзисторов, не только для CoolMOS P7.

Дополнительные материалы

Презентации

• Презентация вебинара Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 
• Применение 800 В CoolMOS P7 в LED драйверах

Статьи

• Повышение производительности обратноходовых преобразователей с помощью нового семейства транзисторов 950 В CoolMOS P7 от Infineon
• Бесснабберный обратноходовой преобразователь на новых MOSFET 950 В от Infineon
• CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях
• 600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах
• 600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: особенности и преимущества новейших MOSFET
• Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!
• Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

Новости

• Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon
• CoolMOS™ P7 – новые 600V и 700V силовые MOSFET
• Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов
• CoolMOS P7 950V – новое семейство МОП-транзисторов от Infineon