Новые MOSFET с логическим уровнем 120 В в корпусе SuperSO8

18 сентября

телекоммуникациипотребительская электроникауниверсальное применениеInfineonновостьдискретные полупроводники

Компания Infineon дополнила семейство транзисторов OptiMOS тремя новыми компонентами в компактном корпусе SuperSO8, работающими с логическим уровнем 120 В. Новые MOSFET имеют низкий заряд затвора, что снижает коммутационные потери и позволяет работать на высоких частотах переключения. Низкое напряжение затвора транзисторов позволяет управлять ими напрямую с микроконтроллера без использования дополнительных микросхем. Новые MOSFET прекрасно подходят для применения в зарядных устройствах, адаптерах питания и телекоммуникационном оборудовании.

Особенности:

  • Низкое сопротивление «сток-исток» открытого канала (RDS(on));
  • Компактный корпус SuperSO8 (PG-TDSON-8);
  • Логический уровень 120 В;
  • Низкий заряд затвора, низкие коммутационные потери;
  • Низкое напряжение затвора, возможность работы напрямую от микроконтроллера.

Области применения:

  • Зарядные устройства;
  • Адаптеры питания;
  • Телекоммуникационное оборудование.

Примеры использования MOSFET OptiMOS 3

Примеры использования MOSFET OptiMOS 3

Наименование Id @ 100°С RDS(on),max@ 25°C Корпус
BSC080N12LSGATMA1 77 А 8 мОм PG-TDSON-8
BSC120N12LSGATMA1 53 А 12 мОм PG-TDSON-8
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
BSC080N12LSGATMA1 (INFIN)
BSC120N12LSGATMA1 (INFIN)