Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

9 октября

телекоммуникациисветотехникауправление питаниемWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DC

Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид-кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является начало производства SiC полевых транзисторов напряжением 650 В.

Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности.

Новые SiC полевые транзисторы в сравнении с кремниевыми технологиями (IGBT/MOSFET) позволяют достичь на 75% меньше потерь на переключение и на 50% меньше потерь на проводимость, что в конечном счёте даёт потенциал увеличения плотности мощности на 300%. Это особенно актуально для электротранспорта и серверного оборудования, где разработчики смогут превзойти показатели самого амбициозного из стандартов энергоэффективности – 80+ Titanium.

Технические особенности:

  • Малая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
  • Малые значения паразитных ёмкостей;
  • Быстрый обратный встроенный диод с малым зарядом восстановления;
  • Высокая рабочая температура — до 175 *С;
  • Наличие корпусов с соединением истока по схеме Кельвина;
  • Компоненты в стандартных выводных и SMD-корпусах.

Целевые применения:

  • Зарядные устройства;
  • Преобразователи для транспорта;
  • Инверторы для солнечной энергетики;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Промышленные источники электропитания.
•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C3M0015065D (CREE PWR)
C3M0015065K (CREE PWR)
C3M0060065K (CREE PWR)
C3M0060065J (CREE PWR)
C3M0060065D (CREE PWR)
C3M0065090D (CREE PWR)
C3M0280090J (CREE PWR)
C3M0120090D (CREE PWR)
C3M0120090J (CREE PWR)