Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

23 января

управление питаниемуправление двигателемInfineonновость

Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

Особенности:

  • Низкие потери при переключении;
  • Беспороговая характеристика;
  • Широкий диапазон напряжений «затвор-исток»;
  • Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
  • Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
  • Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
  • Потери при переключении не зависят от температуры;
  • Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.

Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

Применение:

  • Системы преобразования солнечной энергии;
  • Системы зарядки электромобилей;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Блоки питания;
  • Управление двигателем.

Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

 Корпус TO247-3 Корпус TO247-4
IMW120R030M1H IMZ120R030M1H
IMW120R045M1 IMZ120R045M1  
IMW120R060M1H   IMZ120R060M1H  
IMW120R090M1H IMZ120R090M1H
IMW120R140M1H IMZ120R140M1H
IMW120R220M1H IMZ120R220M1H
IMW120R350M1H IMZ120R350M1H
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IMW120R030M1HXKSA1 (INFIN)
IMW120R045M1XKSA1 (INFIN)
IMW120R060M1HXKSA1 (INFIN)
IMW120R140M1HXKSA1 (INFIN)
IMW120R220M1HXKSA1 (INFIN)
IMW120R350M1HXKSA1 (INFIN)