Каждому ключу — свой драйвер (материалы вебинара)

24 июля

телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеInfineonвебинаринтегральные микросхемы

Мероприятие прошло 13.08.2020

Программа

показатьсвернуть
Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, который будет посвящен теме драйверов управления транзисторами компании Infineon. Мы рассмотрим четыре различных технологии изготовления микросхем драйверов, в чём их отличия и особенности. Драйвер – критически важный компонент для любого источника питания, и компания Infineon обладает необходимыми компетенциями в этом вопросе.Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники.

Содержание

    • Основные разновидности драйверов;
    • Сравнение технологий драйверов;
  • Преимущества технологии SOI;
  • Новинки драйверов управления Infineon.

Общая информация

Начало: 13 августа 2020 г. в 11:00 (МСК)
Продолжительность: 60 минут
Форма участия: бесплатно
Добавить в календарь: Google, iCal

Докладчик

Подколзин Антон  Антон Подколзин — инженер по применению в области управления питанием в компании Компэл.

Опыт разработки маломощных источников питания и портативных устройств более 3-х лет.

Видео

Презентация

Вопросы и ответы

Что такое серии CoolSiC и CoolGaN и как их применять?
Серия силовых компонентов CoolSiC — это семейство карбид-кремниевых полевых транзисторов.
На текущий момент они выпускаются на напряжение 650, 1200 и 1700 В. Серия силовых компонентов CoolGaN — это семейство галлий-нитридных транзисторов. На текущий момент они охватывают диапазон напряжений 100-600 В.
Обе серии служат для построения источников питания с высоким КПД, работающими на очень высоких частотах 200-1000 кГц.
Попадалась ли информация, что для SiC MOSFET подают отрицательное запирающее напряжение. Известно зачем? Чем отличаются драйвера для SiC и Si MOSFET?
SiC транзисторы серии CoolSiC на 650 В могут управляться только положительным напряжением. Рекомендация производителя Infineon по диапазону напряжений затвора 0…18 В. Вообще, отрицательное запирающее напряжение необходимо для того, чтобы избежать ложного срабатывания SiC MOSFET не в свою фазу из-за быстрых скоростей включения/выключения и влияния паразитной ёмкости Миллера.
Какие практические приемы при проектировании драйверов SiС транзисторов Вы порекомендуете?
Вопрос управления SiC транзисторов — критически важный. Прежде чем начать работать с ними, мы рекомендуем ознакомиться со статьёй, посвящённой вопросам управления SiC транзисторами. Статью можно найти на сайте www.compel.ru, она называется «Как управлять SiC-транзистором».
Каково различие в управлении и применении драйверов для ключей SiC MOSFET, GaN, IGBT?
Кремниевые (Si) и карбид-кремниевые (SiC) MOSFET управляются максимально похожим образом. Галлий-нитридные транзисторы (GaN) требуют для управления специальные микросхемы драйверов, т.к. это приборы, которые имеют другу полупроводниковую структуру, в сравнении с кремниевой. GaN транзисторы управляются током в 5-10 мА, пороговое напряжение открытия составляет всего 0.9 В.
IGBT, в свою очередь, управляются похожим образом, как и кремниевые полевые транзисторы. Отличие заключается в разных динамических параметрах (IGBT более медленные приборы).
IGBT применяются в устройствах с большими перегрузками по току: промышленный электропривод, сварочные аппараты и т.п.
SiC и GaN транзисторы применяются в источниках питания с высоким КПД, например, для телекоммуникаций.
Прошу рассмотреть особенности подзарядки емкости бутстрепного конденсатора в топологии «косой мост».
В этом случае предлагаем рассмотреть вариант изолированного драйвера 2EDx с 2 независимыми каналами. Эта серия драйверов является гальванически изолированной с двумя независимыми друг от друга выходных каналами. Драйверы реализованы по технологии бессердечникового трансформатора.
Каковы частотные характеристики современных драйверов. Существуют ли гальванически изолированные драйвера?
Частотные характеристики драйверов определяются максимальной частотой коммутации и допустимыми потерями при этой частоте. Современные микросхемы драйверов могут работать при частотах свыше 200 кГц.
У компании Infineon существуют гальванически изолированные драйверы. Предлагаем ознакомиться с драйверами серии 2EDSx/2EDFx.
Есть ли решения для элементов Пельтье?
К сожалению, таких решений нет.
Выбор резистора в цепи затвора при использовании драйвера (необходимость, номинал и мощность). Необходимость подтягивающего резистора (затвор-земля).
Про выбор резистора есть довольно много полезной информации в статье «Как управлять SiC-транзистором».
Почему у рассматриваемых драйверов нет защиты от насыщения транзистора?
Дело в том, что защита от насыщения используется, в первую очередь, для защиты IGBT транзисторов в промышленных применениях на 1200 В. Если рассмотреть, например, изолированные одноканальные драйверы 1ED020I12-F2, то у них есть как защита от насыщения (Desaturation), так и защёлка Миллера (Active Miller Clamp).

Дополнительные материалы

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
2ED2106S06FXUMA1 (INFIN)
2ED2108S06FXUMA1 (INFIN)
2ED2109S06FXUMA1 (INFIN)
2ED2181S06FXUMA1 (INFIN)
2ED2304S06FXUMA1 (INFIN)
6ED2230S12TXUMA1 (INFIN)
6ED003L02F2XUMA1 (INFIN)
6ED003L06F2XUMA1 (INFIN)
6EDL04I06NTXUMA1 (INFIN)
6EDL04I06PTXUMA1 (INFIN)