Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!
10 сентября 2020
Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению.
Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon!
Полезные материалы для будущих экспертов по управлению современными силовыми транзисторами:
- Обзор линейки драйверов затвора компании Infineon;
- Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора;
- Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon;
- Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания;
- Как управлять SiС-транзистором;
- Каждой топологии – своя технология. Часть 1;
- Каждой топологии – своя технология. Часть 2.
Вебинар «Каждому ключу – свой драйвер», посвященный технологиям драйверов управления затворов от Infineon.
Кратко – о новинках Infineon:
- Новые драйверы 1EDx20x линейки EiceDRIVER с усиленной изоляцией и динамическим управлением скоростью нарастания;
- 2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER;
- 1ED44175N01B – новый одноканальный драйвер MOSFET и IGBT со встроенной защитой от перегрузки по току;
- Новые MOSFET-транзисторы линейки CoolMOS P7 600 В в корпусе TO-247;
- Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания;
- IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon;
- Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в 2-выводном корпусе D2PAK.
Наши информационные каналы