Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

9 октября 2020

телекоммуникациисветотехникауправление питаниемWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DC

Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид-кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является начало производства SiC полевых транзисторов напряжением 650 В.

Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности.

Новые SiC полевые транзисторы в сравнении с кремниевыми технологиями (IGBT/MOSFET) позволяют достичь на 75% меньше потерь на переключение и на 50% меньше потерь на проводимость, что в конечном счёте даёт потенциал увеличения плотности мощности на 300%. Это особенно актуально для электротранспорта и серверного оборудования, где разработчики смогут превзойти показатели самого амбициозного из стандартов энергоэффективности – 80+ Titanium.

Технические особенности:

  • Малая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
  • Малые значения паразитных ёмкостей;
  • Быстрый обратный встроенный диод с малым зарядом восстановления;
  • Высокая рабочая температура — до 175 *С;
  • Наличие корпусов с соединением истока по схеме Кельвина;
  • Компоненты в стандартных выводных и SMD-корпусах.

Целевые применения:

  • Зарядные устройства;
  • Преобразователи для транспорта;
  • Инверторы для солнечной энергетики;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Промышленные источники электропитания.
•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C3M0015065D (CREE PWR)
C3M0015065K (CREE PWR)
C3M0060065D (CREE PWR)
C3M0060065K (CREE PWR)
C3M0060065J (CREE PWR)
C3M0060065J-TR (CREE PWR)
C3M0280090D (CREE PWR)
C3M0280090J (CREE PWR)
C3M0120090D (CREE PWR)
C3M0065090D (CREE PWR)