Каждому ключу — свой драйвер (материалы вебинара)

24 июля 2020

Мероприятие прошло 13.08.2020

Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, который будет посвящен теме драйверов управления транзисторами компании Infineon. Мы рассмотрим четыре различных технологии изготовления микросхем драйверов, в чём их отличия и особенности. Драйвер – критически важный компонент для любого источника питания, и компания Infineon обладает необходимыми компетенциями в этом вопросе.Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники.

Содержание

• • Основные разновидности драйверов;
  • Сравнение технологий драйверов;

• Преимущества технологии SOI;
• Новинки драйверов управления Infineon.

Общая информация

Начало: 13 августа 2020 г. в 11:00 (МСК)
Продолжительность: 60 минут
Форма участия: бесплатно
Добавить в календарь: Google, iCal

Докладчик

Антон Подколзин — инженер по применению в области управления питанием в компании Компэл. Опыт разработки маломощных источников питания и портативных устройств более 3-х лет.

Видео

Презентация

• Презентация к вебинару «Каждому ключу – свой драйвер»

Вопросы и ответы

Что такое серии CoolSiC и CoolGaN и как их применять?

Серия силовых компонентов CoolSiC — это семейство карбид-кремниевых полевых транзисторов.
На текущий момент они выпускаются на напряжение 650, 1200 и 1700 В. Серия силовых компонентов CoolGaN — это семейство галлий-нитридных транзисторов. На текущий момент они охватывают диапазон напряжений 100-600 В.
Обе серии служат для построения источников питания с высоким КПД, работающими на очень высоких частотах 200-1000 кГц.

Попадалась ли информация, что для SiC MOSFET подают отрицательное запирающее напряжение. Известно зачем? Чем отличаются драйвера для SiC и Si MOSFET?

SiC транзисторы серии CoolSiC на 650 В могут управляться только положительным напряжением. Рекомендация производителя Infineon по диапазону напряжений затвора 0…18 В. Вообще, отрицательное запирающее напряжение необходимо для того, чтобы избежать ложного срабатывания SiC MOSFET не в свою фазу из-за быстрых скоростей включения/выключения и влияния паразитной ёмкости Миллера.

Какие практические приемы при проектировании драйверов SiС транзисторов Вы порекомендуете?

Вопрос управления SiC транзисторов — критически важный. Прежде чем начать работать с ними, мы рекомендуем ознакомиться со статьёй, посвящённой вопросам управления SiC транзисторами. Статью можно найти на сайте www.compel.ru, она называется «Как управлять SiC-транзистором».

Каково различие в управлении и применении драйверов для ключей SiC MOSFET, GaN, IGBT?

Кремниевые (Si) и карбид-кремниевые (SiC) MOSFET управляются максимально похожим образом. Галлий-нитридные транзисторы (GaN) требуют для управления специальные микросхемы драйверов, т.к. это приборы, которые имеют другу полупроводниковую структуру, в сравнении с кремниевой. GaN транзисторы управляются током в 5-10 мА, пороговое напряжение открытия составляет всего 0.9 В.
IGBT, в свою очередь, управляются похожим образом, как и кремниевые полевые транзисторы. Отличие заключается в разных динамических параметрах (IGBT более медленные приборы).
IGBT применяются в устройствах с большими перегрузками по току: промышленный электропривод, сварочные аппараты и т.п.
SiC и GaN транзисторы применяются в источниках питания с высоким КПД, например, для телекоммуникаций.

Прошу рассмотреть особенности подзарядки емкости бутстрепного конденсатора в топологии «косой мост».

В этом случае предлагаем рассмотреть вариант изолированного драйвера 2EDx с 2 независимыми каналами. Эта серия драйверов является гальванически изолированной с двумя независимыми друг от друга выходных каналами. Драйверы реализованы по технологии бессердечникового трансформатора.

Каковы частотные характеристики современных драйверов. Существуют ли гальванически изолированные драйвера?

Частотные характеристики драйверов определяются максимальной частотой коммутации и допустимыми потерями при этой частоте. Современные микросхемы драйверов могут работать при частотах свыше 200 кГц.
У компании Infineon существуют гальванически изолированные драйверы. Предлагаем ознакомиться с драйверами серии 2EDSx/2EDFx.

Есть ли решения для элементов Пельтье?

К сожалению, таких решений нет.

Выбор резистора в цепи затвора при использовании драйвера (необходимость, номинал и мощность). Необходимость подтягивающего резистора (затвор-земля).

Про выбор резистора есть довольно много полезной информации в статье «Как управлять SiC-транзистором».

Почему у рассматриваемых драйверов нет защиты от насыщения транзистора?

Дело в том, что защита от насыщения используется, в первую очередь, для защиты IGBT транзисторов в промышленных применениях на 1200 В. Если рассмотреть, например, изолированные одноканальные драйверы 1ED020I12-F2, то у них есть как защита от насыщения (Desaturation), так и защёлка Миллера (Active Miller Clamp).

Дополнительные материалы

• Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания
• Обзор линейки драйверов затвора компании Infineon 
• Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора
• Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов
• Как управлять SiС-транзистором
• Каждой топологии – своя технология. Часть 1 
• Каждой топологии — своя технология. Часть 2