MOSFET CoolSiC на 1700 В в корпусе D2PAK-7L – новое решение для высоковольтных вспомогательных ИП

24 сентября

автомобильная электроникауправление двигателемпотребительская электроникаавтоматизацияуниверсальное применениеInfineonновостьдискретные полупроводники

Компания Infineon представила новую линейку транзисторов на основе карбида кремния (SiC), входящих в семейство CoolSiC. Новые MOSFET имеют рабочее напряжение 1700 В и оптимизированы для работы во вспомогательных источниках питания.

Благодаря высокому значению напряжения «сток-исток» устраняются конструктивные проблемы, связанные с запасом по напряжению и надежностью источника, что позволяет использовать наиболее популярные в данном сегменте топологии однотактных обратноходовых преобразователей при входном напряжении вплоть до 1000 В DC.

Новая линейка MOSFET CoolSiC 1700 В выпускается в корпусах D2PAK-7L (PG-TO263-7) и имеет более низкое сопротивление открытого канала, чем у CoolSiC на 1500 В, что позволяет снизить потери более чем на 50% и использовать новые MOSFET без установки дополнительных систем охлаждения.

MOSFET CoolSiC 1700 В имеют напряжение «затвор-исток» +12 В/0 В, что позволяет управлять ими при помощи ШИМ напрямую с микроконтроллеров, без использования дополнительных драйверов.

Внешний вид новых MOSFET CoolSiC 1700 В в корпусе D2PAK-7L (PG-TO263-7)

Внешний вид новых MOSFET CoolSiC 1700 В в корпусе D2PAK-7L (PG-TO263-7)

Особенности:

  • Рабочее напряжение 1700 В, оптимизированы для работы в обратноходовых преобразователях;
  • Низкие потери переключения;
  • Напряжение «затвор-исток» 12 В / 0 В, возможно управление напрямую с микроконтроллера;
  • Контролируемое значение dV/dt для оптимизации электромагнитных помех;
  • Корпус SMD D2PAK-7L с увеличенным расстоянием пути утечки и зазорами > 7 мм.

Области применения:

  • Системы преобразования солнечной энергии;
  • Промышленные электроприводы;
  • Системы хранения энергии;
  • Системы зарядки электромобилей;
  • Промышленные импульсные источники питания (SMPS).

Пример использования новых MOSFET CoolSiC на 1700 В в схеме обратноходового преобразователя

Пример использования новых MOSFET CoolSiC на 1700 В в схеме обратноходового преобразователя

Наименование Id @ 100°C Rds(on) (typ.) @ 25°C Rds(on) (typ.) @ 175°C Корпус
IMBF170R1K0M1XTMA1 3,7 А 1000 мОм 2037 мОм PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1 5,2 А 650 мОм 1324 мОм PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1 6,9 А 450 мОм 917 мОм PG-TO263-7
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IMBF170R1K0M1XTMA1 (INFIN)
IMBF170R650M1XTMA1 (INFIN)
IMBF170R450M1XTMA1 (INFIN)