Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

27 января

светотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).

В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с  традиционными решениями. Использование технологии .XT позволяет новым транзисторам демонстрировать лучшие в классе тепловые характеристики и повысить уровень выходного тока до 14% по сравнению с аналогичными решениями, что соответствует удвоению частоты переключения или снижению рабочей температуры на 10…15°C.

Новые MOSFET оптимизированы для работы в высоковольтных приложениях и способны выдерживать короткое замыкание в течение 3 мс.

Особенности:

  • Низкие потери на переключение;
  • Устойчивость к короткому замыканию в течение 3 мкс;
  • Технология межсоединений .XT, лучшие в классе тепловые характеристики;
  • Пороговое напряжение включения VGS (th) = 4,5 В, устойчивость к паразитному включению;
  • Корпус D2PAK-7L (TO263-7) с зазором и расстоянием утечки> 6,1 мм.

Области применения:

  • Зарядные устройства;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Солнечные инверторы;
  • Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
  • Системы хранения энергии;
  • Системы управления приводами.

Пример использования новых MOSFET CoolSiC 1200 В в схеме управления двигателем

Наименование Id @ 100°, А Rds(on) (typ.) @ 25°C, мОм Rds(on) (typ.) @ 150°C, мОм Корпус
IMBG120R030M1H 47 30 38 PG-TO263-7
IMBG120R045M1H 33 45 57 PG-TO263-7
IMBG120R060M1H 26 60 76 PG-TO263-7
IMBG120R090M1H 18 90 114 PG-TO263-7
IMBG120R140M1H 13 140 178 PG-TO263-7
IMBG120R220M1H 9.1 220 280 PG-TO263-7
IMBG120R350M1H 4.7 350 446 PG-TO263-7
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IMBG120R030M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R045M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R060M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R090M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R140M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R220M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R350M1HXTMA1 (INFIN)