Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

10 сентября

Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению.

Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon!

Полезные материалы для будущих экспертов по управлению современными силовыми транзисторами:

• Обзор линейки драйверов затвора компании Infineon;
• Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора;
• Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon;
• Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания;
• Как управлять SiС-транзистором;
• Каждой топологии – своя технология. Часть 1;
• Каждой топологии – своя технология. Часть 2.

Вебинар «Каждому ключу – свой драйвер», посвященный технологиям драйверов управления затворов от Infineon.

Кратко – о новинках Infineon:

• Новые драйверы 1EDx20x линейки EiceDRIVER с усиленной изоляцией и динамическим управлением скоростью нарастания;
• 2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER;
• 1ED44175N01B – новый одноканальный драйвер MOSFET и IGBT со встроенной защитой от перегрузки по току;
• Новые MOSFET-транзисторы линейки CoolMOS P7 600 В в корпусе TO-247;
• Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания;
• IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon;
• Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в 2-выводном корпусе D2PAK.