Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

24 декабря 2020

телекоммуникацииуправление питаниемуниверсальное применениеWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Александр Русу (г. Одесса)

В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А. Отличительной особенностью всех моделей является низкое значение заряда восстановления и высокая перегрузочная способность.

Электрическая энергия на пути от источника к конечному потребителю обычно многократно преобразуется, так как лишь в редких случаях первичные источники питания генерируют электричество с качеством, пригодным для непосредственного потребления нагрузкой или передачи на большие расстояния. В последнее время наблюдается устойчивое увеличение спроса не только на ставшие уже традиционными в силовой электронике преобразователи постоянного напряжения, но и на мощные инверторы, используемые в автомобильной технике и системах альтернативной энергетики.

Побочным эффектом любого преобразования являются потери, поэтому каждая новая технология, позволяющая повысить КПД преобразователей, имеет все шансы в сжатые сроки получить широкое распространение. До недавнего времени большинство преобразователей изготовлялись на основе кремниевых полупроводниковых приборов. Однако этот материал, по оценке многих специалистов, уже достиг предела своих возможностей, поэтому значительного изменения уровня КПД устройств на основе кремниевых транзисторов и диодов ожидать не стоит.

В качестве альтернативы кремнию (Si) рассматриваются карбид кремния (SiC) и арсенид галлия (GaN). Арсенид галлия, благодаря характеристикам, больше подходит для высокочастотных преобразователей, однако он проигрывает кремнию и карбиду кремния как по величине удельной мощности, так и по цене. Максимальная частота переключений большинства карбид-кремниевых полупроводниковых приборов обычно не превышает 1 МГц (рисунок 1), что сопоставимо с традиционными кремниевыми транзисторами и диодами. Однако большая, чем у кремния, величина запрещенной зоны позволяет почти на порядок повысить рабочее напряжение полупроводниковых приборов на основе этого материала с одновременным уменьшением статических и динамических потерь. Поэтому скорее всего именно карбид-кремниевые полупроводниковые диоды и транзисторы станут основой следующего поколения преобразователей электрической энергии.

Рис. 1. Область применения карбид-кремниевых полупроводниковых приборов Wolfspeed

Рис. 1. Область применения карбид-кремниевых полупроводниковых приборов Wolfspeed

Карбид-кремниевые технологии активно осваивают многие ведущие производители электронных компонентов. Одним из безусловных лидеров в этой области является компания CREE, в лице одного из подразделений – компании Wolfspeed – занимающаяся исследованиями данного полупроводникового материала с 1983 года.

Особенности карбид-кремниевых полупроводниковых диодов

Первое поколение карбид-кремниевых диодов имело классическую структуру диодов Шоттки (Schottky Barrier Diode SBD) с единственным переходом «металл-полупроводник». Однако наличие поверхностных дефектов в области металлического контакта стало причиной появления токов утечки, приводящих к локальному разогреву, последующей прогрессирующей деградации и, как следствие, разрушению кристалла.

Для устранения этого недостатка в структуре диода возле металлического контакта были сформированы области с дырочной проводимостью, так называемые p+ карманы. В результате получился комбинированный диод, состоящий из биполярных p-n-переходов и униполярных переходов Шоттки. Эта технология получила название «потенциальный барьер перехода Шоттки» (Junction Barrier Schottky JBS). Внедрение дополнительных p-n-структур привело к изменению характера распределения электрического поля внутри диода, в результате чего область с максимальной напряженностью теперь стала располагаться в глубине кристалла, а не в окрестностях металлического контакта. Это позволило значительно снизить токи утечки и повысить надежность карбид-кремниевых диодов до уровня, достаточного для коммерческого использования.

Следующим этапом развития карбид-кремниевых диодов, для которого понадобилось более 10 лет скрупулезных исследований, стала технология объединенной структуры с p-i-n-диодами (Merged p-i-n Schottky MPS). Главным отличием приборов этого типа от предшественников является модификация p+ областей, образующих теперь вместе с подложкой и дрейфовой зоной p-i-n диоды (рисунок 2). Характеристики p-i-n-переходов сформированы таким образом, чтобы в нормальном режиме работы, когда прямой ток через прибор не превышает максимального допустимого продолжительного значения, они находились в закрытом состоянии, практически не влияя на процесс протекания тока. Но когда ток через диод становится больше максимально допустимого значения, p-i-n-диоды открываются, инжектируя в активный слой дополнительные носители заряда.

Рис. 2. Структура карбид-кремниевого диода, изготовленного по технологии MPS

Рис. 2. Структура карбид-кремниевого диода, изготовленного по технологии MPS

Внедрение в дрейфовую область дополнительных носителей заряда уменьшает эквивалентное сопротивление кристалла, что, в свою очередь, приводит к меньшему, чем у диодов без дополнительной инжекции, падению напряжения между катодом и анодом (рисунок 3). В результате в преобразователях с жестким переключением, имеющих значительные импульсные токи в моменты коммутации, на кристаллах, изготовленных по технологии MPS, выделяется меньшее количество тепла.

Рис. 3. Вольт-амперные характеристики обычного диода Шоттки и диода Шоттки, изготовленного по технологии MPS

Рис. 3. Вольт-амперные характеристики обычного диода Шоттки и диода Шоттки, изготовленного по технологии MPS

Поскольку инжекция неосновных носителей заряда из p+ областей происходит лишь при большом значении тока, то MPS-диоды в рабочей области остаются однополярными диодами Шоттки с теоретически нулевым временем восстановления. К сожалению, реальные карбид-кремниевые приборы все же имеют конечное время переключения, связанное с наличием паразитной емкости между катодом и анодом. Однако это время, а следовательно, и динамические потери при переключении диода значительно меньше, чем у кремниевых аналогов (рисунок 4).

Рис. 4. Диаграммы токов при выключении кремниевых и карбид-кремниевых диодов

Рис. 4. Диаграммы токов при выключении кремниевых и карбид-кремниевых диодов

Эта разница становится особо заметной при высокой температуре, когда характеристики кремния значительно ухудшаются. Следует отметить, что полупроводниковые приборы из карбида кремния могут работать при температурах кристаллов, достигающих 600°С, что в три раза больше чем у кремния (200°С). Однако существующие технологии изготовления корпусов не позволяют полностью использовать весь температурный диапазон этого полупроводникового материала, поэтому максимальная температура кристаллов коммерческих карбид-кремниевых приборов не должна превышать 175…200°С.

Таким образом, по сравнению с существующими кремниевыми аналогами карбид-кремниевые диоды обладают тремя ключевыми преимуществами: большей перегрузочной способностью, меньшим падением напряжения и меньшим временем восстановления. Очевидно, что в реальном преобразователе даже простая замена кремниевых диодов на карбид-кремниевые приведет к уменьшению статических и динамических потерь, что положительно скажется на КПД. А если при этом увеличить частоту переключений, то за счет использования более компактных и дешевых индуктивных компонентов можно достичь и большей удельной мощности, и меньшей стоимости конечного устройства.

Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

Свои первые коммерческие карбид-кремниевые диоды компания Wolfspeed представила на рынке более 10 лет назад. На сегодня это один из признанных лидеров в области карбид-кремниевых технологий, обеспечивающий своих клиентов надежными и качественными приборами, которые обладают превосходными техническими характеристиками.

В ассортименте Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В (таблица 1), 650 В (таблица 2), 1200 В (таблица 3) и 1700 В (таблица 4) и максимальным током от 1 до 50 А. Отличительной особенностью всех представленных моделей является низкое значение заряда восстановления и высокая перегрузочная способность. Например, каждый из двух диодов C6D16065D имеет максимально допустимый ток 16 А (для температуры 129 С). При начальной температуре кристалла 110 С они способны в течение 10 мкс выдержать практически 50-кратную перегрузку по току (790 А) и почти 4-кратную в течение полупериода сетевого напряжения с частотой 50 Гц и синусоидальной форме импульса тока (Half Sine Wave, 10 мс) – 63 А.

Таблица 1. Параметры 600-вольтовых дискретных SiC диодов Wolfspeed

Наименование Поколение Максимальный ток, А Прямое падение напряжения, В Общий заряд восстановления, нКл Корпус Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
CSD01060E 3 1 1,6 3,3 TO-252-2 21,4
CSD01060A 3 1 1,6 3,3 TO-220-2 21,4
C3D02060F 3 2 1,5 4,8 TO-220-F2 10,8
C3D02060E 3 2 1,5 4,8 TO-252-2 39,5
C3D02060A 3 2 1,5 4,8 TO-220-2 39,5
C3D03060F 3 3 1,5 6,7 TO-220-F2 12,5
C3D03060E 3 3 1,5 6,7 TO-252-2 53
C3D03060A 3 3 1,5 6,7 TO-220-2 53
C3D04060F 3 4 1,5 8,5 TO-220-F2 13,1
C3D04060E 3 4 1,5 8,5 TO-252-2 75
C3D04060A 3 4 1,5 8,5 TO-220-2 75
C3D06060G 3 6 1,5 16 TO-263-2 91
C3D06060F 3 6 1,5 16 TO-220-F2 17
C3D06060A 3 6 1,5 16 TO-220-2 79
C3D08060G 3 8 1,5 21 TO-263-2 107
C3D08060A 3 8 1,5 21 TO-220-2 110
C3D10060G 3 10 1,5 25 TO-263-2 136
C3D10060A 3 10 1,5 25 TO-220-2 136
C3D16060D 3 16 1,5 21 TO-247-3 200
C3D20060D 3 20 1,5 25 TO-247-3 500

Таблица 2. Параметры 650-вольтовых дискретных SiC диодов Wolfspeed

Наименование Поколение Максимальный ток, А Прямое падение напряжения, В Общий заряд восстановления, нКл Корпус Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
C3D02065E 3 2 1,5 4,8 TO-252-2 39,5
C3D03065E 3 3 1,5 6,7 TO-252-2 53
C6D04065E 6 4 1,27 16 TO-252-2 52
C6D04065A 6 4 1,27 16 TO-220-2 73
C3D04065E 3 4 1,5 8,5 TO-252-2 75
C3D04065A 3 4 1,5 10 TO-220-2 52
C6D06065E 6 6 1,27 23 TO-252-2 68
C6D06065A 6 6 1,27 23 TO-220-2 73
C3D06065I 3 6 1,5 15 TO-220 (изолир.) 45,5
C3D06065E 3 6 1,5 15 TO-252-2 100
C3D06065A 3 6 1,5 15 TO-220-2 88
E3D08065G 3 8 1,5 50 TO-263-2 176
C6D08065E 6 8 1,27 29 TO-252-2 85
C6D08065A 6 8 1,27 29 TO-220-2 92,6
C3D08065I 3 8 1,5 21 TO-220 (изолир.) 48
C3D08065E 3 8 1,5 20 TO-252-2 120
C3D08065A 3 8 1,5 20 TO-220-2 107
C6D10065E 6 10 1,27 34 TO-252-2 99
C6D10065A 6 10 1,27 35 TO-220-2 109
C3D10065I 3 10 1,5 25 TO-220 (изолир.) 60
C3D10065E 3 10 1,5 24 TO-252-2 150
C3D10065A 3 10 1,5 24 TO-220-2 136,5
C3D12065A 3 12 1,5 34 TO-220-2 143
C6D16065D 6 16 1,27 29 TO-247-3 100
C3D16065D1 3 16 1,5 40 TO-247-3 173
C3D16065D 3 16 1,5 21 TO-247-3 200
C3D16065A 3 16 1,5 44 TO-220-2 150
E3D20065D 3 20 1,5 110 TO-247-3 250
C6D20065D 6 20 1,27 35 TO-247-3 116
CVFD20065A 5 20 1,35 62 TO-220-2 187,5
C3D20065D 3 20 1,5 25 TO-247-3 500
E3D30065D 3 30 1,5 43 TO-247-3 179
C3D30065D 3 30 1,5 44,5 TO-247-3 300
C5D50065D 5 50 1,5 110 TO-247-3 300

Таблица 3. Параметры 1200-вольтовых дискретных SiC диодов Wolfspeed

Наименование Поколение Максимальный ток, А Прямое падение напряжения, В Общий заряд восстановления, нКл Корпус Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
C4D02120E 4 2 1,4 11 TO-252-2 52
C4D02120A 4 2 1,4 11 TO-220-2 60
C4D05120E 4 5 1,4 27 TO-252-2 97
C4D05120A 4 5 1,4 27 TO-220-2 81
C4D08120E 4 8 1,5 37 TO-252-2 137
C4D08120A 4 8 1,5 37 TO-220-2 120
E4D10120A 4 10 1,5 56 TO-220-2 166
C4D10120H 4 10 1,4 52 TO-247-2 136
C4D10120E 4 10 1,5 52 TO-252-2 170
C4D10120D 4 10 1,4 54 TO-247-3 187
C4D10120A 4 10 1,5 52 TO-220-2 136
C4D15120H 4 15 1,5 77,5 TO-247-2 174,5
C4D15120D 4 15 1,5 37 TO-247-3 270
C4D15120A 4 15 1,6 77,5 TO-220-2 192
E4D20120A 4 20 1,5 99 TO-220-2 242
E4D20120D 4 20 1,5 52 TO-247-3 176
E4D20120G 4 20 1,5 110 TO-263-2 250
C4D20120H 4 20 1,5 99 TO-247-2 246
C4D20120D 4 20 1,5 52 TO-247-3 352
C4D20120A 4 20 1,5 99 TO-220-2 242
C4D30120D 4 30 1,6 77,5 TO-247-3 440
C4D40120D 4 40 1,5 99 TO-247-3 532

Таблица 4. Параметры 1700-вольтовых дискретных SiC диодов Wolfspeed

Наименование Поколение Максимальный ток, А Прямое падение напряжения, В Корпус Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
C5D05170H 5 5 1,5 TO-247-2 115
C5D10170H 5 10 1,7 TO-247-2 185
C3D10170H 3 10 1,5 TO-247-2 231
C5D25170H 5 25 1,5 TO-247-2 384
C3D25170H 3 25 1,5 TO-247-2 377

Основными направлениями использования карбид-кремниевых диодов Wolfspeed являются мощные высоковольтные преобразователи электрической энергии, например, промышленные преобразователи постоянного напряжения, зарядные устройства для автомобильных аккумуляторов, инверторы для солнечных электростанций и электромобилей, а также многие другие приложения.

Особенности карбид-кремниевых диодов шестого поколения

На сегодняшний день компания Wolfspeed освоила производство карбид-кремниевых диодов 6-го поколения (C6D). Эти приборы обладают лучшим в своем классе прямым падением напряжения между катодом и анодом, составляющем при температуре кристалла 25 С всего 1,27 В (1,37 В при температуре 125 С). Использование диодов с такими параметрами позволяет ощутимо повысить величины удельной мощности и КПД практически всех приложений, в которых эти приборы могут использоваться. Наибольшее улучшение технических характеристик преобразователей будет при замене этими приборами традиционных кремниевых диодов, однако даже при переходе с третьего поколения карбид-кремниевых диодов на шестое разницу в КПД уже можно обнаружить инструментальными методами (рисунок 5).

Рис. 5. Вольтамперные характеристики SiC диодов 3-го и 6-го поколений (слева) и зависимости КПД корректоров коэффициентов мощности на основе этих диодов (справа)

Рис. 5. Вольтамперные характеристики SiC диодов 3-го и 6-го поколений (слева) и зависимости КПД корректоров коэффициентов мощности на основе этих диодов (справа)

Для демонстрации высокой эффективности новой технологии компания Wolfspeed провела сравнительное тестирование нескольких корректоров коэффициента мощности с разными диодами (рисунок 6). Измерения проводись на одной и той же элементной базе и при одинаковых условиях: входное напряжение – 260 В, выходное – 520 В, выходная мощность – 5,5 кВт, частота переключений – 100 кГц.

Рис. 6. Исследуемая схема и перечень диодов, принимавших участие в тестировании

Рис. 6. Исследуемая схема и перечень диодов, принимавших участие в тестировании

В тестировании приняли участие карбид-кремниевые диоды ведущих мировых производителей: C6D10065A (Wolfspeed, 6-е поколение), IDH10G65C6 (Infineon, 6-е поколение), SCS310AHGC9 (ROHM, 3-е поколение), STPSC10H065D (STMicroelectronics, 2-е поколение) и FFSP1065A (ON Semiconductor, 1-е поколение). Все приборы имели одинаковый корпус (ТО-220), максимально допустимое обратное напряжение 650 В и максимально допустимый прямой ток 10 А. Однако, несмотря на одинаковые абсолютные максимально допустимые параметры, их рабочие характеристики имели заметные различия (рисунок 7).

Рис. 7. Вольт-амперные характеристики диодов, принимавших участие в тестировании

Рис. 7. Вольт-амперные характеристики диодов, принимавших участие в тестировании

Очевидно, что разница в вольт-амперных характеристиках должна была отразиться на характеристиках преобразователя, что и было подтверждено на практике. Как видно из результатов тестирования (рисунок 8), при максимальной мощности 5,5 кВт КПД преобразователя с диодом C6D10065A (98,4%) оказался на 0,2% больше, чем у наилучшего конкурирующего решения (98,2%). На практике это значит, что даже в самом худшем случае простая замена диода на более современный приведет к уменьшению мощности потерь, как минимум, на 10% (со 100 Вт при КПД равном 98,2% до 90 Вт при КПД равном 98,4%). Максимальное же различие в уровне тепловыделения в данном эксперименте составило почти 15%.

Рис. 8. Результаты измерений КПД преобразователей с разными диодами

Рис. 8. Результаты измерений КПД преобразователей с разными диодами

Таким образом, диоды 6-го поколения компании Wolfspeed на сегодняшний день действительно являются наилучшими в своем классе карбид-кремниевыми диодами. К ключевым достоинствам этих приборов относятся:

  • малое прямое падение напряжения (1,27 В при 25°С) (лучшее в своем классе);
  • наименьший температурный дрейф прямого падения напряжения (лучшее в своем классе): при изменении температуры кристалла на 100°С (до 125°С) прямое падение напряжения изменяется всего на 0,08 В (135°С);
  • повышенный импульсный ток;
  • широкий диапазон рабочих температур – от -55 до 175°С;
  • повышенная термостабильность всех основных характеристик;
  • высокое напряжение пробоя;
  • низкий ток утечки;
  • нулевое время обратного восстановления.

Как и большинство аналогичных карбид-кремниевых приборов, диоды Wolfspeed 6-го поколения допускают параллельное включение без применения каких-либо дополнительных схем выравнивания тока, что позволяет при необходимости легко наращивать мощность существующих преобразователей.

Поскольку замена существующих кремниевых и карбид-кремниевых диодов на диоды Wolfspeed 6-го поколения не требует какой-либо переделки принципиальной схемы, то и области применения у этих диодов аналогичны (рисунок 9). В общем случае диоды Wolfspeed 6-го поколения идеально подходят для продолжительно или круглосуточно работающих приложений. В этом случае их установка приведет к уменьшению потерь при преобразовании и, как следствие, к уменьшению затрат на электроэнергию. Они также прекрасно подходят для компактных приложений, поскольку за счет уменьшения размеров радиаторов и возможного увеличения рабочей частоты их использование позволяет увеличить удельную мощность этих устройств.

Рис. 9. Область применения SiC диодов 6-го поколения компании Wolfspeed

Рис. 9. Область применения SiC диодов 6-го поколения компании Wolfspeed

Надежность карбид-кремниевых диодов 

Wolfspeed выпускает карбид-кремниевые диоды на коммерческой основе уже более 10 лет. За это время все изготовленные диоды проработали в реальных устройствах в общей сложности более 2 триллионов часов (таблица 5). На протяжении всего этого времени компания собирала информацию об отказах этих полупроводниковых приборов для формирования собственных статистических данных. На сегодняшний день средний уровень надежности карбид-кремниевых диодов равен 0,27 FIT (Failures In Time) (1 FIT равен одному отказу за 1 миллиард приборо-часов работы), что составляет менее 15% от среднего количества отказов кремниевых диодов. Это позволяет сделать вывод, что на сегодняшний день диоды из карбида кремния являются даже более надежными, чем их кремниевые аналоги, выпускаемые по давно изученным и отлаженным технологиям.

Таблица 5. Уровень надежности SiC диодов Wolfspeed

Наименование Общая наработка, млрд. ч Уровень надежности, FIT
CDSxxx60 864 0,2
C2Dxx120 210 1,4
C3Dxxx60 1050 0,1
C4Dxxx120 95 0,3
Общее 2219 0,27

Высокая надежность производимой продукции невозможна без внедрения развитой системы тестирования, поэтому все приборы Wolfspeed проходят тщательную проверку на этапе производства (Qualification Testing), позволяющую выявить большинство скрытых дефектов. Кроме этого, отдельные партии диодов проходят тестирование на уровень долговременной надежности (Reliability Testing), позволяющей прогнозировать потенциальный срок службы приборов. Причем тестирование проводится не только на предприятиях Wolfspeed, но и независимыми компаниями.

Например, в 2018 году сотрудниками компании Vincotech (дочерней компании Mitsubishi Electric Corporation) было проведено тестирование партии карбид-кремниевых диодов Wolfspeed, встроенных в силовые модули. В течение 2000 часов модули проходили испытание модифицированным тестом H3TRB (High Humidity High Temperature Reverse Bias) в условиях повышенной температуры и влажности при обратном напряжении, равном 80% от максимально допустимого значения. Результаты теста не выявили никаких признаков деградации, что свидетельствует о высокой надежности этих полупроводниковых приборов.

Высокое качество диодов Wolfspeed подтверждается также наличием соответствующих сертификатов JEDEC (для промышленных применений) и AEC-Q101 (для автомобильных) Например, не так давно компания Wolfspeed объявила о выпуске семейства карбид-кремниевых транзисторов и диодов серии E, соответствующих требованиям AEC-Q101. Эти приборы созданы для использования в самых жестких условиях: в электромобилях, инверторах солнечных и ветряных электростанций и других приложениях, работающих вне помещений.

Подводим итоги

Карбид-кремниевые технологии уже стали объективной реальностью, и более чем десятилетний опыт производства и эксплуатации приборов CREE/Wolfspeed является убедительным тому подтверждением. Уже сейчас становится очевидно, что карбид-кремниевые диоды по всем техническим параметрам намного превосходят кремниевые аналоги. А это значит, что создание преобразователей электрической энергии с улучшенными техническими характеристиками – дело ближайшего будущего, тем более что надежность этой технологии уже ни у кого не вызывает сомнений.

Список источников

  1. Meet Wolfspeed, a CREE Company
  2. The Evolution of the SiC Schottky Diode
  3. Wolfspeed 650V SiC MOSFETs and Diodes: Proven performance built to support future technological innovations
  4. Wolfspeed 6th Generation (C6D) 650 V SiC Schottky Diode
  5. SiC Schottky Diode Device Design: Characterizing Performance & Reliability
  6. SiC Power Device Reliability Presented at APEC 2019
  7. A Designer’s Guide to Silicon Carbide: Quality, qualification & long-term reliability
  8. Reliability Testing of SiC JBS Diodes for Harsh Environment Operation
  9. Wolfspeed’s latest SiC devices meet automotive AEC-Q101 standards
  10. Jumpstarting a SiC-based design with the SpeedFit 2.0 Design Simulator
•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C6D10065A (CREE PWR)
C6D08065A (CREE PWR)
C6D06065A (CREE PWR)
C6D16065D (CREE PWR)
C6D20065D (CREE PWR)
C6D10065E (CREE PWR)
C6D08065E (CREE PWR)
C6D06065E (CREE PWR)
C6D04065E (CREE PWR)
C6D04065A (CREE PWR)
C5D50065D (CREE PWR)
C5D05170H (CREE PWR)
C5D10170H (CREE PWR)
C5D25170H (CREE PWR)
C4D08120A (CREE PWR)
C4D10120E (CREE PWR)
C4D10120E-TR (CREE PWR)
C4D15120A (CREE PWR)
C4D02120E (CREE PWR)
C4D02120E-TR (CREE PWR)