Каждому ключу — свой драйвер (материалы вебинара)

24 июля 2020

телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеInfineonвебинаринтегральные микросхемы

Мероприятие прошло 13.08.2020

Программа

показатьсвернуть
Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, который будет посвящен теме драйверов управления транзисторами компании Infineon. Мы рассмотрим четыре различных технологии изготовления микросхем драйверов, в чём их отличия и особенности. Драйвер – критически важный компонент для любого источника питания, и компания Infineon обладает необходимыми компетенциями в этом вопросе.Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники.

Содержание

    • Основные разновидности драйверов;
    • Сравнение технологий драйверов;
  • Преимущества технологии SOI;
  • Новинки драйверов управления Infineon.

Общая информация

Начало: 13 августа 2020 г. в 11:00 (МСК)
Продолжительность: 60 минут
Форма участия: бесплатно
Добавить в календарь: Google, iCal

Докладчик

Подколзин Антон  Антон Подколзин — инженер по применению в области управления питанием в компании Компэл.

Опыт разработки маломощных источников питания и портативных устройств более 3-х лет.

Видео

Презентация

Вопросы и ответы

Что такое серии CoolSiC и CoolGaN и как их применять?
Серия силовых компонентов CoolSiC — это семейство карбид-кремниевых полевых транзисторов.
На текущий момент они выпускаются на напряжение 650, 1200 и 1700 В. Серия силовых компонентов CoolGaN — это семейство галлий-нитридных транзисторов. На текущий момент они охватывают диапазон напряжений 100-600 В.
Обе серии служат для построения источников питания с высоким КПД, работающими на очень высоких частотах 200-1000 кГц.
Попадалась ли информация, что для SiC MOSFET подают отрицательное запирающее напряжение. Известно зачем? Чем отличаются драйвера для SiC и Si MOSFET?
SiC транзисторы серии CoolSiC на 650 В могут управляться только положительным напряжением. Рекомендация производителя Infineon по диапазону напряжений затвора 0…18 В. Вообще, отрицательное запирающее напряжение необходимо для того, чтобы избежать ложного срабатывания SiC MOSFET не в свою фазу из-за быстрых скоростей включения/выключения и влияния паразитной ёмкости Миллера.
Какие практические приемы при проектировании драйверов SiС транзисторов Вы порекомендуете?
Вопрос управления SiC транзисторов — критически важный. Прежде чем начать работать с ними, мы рекомендуем ознакомиться со статьёй, посвящённой вопросам управления SiC транзисторами. Статью можно найти на сайте www.compel.ru, она называется «Как управлять SiC-транзистором».
Каково различие в управлении и применении драйверов для ключей SiC MOSFET, GaN, IGBT?
Кремниевые (Si) и карбид-кремниевые (SiC) MOSFET управляются максимально похожим образом. Галлий-нитридные транзисторы (GaN) требуют для управления специальные микросхемы драйверов, т.к. это приборы, которые имеют другу полупроводниковую структуру, в сравнении с кремниевой. GaN транзисторы управляются током в 5-10 мА, пороговое напряжение открытия составляет всего 0.9 В.
IGBT, в свою очередь, управляются похожим образом, как и кремниевые полевые транзисторы. Отличие заключается в разных динамических параметрах (IGBT более медленные приборы).
IGBT применяются в устройствах с большими перегрузками по току: промышленный электропривод, сварочные аппараты и т.п.
SiC и GaN транзисторы применяются в источниках питания с высоким КПД, например, для телекоммуникаций.
Прошу рассмотреть особенности подзарядки емкости бутстрепного конденсатора в топологии «косой мост».
В этом случае предлагаем рассмотреть вариант изолированного драйвера 2EDx с 2 независимыми каналами. Эта серия драйверов является гальванически изолированной с двумя независимыми друг от друга выходных каналами. Драйверы реализованы по технологии бессердечникового трансформатора.
Каковы частотные характеристики современных драйверов. Существуют ли гальванически изолированные драйвера?
Частотные характеристики драйверов определяются максимальной частотой коммутации и допустимыми потерями при этой частоте. Современные микросхемы драйверов могут работать при частотах свыше 200 кГц.
У компании Infineon существуют гальванически изолированные драйверы. Предлагаем ознакомиться с драйверами серии 2EDSx/2EDFx.
Есть ли решения для элементов Пельтье?
К сожалению, таких решений нет.
Выбор резистора в цепи затвора при использовании драйвера (необходимость, номинал и мощность). Необходимость подтягивающего резистора (затвор-земля).
Про выбор резистора есть довольно много полезной информации в статье «Как управлять SiC-транзистором».
Почему у рассматриваемых драйверов нет защиты от насыщения транзистора?
Дело в том, что защита от насыщения используется, в первую очередь, для защиты IGBT транзисторов в промышленных применениях на 1200 В. Если рассмотреть, например, изолированные одноканальные драйверы 1ED020I12-F2, то у них есть как защита от насыщения (Desaturation), так и защёлка Миллера (Active Miller Clamp).

Дополнительные материалы

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт. В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню р ...читать далее

Товары
Наименование
2ED21064S06JXUMA1 (INFIN)
2ED2108S06FXUMA1 (INFIN)
2ED21094S06JXUMA1 (INFIN)
2ED21834S06JXUMA1 (INFIN)
2ED2304S06FXUMA1 (INFIN)
6ED2230S12TXUMA1 (INFIN)
6ED003L02F2XUMA1 (INFIN)
6ED003L06F2XUMA1 (INFIN)
6EDL04I06NTXUMA1 (INFIN)
6EDL04I06PTXUMA1 (INFIN)