Новое поколение IGBT транзисторов Field Stop II от ON Semiconductor

19 декабря 2013

NGTBXXN120IHLWG-Hires

Компания ON Semiconductor представила новое поколение IGBT транзисторов Field Stop II (FSII) с улучшенными статическими и динамическими параметрами для применения в высокопроизводительных силовых преобразователях питания, таких как инверторы, источники бесперебойного питания, сварочные аппараты.

Два представителя новой серии NGTB20N120IHRWG и NGTB20N135IHRWG уже сейчас доступны для заказа.

Основные характеристики

  • рекомендуемый частотный диапазон: 15 …30 кГц;
  • номинальный рабочий ток: 20 А;
  • максимальное рабочее напряжение:
    • NGTB20N120IHRWG — 1200 В;
    • NGTB20N135IHRWG — 1350 В;
  • диапазон рабочих температур -40…+175°C.
•••

Наши информационные каналы

О компании ON Semiconductor

Компания ON Semiconductor Corporation, штаб-квартира которой находится в городе Феникс (Phoenix), штат Аризона, США, относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений». Производственные мощности ON Semiconductor расположены в США, Китае, Чехии, Словакии, Японии, Малайзии, на Филиппинах и во многих других странах. В компании работает более 23 тысяч сотрудников. Оборот в 2014 году составил 3.1 млрд. долл. На се ...читать далее

Товары
Наименование
NGTB20N120IHRWG (ONS)
NGTB20N135IHRWG (ONS)
Поиск по параметрам
IGBT транзисторы от ONS