Интеллектуальные силовые модули CIPOS™ Mini IPM. Техническое описание. Часть 1

28 июня

управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTCoolMOS™

Семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini производства Infineon ориентировано на получение минимальных габаритов и повышенной плотности мощности устройств преобразовательной техники. В них содержатся силовые транзисторы, драйверы управления, вспомогательные цепи – словом, все, что требуется для построения частотно-регулируемых электроприводов. Мы последовательно публикуем перевод подробного технического руководства Infineon для разработчиков силовой электроники, готовых применить CIPOSTM Mini в своих проектах.

Компания Infineon производит силовые модули, в которых интегрированы силовые транзисторы, драйверы управления и вспомогательные цепи (диоды для организации бутстрепного питания, термодатчик и другие компоненты) под торговой маркой CIPOS (по первым буквам наименования «Control Integrated PОwer System». В документе «Application Note AN2016-10» в редакции 2.41 от 31 января 2018 года описывается одно из семейств модулей – CIPOSTM Mini IPM, и приводятся основные технические требования, выполнение которых требуется для их правильного применения. Это касается как компонентов, интегрированных в модуль (IGBT, MOSFET, микросхемы драйверов затворов), так и необходимых внешних цепей (основного и бутстрепного питания, управления, диагностики, защиты).

Целевая аудитория этого технического описания – разработчики устройств силовой электроники и преобразовательной техники, применяющие модули CIPOSTM Mini и желающие, чтобы они работали эффективно и беспроблемно.

Общий обзор: применение, номенклатура и система обозначений

Применение интегральных силовых модулей, объединяющих в одном корпусе силовые транзисторы, драйверы управления и вспомогательные цепи, упрощает проектирование устройств силовой электроники, сокращает время вывода изделия на рынок и улучшает его технико-экономические характеристики. Новое семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini ориентировано на получение минимальных габаритов и повышенной плотности мощности устройств преобразовательной техники. Модули имеют в своем составе практически все полупроводниковые компоненты, требуемые для построения частотно-регулируемых электроприводов. Большинство моделей семейства выполнено по трехфазной мостовой схеме с использованием фирменных микросхем драйверов и оригинальных семейств силовых транзисторов RC-IGBT, TRENCHSTOPTM IGBT и CoolMOSTM CFD2 Power MOSFET, разработанных и выпускаемых компанией Infineon. Кроме того, имеется одна модель (использующая CoolMOSTM CFD2 Power MOSFET), выполненная по схеме однофазного моста.

Полный список моделей силовых модулей семейства CIPOSTM Mini, на которые распространяется данная техническая документация: IKCM30F60xx, IKCM20L60xx, IKCM15L60xx, IKCM10L60xA, IKCM15H60xA, IKCM10H60xA, IGCM20F60xA, IGCM15F60xA, IGCM10F60xA, IGCM06F60xA, IGCM04F60xA, IGCM06G60xA, IGCM04G60xA и IM51x-L6x.

На рисунках 1а и 1б вышеописанная система обозначений силовых модулей семейства CIPOSTM Mini представлена наглядно.

Рис. 1. Система обозначений силовых модулей семейства CIPOSTM Mini IPM с ключами на основе: а) IGBT; б) CoolMOSTM CFD2 Power MOSFET

Рис. 1. Система обозначений силовых модулей семейства CIPOSTM Mini IPM с ключами на основе: а) IGBT; б) CoolMOSTM CFD2 Power MOSFET

Целевая область применения семейства интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini – частотно-регулируемые электроприводы в составе различной бытовой техники: кондиционеров, стиральных машин, холодильников, посудомоечных машинах и так далее.

В таблице 1 представлены основные электрические классификационные параметры силовых модулей семейства CIPOSTM Mini, особенности их топологии и характерные сферы применения.

Таблица 1. Модули семейства CIPOSTM Mini

Наименование Номинальные параметры Схема инвертера Целевые области применения
Ток, А Напряжение, В
IKCM30F60xx 30 600 Трехфазный мост. Раздельные выводы эмиттеров нижних IGBT. Кондиционеры, вентиляторы, насосы
IKCM20L60xx 20
IKCM15L60xx 15
IKCM10L60xA 10
IKCM15H60xA 15 Стиральные машины, сушильные машины
IKCM10H60xA 10
IGCM20F60xA 20 600
IGCM15F60xA 15
IGCM10F60xA 10
IGCM06F60xA 6 Холодильники, посудомоечные машины, вентиляторы, насосы
IGCM04F60xA 4
IGCM06G60xA 6 600 Трехфазный мост. Объединенные выводы эмиттеров нижних IGBT.
IGCM04G60xA 4
IM512-L6x 10 600 Однофазный мост. Раздельные выводы истоков нижних CoolMOS. Холодильники
IM513-L6x 10 Трехфазный мост. Раздельные выводы истоков нижних CoolMOS.

Описание компонентов, применяемых в составе силовых модулей семейства CIPOSTM Mini IPM и конструкции корпуса модуля

Силовые транзисторные ключи

RC-IGBT и TRENCHSTOPTM IGBT

Infineon Technologies является одним из мировых лидеров и «законодателем мод» в создании высокоэффективных и надежных IGBT. Силовые транзисторы, выполненные по технологии Trench-FieldStop IGBT, впервые были выведены на рынок в 2004 году под торговой маркой TRENCHSTOPTM. Эта технология позволяет одновременно обеспечить малое падение напряжения на открытом ключе и небольшие коммутационные потери, а также хорошую повторяемость свойств в партиях транзисторов. В 2007 году представлены IGBT, у которых антипараллельные диоды интегрированы непосредственно в структуру транзистора – RC-IGBT [1]. Из многообразия конструктивно-технологических версий IGBT, имеющихся в номенклатуре Infineon Technologies, для применения в составе силовых модулей семейства CIPOSTM Mini адаптированы приборы, отличающиеся повышенной стойкостью к перегрузкам, высокой допустимой рабочей температурой и нормированной способностью выдерживать короткое замыкание в нагрузке. При этом целевой задачей оптимизации является достижение повышенного КПД модуля CIPOSTM Mini и наивысшей плотности мощности электропривода на его основе. Практически это обеспечивается минимизацией прямых падений напряжения на IGBT и антипараллельном диоде, а также динамических потерь при коммутации транзисторов и при обратном восстановлении диодов.

CoolMOSTM CFD2 Power MOSFET

Семейство 650-вольтовых MOSFET, изготовленных по технологии Super Junction под торговой маркой CoolMOSTM CFD2 – это второе поколение в линейке приборов CoolMOS Infineon с улучшенным быстродействием интегрированных диодов [8]. По сравнению с предыдущим семейством CoolMOSTM CFD, новые приборы семейства CFD2 имеют более высокое номинальное блокируемое напряжение (650 В вместо 600 В) и меньшие потери, что повышает КПД и надежность создаваемых приводов. При сравнении с конкурирующими силовыми модулями от других производителей, семейство CoolMOSTM CFD2 отличается значительно более мягким обратным восстановлением встроенных диодов и, соответственно, улучшенными параметрами электромагнитной совместимости.

Управляющая интегральная микросхема – шестиканальный драйвер затворов силовых ключей

Ключевой технологической особенностью микросхемы драйвера, используемой в составе модуля CIPOSTM Mini, является отделение активных областей микросхемы от подложки посредством заглубленного слоя оксида кремния. Это радикально уменьшает величины паразитных емкостей. Более того, изолирующий слой оксида блокирует возможные пути для токов утечки или токов тиристорного защелкивания между сопряженными частями схемы, находящимися под большой разностью потенциалов. Это также предотвращает эффект защелкивания даже в условиях коммутации силовых транзисторов с высокими скоростями переключения dV/dt при повышенной температуре, таким образом обеспечивая улучшенную стойкость. Кроме того, эта тонкопленочная технология «кремний-на-изоляторе» дает дополнительные преимущества в виде меньшей мощности потребления и повышенной стойкости к ионизирующей радиации или космическим лучам [2]. Микросхема драйвера имеет встроенные диодно-резистивные цепи бутcтрепного питания и аппаратные схемы формирования защитных интервалов времени (мертвого времени) при переключении силовых транзисторов в стойке. Интеграция драйверов для всех 6 силовых транзисторов в одной микросхеме обеспечивает такие преимущества как: малое рассогласование задержек распространения управляющих сигналов между разными каналами, предотвращение возможностей сквозной проводимости в стойке, выключение всех шести силовых транзисторов при обнаружении неисправности, например, просадки напряжения питания драйверов или протекания аварийного тока.

Термистор

В составе модуля CIPOSTM Mini опционально может быть установлен термистор. Термистор распаивается на печатную плату и подключается между выводами VFO и VSS модуля. Характеристики термистора приведены в таблице 2, а схема подключения термистора для защиты модуля от перегрева обсуждается в разделе «Защита от перегрева».

Таблица 2. Характеристики термистора, используемого в составе модуля CIPOSTM Mini IPM

Температура, °С Минимально возможное сопротивление, кОм Типовая величина сопротивления, кОм Максимально возможное сопротивление, кОм Возможная вариация сопротивления, %
-40 2662,292 2962,540 3262,789 10,1
-35 1925,308 2133,692 2342,076 9,8
-30 1407,191 1553,414 1699,637 9,4
-25 1038,949 1142,630 1246,312 9,1
-20 747,497 848,747 922,997 8,7
-15 582,690 636,369 690,048 8,4
-10 442,252 481,410 520,568 8,1
-5 338,491 367,303 396,114 7,8
0 261,164 282,537 303,910 7,6
5 203,056 219,036 235,016 7,3
10 159,044 171,081 183,118 7,0
15 125,454 134,586 143.717 6,8
20 99,630 106,605 113,580 6,5
25 79,638 85,000 90,362 6,3
30 64,055 68,203 72,352 6,1
35 51,831 55,059 58,287 5,9
40 42,182 44,708 47,235 5,7
45 34,520 36,508 38,496 5,4
50 28,400 29,972 31,545 5,2
55 23,485 24,735 25,985 5,1
60 19,517 20,515 21,514 4,9
65 16,296 17,097 17,898 4,7
70 13,670 14,315 14,960 4,5
75 11,517 12,039 12,561 4,3
80 9,745 10,169 10,593 4,2
85 8,279 8,625 8,971 4,0
90 7,062 7,345 7,628 3,9
95 6,046 6,279 6,511 3,7
100 5,199 5,388 5,576 3,5
105 4,468 4,640 4,811 3,7
110 3,856 4,009 4,163 3,8
115 3,338 3,477 3,615 4,0
120 2,900 3,024 3,149 4,1
125 2,527 2,639 2,751 4,2

Конструкция корпуса силового модуля

Силовые модули семейства CIPOSTM Mini IPM имеют наименьшие размеры корпуса в своем классе мощности, обеспечивая номинальное напряжение 600 В и номинальный ток коллектора до 30 А. Модуль содержит все необходимые полупроводниковые силовые компоненты, соединенные между собой в соответствии с электрической схемой и изолированные от внешнего радиатора. Маломощные компоненты модуля (микросхема драйвера и, опционально, термистор) распаяны на печатной плате. Размещение компонентов внутри модуля оптимизировано для уменьшения тепловых сопротивлений [3], снижения перегревов и повышения надежности и допустимой мощности нагрузки.

Есть два варианта корпуса модуля:

  • полностью изолированный со всех сторон компаундом, в том числе – и в зоне крепления модуля ко внешнему теплоотводящему радиатору;
  • с открытой (свободной от компаунда) обратной стороной печатной платы модуля, обеспечивающий улучшенный контакт с внешним теплоотводящим радиатором, так называемый «DCB» – Direct Copper Board.

Внешний вид модулей CIPOSTMMiniIPM в обоих вариантах корпуса показан на рисунке 2.

Рис. 2. Внешний вид модулей CIPOSTM Mini IPM: а) в корпусе Fullpack; б) в корпусе DCB

Рис. 2. Внешний вид модулей CIPOSTM Mini IPM: а) в корпусе Fullpack;
б) в корпусе DCB

Обзор модулей

Внутренняя электрическая схема и особенности

На рисунке 3 показаны возможные варианты внутренней электрической схемы модулей семейства CIPOSTM Mini IPM. Модули содержат трехфазный или, реже, однофазный мостовой инвертор на основе IGBT или MOSFET, а также интегральную микросхему драйвера с функциями управления. Особенности, достоинства и интегрированные функции модуля описаны ниже.
На рисунке а) показан трехфазный мостовой инвертор на IGBT с объединенными выводами эмиттеров нижних IGBT; на рисунке б) – трехфазный мостовой инвертор на IGBT с раздельными выводами эмиттеров нижних IGBT; на рисунке в) – однофазный мостовой инвертор на CoolMOS с раздельными выводами истоков нижних CoolMOS; на рисунке г) – трехфазный мостовой инвертор на CoolMOS с раздельными выводами истоков нижних CoolMOS.

Рис. 3. Внутренняя электрическая схема модулей семейства CIPOSTM Mini IPM

Рис. 3. Внутренняя электрическая схема модулей семейства CIPOSTM Mini IPM

открыть картинку в полном формате

Особенности модулей семейства CIPOSTM Mini IPM:

  • при номинальном блокируемом напряжении 600 В модули имеют рейтинг тока (номинальный ток коллектора) 4…30 А при неизменных габаритных размерах корпуса;
  • полностью изолированный (не требующий дополнительной электрической изоляции) корпус с двухрядным линейным расположение выводов (DIL);
  • для модулей IGCMxxx60xA в качестве силовых ключей применяются IGBT с монолитными антипараллельными диодами (RC-IGBT Infineon);
  • для модулей IKCMxxx60xx в качестве силовых ключей применяются TRENCHSTOPTM IGBT произсодства Infineon с дополнительными чипами антипараллельных диодов;
  • для модулей IM51x-L6A в качестве силовых ключей применяются Infineon CoolMOSTM CFD2;
  • стойкая к внешним воздействиям технология «кремний-на-изоляторе» обеспечивает устойчивость микросхемы драйвера затвора к выбросам напряжений на выводах микросхемы с амплитудами выше напряжения питания и ниже потенциала «общий»;
  • встроенные цепи для организации бутстрепного питания верхних каналов драйверов;
  • малое рассогласование задержек распространения управляющих сигналов между разными каналами. Аппаратные схемы формирования защитных интервалов (мертвого времени) при переключении транзисторов в стойке;
  • бессвинцовое покрытие выводов модуля, соответствующее требованиям директивы RoHS.

Функциональные возможности модулей семейства CIPOSTM Mini IPM:

  • выключение при обнаружении токовой перегрузки;
  • встроенный датчик температуры (опционально);
  • защита от понижения напряжения питания в любом из шести каналов драйверов затвора силовых транзисторов;
  • эмиттеры нижних силовых транзисторов инверторов имеют отдельные выводы для организации раздельного измерения тока в силовых цепях (в фазах электродвигателя);
  • предотвращение возможности протекания сквозных токов;
  • при срабатывании защиты одновременно выключаются все шесть силовых ключей инвертора;
  • для входных управляющих сигналов активным является высокий уровень.

Максимально допустимые электрические параметры модулей семейства CIPOSTMMiniIPM представлены в таблице 3.

Таблица 3. Детальное описание максимально допустимых параметров на примере модуля IGCM10F60xx

Характеристика Обозначение Значение Пояснение
Максимальное блокируемое напряжение, В UКЭ максдоп 600 Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером, выдерживаемое в закрытом состоянии
Выходной ток, А IК макс ±10 Допустимый длительный ток коллектора IGBT при Tкорп = 25°С
Температура перехода (чипа) силового ключа, °С TП -40…150 С учетом пульсаций температуры чипов IGBT максимальная температура перехода должна быть ≤ 150°С
Рабочий диапазон температур корпуса, °С Tкорп -40…125 Температура корпуса Tкорп определяется как температура на поверхности корпуса силового модуля в определенной его точке, согласно рисунку 4. Здесь должен быть установлен термодатчик, контролирующий Tкорп

Рис. 4. Места измерения температуры корпуса модулей семейства CIPOSTM Mini IPM

Рис. 4. Места измерения температуры корпуса модулей семейства CIPOSTM Mini IPM

Описание назначения выводов модулей семейства CIPOSTM Mini IPM представлено в таблице 4.

Таблица 4. Назначения выводов модулей семейства CIPOSTM Mini

Номер вывода Обозначение Описание
1 VS(U) Общий вывод (минус) питания верхнего канала драйвера в фазе «U»
2 VB(U) Бутстрепная цепь (плюс) питания верхнего канала драйвера в фазе «U»
3 VS(V) Общий вывод (минус) питания верхнего канала драйвера в фазе «V»
4 VB(V) Бутстрепная цепь (плюс) питания верхнего канала драйвера в фазе «V»
5 VS(W) Общий вывод (минус) питания верхнего канала драйвера в фазе «W» (не используется для IM512-L6A)
6 VB(W) Бутстрепная цепь (плюс) питания верхнего канала драйвера в фазе «W» (не используется для IM512-L6A)
7 HIN(U) Логический вход управления верхним каналом драйвера в фазе «U»
8 HIN(V) Логический вход управления верхним каналом драйвера в фазе «V»
9 HIN(W) Логический вход управления верхним каналом драйвера в фазе «W»
10 LIN(U) Логический вход управления нижним каналом драйвера в фазе «U»
11 LIN(V) Логический вход управления нижним каналом драйвера в фазе «V»
12 LIN(W) Логический вход управления нижним каналом драйвера в фазе «W»
13 VDD Напряжение питания входной логики и нижних каналов драйверов
14 VFO Выход сигнала «Неисправность» и сигнала термистора
15 ITRIP Вход для сигнала тока (контроль токовой перегрузки)
16 VSS Общий вывод (минус) для входной логики и нижних каналов драйверов
17 NW Вывод эмиттера нижнего ключа в фазе «W» (объединен с выводами 18 и 19 для модулей IGCMxxG60xA; не используется для IM512-L6A)
18 NV Вывод эмиттера нижнего ключа в фазе «V» (объединен с выводами 17 и 19 для модулей IGCMxxG60xA)
19 NU Вывод эмиттера нижнего ключа в фазе «U» (объединен с выводами 17 и 18 для модулей IGCMxxG60xA)
20 W Силовой вывод фазы «W» (не используется для IM512-L6A)
21 V Силовой вывод фазы «V»
22 U Силовой вывод фазы «U»
23 P Плюс шины силового питания привода
24 NC Не используется

Назначение выводов модулей по группам их функционального назначения

  • Выводы модулей для питания драйверов верхних силовых транзисторов – это пары выводов: VB(U)-VS(U), VB(V)-VS(V) и VB(W)-VS(W). При использовании принципа бутстрепного питания драйверов верхних силовых транзисторов исключается необходимость применения дополнительных изолированных источников питания. Каждый бутстрепный конденсатор заряжается от напряжения VDD во время проводящего состояния нижнего силового транзистора или протекания тока нагрузки через антипараллельный диод. Для корректной работы схемы бутстрепного питания необходимо использовать высококачественные конденсаторы (с небольшой паразитной индуктивностью и малым эквивалентным последовательным сопротивлением) и устанавливать их в непосредственной близости от соответствующих выводов силового модуля.
  • Вывод питания логики и драйверов нижних силовых транзисторов, или VDD, используется для питания микросхемы драйвера. Для корректной работы схемы питания необходимо использовать высококачественный конденсатор (с небольшой паразитной индуктивностью и малым эквивалентным последовательным сопротивлением), подключаемый в непосредственной близости от соответствующих выводов силового модуля.
  • Вывод минуса питания (общий провод) логики и драйверов нижних силовых транзисторов, или VSS, подсоединяется внутри модуля к минусу питания микросхемы драйвера.
  • Выводы входных сигналов управления – это выводы HIN(U), HIN(V), HIN(W), LIN(U), LIN(V) и LIN(W). Они предназначены для управления соответствующими силовыми транзисторами инвертора. Управление производится напряжениями на этих выводах (относительно вывода VSS), подаваемыми на входы триггеров Шмитта с питанием 5 В. Активным является высокий уровень напряжения. Для предотвращения непреднамеренных переключений силовых транзисторов, вызванных внешними помехами и наводками, рекомендуется выполнять цепи, подключаемые к выводам входных сигналов управления, как можно более короткими проводами. Более того, рекомендуется применение RC-фильтров, устанавливаемых в непосредственной близости от соответствующих выводов модуля, как показано на рисунке 7 (см. Часть 2).
  • Вывод детектирования перегрузки по току – это вывод ITRIP (напряжение измеряется относительно вывода VSS). Для измерения тока, протекающего в силовой цепи инвертора, должен быть установлен низкоомный резистор (шунт) между эмиттером нижнего силового транзистора (выводы NU, NV, NW) и силовым минусом питания, как показано на рисунке 9 (см. Часть 2). Для исключения ложных срабатываний следует минимизировать длину проводников между шунтом и входом ITRIP, а также включить RC-фильтр непосредственно на выводах силового модуля. Компаратор защиты от токовой перегрузки, встроенный в микросхему драйвера, срабатывает, когда напряжение на выводе ITRIP относительно вывода VSS становится больше 470 мВ. Величину сопротивления шунта следует выбирать с учетом этого порога срабатывания компаратора и желаемого уровня аварийной токовой защиты. При срабатывании компаратора на выводе VFO силового модуля устанавливается низкий логический уровень.
  • Вывод модуля для выхода сигнала «Неисправность», а также для контроля температуры – это вывод VFO. Низкий уровень, который устанавливает схема управления силовым модулем CIPOSTM Mini на этом выводе, служит сигналом для внешней схемы о том, что имеется некоторая неисправность. В частности, этот сигнал генерируется при обнаружении токовой перегрузки или при недостаточном (слишком низком) напряжении питания логической части ИМС и нижних каналов драйверов. Со стороны силового модуля вывод VFO имеет схему с открытым стоком, поэтому он должен иметь подтяжку к плюсу питания внешней логики (обычно это шина с напряжением питания +5 или +3,3 В). Величина сопротивления подтяжки выбирается по соображениям удобства контроля сопротивления термистора, встроенного в модуль между выводами VFO и VSS. Рекомендуется, чтобы при пороговой температуре срабатывания защиты напряжение на выводе VFO составляло около 60% от напряжения питания внешней логики.
  • Вывод модуля для подключения «+» шины силового питания – это вывод Р. Внутри модуля он подключается к коллекторам верхних IGBT. Для подавления выбросов напряжения на выводе «Р» при переключениях силовых транзисторов, вызываемых паразитными индуктивностями проводов шины силового питания и печатных проводников платы, вблизи модуля следует установить высокочастотный фильтрующий (как правило – металлопленочный) конденсатор.
  • Выводы модуля для подключения «-» шины силового питания – это выводы NU, NV и NW (для модулей IGCMxxG60zA это объединенный вывод «N», у модуля IM512-L6A вывод NW отсутствует). Внутри модуля они соединяются с эмиттерами нижних IGBT. На печатной плате эти выводы модуля подключаются к «-» шины силового питания через резисторы – датчики тока.
  • Выводы модуля для выходов инвертора – выводы U, V и W (у модуля IM512-L6A вывод W отсутствует). Они используются для подключения нагрузки, например, фаз электродвигателя.

На рисунке 5 представлен габаритный чертеж силового модуля CIPOSTM Mini в корпусе Fullpack, то есть полностью изолированный эпоксидным компаундом. На рисунке 6 показан габаритный чертеж модуля в корпусе с улучшенной теплопередачей от силовых чипов модуля на радиатор DCB.

Рис. 5. Габаритный чертеж силового модуля CIPOSTM Mini в корпусе Fullpack

Рис. 5. Габаритный чертеж силового модуля CIPOSTM Mini в корпусе Fullpack

Рис. 6. Габаритный чертеж силового модуля в корпусе DCB с улучшенной теплопередачей от силовых чипов модуля на радиатор

Рис. 6. Габаритный чертеж силового модуля в корпусе DCB с улучшенной теплопередачей от силовых чипов модуля на радиатор

Оригинал статьи

Список всех опубликованных глав

    1. Интеллектуальные силовые модули CIPOS™ Mini IPM. Техническое описание. Часть 1
    2. Интеллектуальные силовые модули CIPOS™ Mini IPM. Техническое описание. Часть 2
    3. Интеллектуальные силовые модули CIPOS™ Mini IPM. Техническое описание. Часть 3

Перевели Алексей и Сергей Поповы по заказу АО КОМПЭЛ

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IKCM30F60GAXKMA1 (INFIN)
IKCM20L60GAXKMA1 (INFIN)
IKCM15L60GAXKMA1 (INFIN)
IKCM10L60GAXKMA1 (INFIN)
IKCM10H60GAXKMA1 (INFIN)
IKCM15H60GAXKMA1 (INFIN)
IKCM15H60HAXKMA1 (INFIN)
IKCM15H60HAXXMA1 (INFIN)
IGCM06F60GAXKMA1 (INFIN)
IGCM10F60GAXKMA1 (INFIN)
IGCM06F60HAXKMA1 (INFIN)
IGCM15F60HAXKMA1 (INFIN)
IGCM06G60HAXKMA1 (INFIN)
IGCM04G60GAXKMA1 (INFIN)
IGCM04G60HAXKMA1 (INFIN)
IGCM06G60GAXKMA1 (INFIN)