Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

27 января 2021

светотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).

В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с  традиционными решениями. Использование технологии .XT позволяет новым транзисторам демонстрировать лучшие в классе тепловые характеристики и повысить уровень выходного тока до 14% по сравнению с аналогичными решениями, что соответствует удвоению частоты переключения или снижению рабочей температуры на 10…15°C.

Новые MOSFET оптимизированы для работы в высоковольтных приложениях и способны выдерживать короткое замыкание в течение 3 мс.

Особенности:

  • Низкие потери на переключение;
  • Устойчивость к короткому замыканию в течение 3 мкс;
  • Технология межсоединений .XT, лучшие в классе тепловые характеристики;
  • Пороговое напряжение включения VGS (th) = 4,5 В, устойчивость к паразитному включению;
  • Корпус D2PAK-7L (TO263-7) с зазором и расстоянием утечки> 6,1 мм.

Области применения:

  • Зарядные устройства;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Солнечные инверторы;
  • Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
  • Системы хранения энергии;
  • Системы управления приводами.

Пример использования новых MOSFET CoolSiC 1200 В в схеме управления двигателем

Наименование Id @ 100°, А Rds(on) (typ.) @ 25°C, мОм Rds(on) (typ.) @ 150°C, мОм Корпус
IMBG120R030M1H 47 30 38 PG-TO263-7
IMBG120R045M1H 33 45 57 PG-TO263-7
IMBG120R060M1H 26 60 76 PG-TO263-7
IMBG120R090M1H 18 90 114 PG-TO263-7
IMBG120R140M1H 13 140 178 PG-TO263-7
IMBG120R220M1H 9.1 220 280 PG-TO263-7
IMBG120R350M1H 4.7 350 446 PG-TO263-7
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт. В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню р ...читать далее

Товары
Наименование
IMBG120R030M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R045M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R060M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R090M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R140M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R220M1HXTMA1 (INFIN)
IMBG120R350M1HXTMA1 (INFIN)