Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухконтактном корпусе TO-247

11 декабря 2019

управление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Новые диоды Шоттки линейки CoolSiC от компании Infineon выполнены в двухконтактном корпусе TO-247, что позволяет быстро заменить ими традиционные биполярные кремниевые диоды. Увеличенный путь утечки по поверхности изолятора (8,7 мм), а также наличие воздушного зазора обеспечивают дополнительную безопасность в системах с высоким уровнем загрязнения.

Использование данных диодов в сочетании с кремниевыми IGBT или super-junction MOSFET в импульсных выпрямителях или ККМ способно повысить КПД системы на величину до 1% по сравнению с системой на традиционных кремниевых диодах.

Особенности:

  • Отсутствие тока обратного восстановления;
  • Не зависящие от температуры потери на переключение;
  • Низкое значение прямого напряжения (в том числе, при высокой рабочей температуре);
  • Высокий импульсный ток;
  • Двухконтактный корпус с длиной пути утечки 8,7 мм и воздушным зазором;
  • Повышение КПД по сравнению с кремневыми диодами.

Применение:

  • Системы зарядки электромобилей;
  • Сварочные аппараты;
  • Системы преобразования солнечной энергии;
  • Управление двигателем;
  • Системы бесперебойного питания;
  • Промышленные импульсные источники питания.

Пример использования 1200 В CoolSiC G5 диодов Шоттки в схеме зарядного устройства для электротранспорта

Наименование Id @ 156°C Корпус
IDWD10G120C5XKSA1 10 A PG-TO247-2
IDWD15G120C5XKSA1 15 A PG-TO247-2
IDWD20G120C5XKSA1 20 A PG-TO247-2
IDWD30G120C5XKSA1 30 A PG-TO247-2
IDWD40G120C5XKSA1 40 A PG-TO247-2

 

Дополнительные материалы

  1. Особенности построения зарядных устройств мощностью 350 кВт на транзисторных модулях Infineon
  2. О быстрой зарядке аккумуляторов электромобилей
  3. Массовое распространение карбид-кремниевых МОП-транзисторов SiC
  4. Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET
  5. CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов
  6. Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях
  7. 1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B
  8. CoolSiC™: новая революция в области MOSFET
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IDWD10G120C5 (INFIN)
IDWD10G120C5XKSA1 (INFIN)
IDWD15G120C5 (INFIN)
IDWD15G120C5XKSA1 (INFIN)
IDWD20G120C5XKSA1 (INFIN)
IDWD20G120C5 (INFIN)
IDWD30G120C5 (INFIN)
IDWD30G120C5XKSA1 (INFIN)
IDWD40G120C5XKSA1 (INFIN)
IDWD40G120C5 (INFIN)