Особенности монтажа силовых компонентов в планарных корпусах PQFN

25 июля 2013

тремление разработчиков электроники уменьшить размеры компонентов, снизить сопротивление и индуктивность выводов привело к созданию целого ряда безвыводных корпусов. Одним из них стал PQFN (Power Quad Flat No-Lead). Это пластиковый корпус, предназначенный для поверхностного монтажа. Выводы в нем распложены с нижней стороны и представляют собой контактные площадки (рисунок 1).

 

Внешний вид PQFP с одной контактной площадкой

 

Рис. 1. Внешний вид PQFP с одной контактной площадкой

Один из выводов выполнен в виде массивного теплоотводящего контакта. Именно на нем расположен кристалл (рисунок 2). Этим достигается не только наилучший отвод тепла от кристалла, но и снижается индуктивность контакта и его сопротивление. Остальные выводы корпуса разварены на кристалл с помощью проводников. Вся конструкция покрыта пластиком.

 

Внутренняя структура PQFN корпуса на примере полевого транзистора

 

Рис. 2. Внутренняя структура PQFN корпуса на примере полевого транзистора

Транзисторы в корпусе PQFN, обладая отличными характеристиками, находят применение в самых различных областях: в промышленной и мобильной электронике, в автомобильной и коммерческой технике. Однако монтаж и контроль пайки таких компонентов является более сложным техническим процессом по сравнению с монтажом компонентов, выполненных в обычных выводных корпусах.

 

Особенности монтажа корпусов PQFN

 

Выбор материала печатной платы и типа финишного покрытия контактных площадок. PQFN-корпус разработан для использования с платами из стеклотекстолита (например, FR-4). Тип финишного покрытия может быть выбран из стандартного набора. Необходимо учитывать, что параметры покрытия контактных площадок могут оказывать существенное влияние на качество пайки, поэтому необходим обязательный конечный контроль качества паяных соединений.

Особенности разработки посадочных мест для PQFN-корпусов. При проектировании посадочных мест следует особое внимание уделять размерам контактных площадок и способу выполнения паяльной маски.

Увеличение размеров контактных площадок приводит к улучшению электрических характеристик (уменьшение индуктивности, сопротивления). Однако, значительное уменьшение расстояний между площадками может привести к коротким замыканиям при растекании паяльной пасты.

Как правило, при проектировании посадочного места для большой теплоотводящей площадки используется маска без зазоров (SMD- solder-mask-defined), для остальных выводов используется маска с зазором (NSMD- non-solder-mask-defined), см. рисунок 3. Маска без зазора позволяет ограничить растекание паяльной пасты, что эффективно препятствует возникновению коротких замыканий между большой контактной площадкой и другими выводами корпуса. Для обычных выводов корпуса маска с зазором не ограничивает растекание пасты, что увеличивает площадь поверхности контакта, делая его более надежным.

 

Различные типы масок: SMD (а) NSMD (б)

 

Рис. 3. Различные типы масок: SMD (а) NSMD (б)

Таким образом, проектирование посадочного места является сложной задачей. Производители, в том числе и International Rectifier, часто предлагают рекомендуемые посадочные места (рисунок 4). Стоит помнить, что рекомендуемый вариант посадочного места строго соответствует рекомендуемому шаблону. Если используется другой шаблон, размеры контактных площадок следует также корректировать.

 

Размеры корпуса PQFN 3x3 и рекомендуемое посадочное место

 

Рис. 4. Размеры корпуса PQFN 3×3 и рекомендуемое посадочное место

Особенности разработки трафаретов. Для нанесения паяльной пасты используется трафарет. Именно трафарет обеспечивает дозирование паяльной пасты и ее размещение на плате. Чем больше окна в трафарете, тем больше наносится пасты.

При излишке пасты она может выдавливаться за границы контактных площадок и вызывать короткие замыкания. При недостатке паяльной пасты паяное соединение может быть непрочным. Еще одним негативным результатом избытка пасты может стать смещение компонента. При установке на плату корпус оказывается как бы на «подушке» из паяльной пасты (рисунок 5), при расплавлении пасты силы поверхностного натяжения могут сместить компонент. Чтобы такого не происходило, трафарет разбивают на секции (рисунок 6). В итоге необходимо искать оптимальный вариант размеров и количества окон в трафарете.

 

Расположение компонента при избытке паяльной пасты

 

Рис. 5. Расположение компонента при избытке паяльной пасты

 

 

Варианты трафаретов для корпуса PQFP 3x3 (толщина трафарета 0,127 мм)

 

Рис. 6. Варианты трафаретов для корпуса PQFP 3×3 (толщина трафарета 0,127 мм)

Важным параметром трафарета является толщина. Диапазон толщин составляет 0,100…0,250мм. Лучшие результаты дает толщина в пределах 0,125…0,200мм. При толщине свыше 0,250мм может произойти растекание пасты, при толщине менее 0,100мм пасты может не хватить.

Для толщины трафарета 0,127мм оптимальное соотношение площадей «окошко/контакт» составляет 75% для теплоотводящего контакта и 80% для остальных выводов.

Таким образом, геометрические размеры и толщина находятся в зависимости друг от друга и от размеров посадочного места. International Rectifier совместно с рекомендованным посадочным местом предлагает и шаблон трафарета (рисунок 6). Данный шаблон рассчитан для толщины 0,127мм, изменение толщины требует корректировки размеров окон.

Особенности выбора паяльной пасты. Инженеры International Rectifier исследовали паяльные пасты различных производителей с отличающимися свойствами. В общем случае, безусадочные пасты более устойчивы к выдавливанию. Предпочтительными являются пасты Sn0.95 Ag3.0 Cu0.5.

Кроме того, промывка под корпусом PQFN усложнена, поэтому безотмывочные пасты являются более подходящими.

Требования к размещению PQFN-корпусов. Для правильного монтажа компонента необходимо знать нумерацию выводов. Существует два способа определения нумерации выводов: с помощью стандартной маркировки первого вывода на верхней стороне корпуса (рисунок 7а) и специальной формы нижней большой контактной площадки (рисунок 7б).

 

Нумерация выводов корпуса PQFN

 

Рис. 7. Нумерация выводов корпуса PQFN

Требования к расположению элементов PQFN носят жесткий характер. Точность установки должна быть не менее 0,050мм, несмотря на то, что силы поверхностного натяжения могут выровнять корпус при смещении вплоть до 0,3мм. Неточная установка корпуса может привести к некачественной пайке, коротким замыканиям и перекосу корпуса.

При необходимости несколько компонентов в PQFN-корпусах могут быть расположены в непосредственной близости друг от друга (рисунок 8), но не ближе, чем 0,5мм. Более плотное расположение мешает нанесению пасты, кроме того, демонтаж и перепайка близкорасположенных компонентов становятся крайне неудобными.

 

Параллельное расположение компонентов

 

Рис. 8. Параллельное расположение компонентов

Пайка и демонтаж PQFN-корпусов. Компоненты International Rectifier соответствуют стандарту J STD 020C. Способы пайки могут быть различными: от конвекционной печи до инфракрасной пайки. Бессвинцовые корпуса отлично справляются с кратковременными разогревами до 260°С, а свинцовые- с температурами до 240°С.

Стандарт J STD 020C (IPC/JDEC) устанавливает правила повторной пайки компонентов. При повторной пайке (например, когда паяются компоненты сначала с одной стороны платы, а потом- с другой), элементы испытывают дополнительный стресс. Компоненты International Rectifier выдерживают три процесса пайки.

Для демонтажа PQFN-корпуса необходимо использовать два типа подогрева: подогрев платы (общий подогрев) при помощи воздуха или плитки и местный разогрев при помощи воздуха или инфракрасного паяльника.

После монтажа любого устройства необходимо провести контроль качества пайки. Для безвыводных корпусов он имеет свои особенности.

 

Контроль качества пайки корпусов PQFN

 

Соблюдение вышеизложенных правил и рекомендаций значительно снижает риск возникновения некачественной пайки, однако не исключает его полностью. Всегда существует, хоть и малая, вероятность возникновения брака. Есть несколько типовых видов брака:

  • Сдвиг корпуса при пайке. Так как расположение выводов корпуса несимметрично, то возникающие при пайке силы поверхностного натяжения могут сместить корпус по оси X или Y.
  • Перекос корпуса. Такой брак возможен под действием сил натяжения, особенно при неравномерности нанесения паяльной пасты (рисунок 6). В результате этого корпус расположен не горизонтально.
  • Выдавливание припоя за границы контактных площадок как наружу, так и под корпус. При этом возможно возникновение внешних и внутренних коротких замыканий.
  • Наличие пустот под корпусом. При плавлении паяльной пасты под корпус могут проникать газы и образовывать пустоты. В этом случае площадь паяного контакта снижается, что может катастрофически сказаться на теплоотдаче и электрических свойствах соединения.
  • Плохой контакт (непропай) может возникать как при простой нехватке паяльной пасты, так и при перекосе корпуса. В результате контакт оказывается припаянным только частично.

Для обнаружения таких недостатков необходимо проводить контроль пайки. Особенности конструкции PQFN таковы, что методов контроля, применяемых для обычных компонентов, оказывается недостаточно. Помимо общепринятого визуального осмотра, используется рентгеновский метод контроля.

 

Методы контроля качества пайки

 

Визуальный осмотр является простейшим и широко распространенным методом контроля. Он может проводиться как без помощи дополнительного оборудования, так и при помощи автоматических установок. Он позволяет определять правильность расположения компонента (предотвращать смещения и перекос корпуса), обнаруживать короткие замыкания, образовавшиеся при выдавливании припоя. Отчасти с помощью осмотра можно определить качество припайки боковой части выводов. Однако основная часть пайки остается скрытой под корпусом и не доступна для внешнего осмотра. Для обнаружения скрытых недостатков используют рентгеновский метод.

Рентгеновский метод является единственным надежным способом обнаружения скрытых недостатков, таких как внутренние пустоты, недостаток припоя, внутренние короткие замыкания, смещения корпуса. Хотя существуют сложные автоматические комплексы с трехмерным рентгеновским сканированием, для определения качества пайки хватает и двухмерного.

Визуальный осмотр качественно припаянного компонента (рисунок 9а) не обнаруживает сильных перекосов и смещений корпуса. Припой должен равномерно покрывать видимую часть выводов без существенного выдавливания из-под корпуса. Рентгеновский снимок (рисунок 9б) подтверждает правильность расположения корпуса. Места, покрытые припоем, имеют более темный цвет. Припой на снимке должен покрывать большую центральную площадку и остальные выводы. Светлых пятен, соответствующих пузырькам воздуха и пустотам, должно быть как можно меньше. Выдавленный припой и короткие замыкания при качественной пайке отсутствуют.

 

Пример качественно выполненной пайки

 

Рис. 9. Пример качественно выполненной пайки

При некачественном монтаже (рисунок 10) рентгеновское сканирование может явно показать недостаток припоя — непокрытый пайкой вывод имеет более светлый цвет.

 

Пример недостатка припоя

 

Рис. 10. Пример недостатка припоя

 

Критерии отбраковки изделий

 

Существуют рекомендации по отбраковке некачественных паяных соединений (таблица 1). Анализ этих рекомендаций показывает, что неприемлемой считается пайка, у которой соотношение площадей «пайка/контакт» составляет менее чем 50% для большого теплоотводящего контакта и 75% — для остальных Наличие коротких замыканий, смещение или перекос корпуса более чем на 3 градуса также считаются недопустимыми.

Таблица 1. Критерии отбраковки паяных соединений  

Тип брака Критерий отбраковки
Смещение корпуса Чрезмерное смещение выводов относительно контактных площадок:
при перекрытии менее чем 75% для выводов затвора или истока
при перекрытии менее 50% для выводов стока
Перекос или поворот корпуса Поворот корпуса на 180 градусов
Перекос корпуса относительно платы более чем на 3 градуса
Выдавливание припоя, замыкания между выводами Наличие коротких замыканий между выводами корпуса
Наличие большых капель припоя, которые могут привести к короткому замыканию
Пустоты под корпусом Площадь пайки составляет менее 75%
Недостаток припоя Площадь пайки составляет менее 75%
Наличие незапаянных выводов

 

PQFN-транзисторы от International Rectifier

 

International Rectifier, являясь одним из лидеров силовой полупроводниковой техники, выпускает широкий спектр силовых транзисторов, в том числе — в корпусах PQFN. Несмотря на малые размеры, предельная мощность таких транзисторов составляет единицы ватт.

Силовые P-MOSFET способны коммутировать напряжения до 30 В и проводить токи до 21 А (таблица 2). Транзистор IRLH2242 предназначен для работы с логическими уровнями 3,3 В.

Таблица 2. Транзисторы в корпусе PQFN   

Наименование Корпус Тип Uси макс, В Uзи макс, В Rси макс, мОм Ic, A (при TA) Qg, нКл (тип) Pd, Вт TA=25°C
Uзи=2,5 В Uзи=4,5 В Uзи=10 В 25°C 70°C
P-MOSFET  
IRFH9310 PQFN 5 x 6 A   P-тип   -30   20     7,1   4,6   -21   -17   58   3,1  
IRFHM9331 PQFN 3 x 3   P-тип   -30   25       14,6   -11   -9   16   2,8  
IRFHS9301 PQFN 2 x 2   P-тип   -30   20     65   37   -6   -4,8   6,9   2,1  
IRLHS2242 PQFN 2 x 2   P-тип   -20   12   53   31     -7,2   -5,8   12   2,1  
N-MOSFET  
IRFH6200 PQFN 5 x 6 B   N-тип   20   12   1,5   0,99       45   36   155   3,6  
IRLHM620 PQFN 3,3×3,3   N-тип   20   12   3,5   2,5       26   21   52   2,7  
IRLHS6242 PQFN 2 x 2   N-тип   20   12   15,5   11,7       10   8,3   14   1,98  
IRLH6224 PQFN 5 x 6 E   N-тип   20   12   4   3       28   22   86   3,6  
IRFH4201   PQFN 5 x 6 B   N-тип   25   20       1,25   0,95   49       46   3,5  
IRFH5250   PQFN 5 x 6 B   N-тип   25   20       1,75   1,15   45   31   52   3,6  
IRFHS8242 PQFN 2 x 2   N-тип   25   20       21   13   9,9   8   4,3   2,1  
IRFH4234   PQFN 5 x 6 B   N-тип   25   20       7,3   4,6   22       8,2   3,5  
IRFH8311 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       3,2   2,1   32   26   30   3,6  
IRFH8318 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       4,6   3,1   27   21   41   3,6  
IRFH8316 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       4,3   2,95   27   21   30   3,6  
IRFHS8342 PQFN 2 x 2   N-тип   30   20       25   16       7,1   4,2   2,1  
IRFH3702 PQFN 3 x 3   N-тип   30   20       11,8   7,1   16 &nb
sp;
12   9,6   2,8  
IRFHM831 PQFN 3,3×3,3   N-тип   30   20       12,6   7,8   14   11   7,3   2,5  
IRLHM630 PQFN 3,3×3,3   N-тип   30   12   4,5   3,5       21   17   41   2,7  
IRFHM830   PQFN 3,3×3,3   N-тип   30   20       6   3,8   21   17   31   2,7  
IRFH5301 PQFN 5 x 6 B   N-тип   30   20       2,9   1,85   35   28   37   3,6  
IRFHM8326 PQFN 3,3×3,3   N-тип   30   20       6,7   4,7   19   15   20   2,8  
IRFH5300 PQFN 5 x 6 B   N-тип   30   20       2,1   1,4   40   32   50   3,6  
IRFH7914 PQFN 5 x 6 A   N-тип   30   20       13   8,7   15   12   8,3   3,1  
IRFH8334 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       13,5   9   14   12   7,1   3,2  
IRFH7934 PQFN 5 x 6 A   N-тип   30   20       5,1   3,5   24   19   20   3,1  
IRFH7932 PQFN 5 x 6 A   N-тип   30   20       3,9   3,3   25   20   34   3,4  
IRFHM8329 PQFN 3,3×3,3   N-тип   30   20       8,8   6,1   16   13   26   2,6  
IRFH5302 PQFN 5 x 6 B   N-тип   30   20       3,5   2,1   32   26   29   3,6  
IRFH8321 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       6,8   4,9   21   17   19,4   3,4  
IRFH7936 PQFN 5 x 6 A   N-тип   30   20       6,8   4,8   20   16   17   3,1  
IRLHS6342 PQFN 2 x 2   N-тип   30   12   19,5   15,5       8,7   6,9   11   2,1  
IRFH8324 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       6,3   4,1   23   18   14   3,6  
IRFH8337 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       18,9   12,8   12   9,7   4,7   3,2  
IRFH8330 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       9,9   6,6   17   14   9,3   3,3  
IRFH5304 PQFN 5 x 6 B   N-тип   30   20       6,8   4,5   22   17   16   3,6  
IRFH5306 PQFN 5 x 6 B   N-тип   30   20       13,3   8,1   15   13   7,8   3,6  
IRFH8325 PQFN 5 x 6 E   N-тип   30   20       7,2   5   21   17   15   3,6  
IRFH3707 PQFN 3 x 3   N-тип   30   20       17,9   12,4   12   9,4   5,4   2,8  
IRLH5034 PQFN 5 x 6 B   N-тип   40   16       3,2   2,4   29   23   82   3,6  
IRFH5104 PQFN 5 x 6 B   N-тип   40   20           3,5   24   19   53   3,6  
IRFH5204 PQFN 5 x 6 B   N-тип   40   20           4,3   22   18   42   3,6  
IRFH7004 PQFN 5 x 6 B   N-тип   40   20           1,4           129      
IRFH7446 PQFN 5 x 6 E   N-тип   40   20           3,3           65      
IRLH7134 PQFN 5 x 6 E   N-тип   40   16       4,9   3,3   26   21   39   3,6  
IRFH5004 PQFN 5 x 6 B   N-тип   40   20           2,6   28   23   73   3,6  
IRFH7440 PQFN 5 x 6 E   N-тип   40   20           2,4           92      
IRFH5406 PQFN 5 x 6 B   N-тип   60   20           14,4   11   9   23   3,6  
IRFH5106 PQFN 5 x 6 B   N-тип   60   20           5,6   21   17   50   3,6  
IRLH5036 PQFN 5 x 6 B   N-тип   60   16       5,5   4,4   20   16   44   3,6  
IRFH5006 PQFN 5 x 6 B   N-тип   60   20           4,1   21   17   67   3,6  
IRFH5206 PQFN 5 x 6 B   N-тип   60   20           6,7   16   13   40   3,6  
IRFH7107 PQFN 5 x 6 E   N-тип   75   20           8,5   14   11   48   3,6  
IRFH5207 PQFN 5 x 6 B   N-тип   75   20           9,6   13   11   39   3,6  
IRFH5007 PQFN 5 x 6 B   N-тип   75   20           5,9   17   13   65   3,6  
IRFH7110 PQFN 5 x 6 E   N-тип   100   20           13,5   11       58   3,6  
IRFH5210 PQFN 5 x 6 B   N-тип   100   20           14,9   10   8,1   39   3,6  
IRLH5030 PQFN 5 x 6 B   N-тип   100   16       9,9   9   13   11   44   3,6  
IRFH5053 PQFN 5 x 6 A   N-тип   100   20           18   9,3   7,4   24   3,1  
IRFH5010 PQFN 5 x 6 B   N-тип   100   20           9   13   11   65   3,6  
IRFH5110 PQFN 5 x 6 B   N-тип   100   20           12,4   11   9   48   3,6  
IRFH5015 PQFN 5 x 6 B   N-тип   150   20           31   10   8,2   33   3,6  
IRFH5215 PQFN 5 x 6 B   N-тип   150   20           58   5   4   20   3,6  
IRFH5220 PQFN 5 x 6 B   N-тип   200   20           99,9   3,8   3   20   3,6  
IRFH5020 PQFN 5 x 6 B   N-тип   200   20           55   5,1   4,1   36   3,6  
IRFH5025 PQFN 5 x 6 B   N-тип   250   20           100   3,8   3,1   37   3,6  

Выпускаются N-MOSFET-тра­н­зис­торы на напряжения до 250 В и токи в десятки ампер (таблица 2). Ряд транзисторов предназначен для управления непосредственно от логических уровней напряжения и имеет сопротивление открытого канала в единицы мОм при напряжении «затвор-исток» 2,5 В.

Выпускаются не только одиночные транзисторы, но и сдвоенные P и N-MOSFET (таблица 3).

Таблица 3. Сдвоенные транзисторы и транзисторы с диодом Шоттки   

Наименование Корпус Тип Uси, В (макс) Uзи, В (макс) Rси макс, мОм Ic, A (при TA) Qg, нКл (тип) Pd, Вт TA=25°C
Uзи=2,5 В Uзи=4,5 В Uзи=10 В 25°C 70°C
IRFHS9351 PQFN 2×2   2xP-тип   -30   20   —   290   170   -2,3   -1,5   1,9   1,4  
IRLHS6276 PQFN 2×2   2xN-тип   20   12   62   45   —   4,5   3,6   3,1   1,5  
IRFHM8363 PQFN3,3×3,3E   2xN-тип   30   20   —   20,4   14,9   11   —   15   2,7  
IRLHS6376 PQFN 2×2   2xN-тип   30   12   82   —   —   3,6   2,9   2,8   1,5  
IRFH7911 PQFN 5×6 C   2xN-тип   30   20   —   14,5   8,6   13   10   8,3   2,4  
IRFHM792 PQFN3,3×3,3E   2xN-тип   100   20   —   —   195   2,3   1,8   4,2   2,3  
IRFH5250D PQFN 5×6 B   N-тип с диодом Шоттки   25   20   —   2,2   1,4   40   32   39   3,6  
IRFHM830D PQFN3,3×3,3E   N-тип с диодом Шоттки   30   20   —   7,1   4,3   20   16   13   2,8  
IRFH5302D PQFN 5×6 B   N-тип с диодом Шоттки   30   20   —   3,7   2,5   29   23   26   3,6  

Транзисторы со встроенным диодом Шоттки в PQFN-корпусах способны работать с напряжениями до 30 В и протекающими токами вплоть до 40 А.

 

Заключение

 

Для достижения низкого уровня брака необходимо выполнять рекомендации по выполнению посадочных мест и трафаретов. Кроме того, монтаж и контроль качества пайки для компонентов, использующих высокотехнологичные PQFN-корпуса, требует дополнительного рентгеновского контроля. Чтобы упростить труд разработчиков, International Rectifier предоставляет варианты исполнения посадочных мест и шаблоны трафаретов для своих PQFN-транзисторов.

 

Литература

1. Application Note AN-1136. Discrete Power Quad Flat No-Lead (PQFN) and Power SO-8 Board Mounting Application Note. 2012. http://www.irf.com/  

2. Application Note AN-1154 Discrete Power Quad Flat No-Lead (PQFN) and Power SO-8 Inspection Application Note. 2011. http://www.irf.com/  

3. А. Коробенков, П. Агафонов. Монтаж QFN без дефектов. Поверхностный монтаж №2, 2012

4. А.Нисан. Стандарты IPC по проектированию и сборке плат с компонентами с контактными площадками на нижней стороне корпуса. Электроника №1, 2012

5. Datasheets по представленным компонентам, взяты с официального сайта International Rectifier http://www.irf.com/.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка — e-mail: power.vesti@compel.ru

Новые 1200V IGBT с защитой от короткого замыкания

Компания International Rectifier представила семейство высоконадежных сверхбыстрых 1200 В IGBT, оптимизированных для задач управления промышленными двигателями и построения систем бесперебойного питания.

Новые IGBT изготовлены с применением ультратонких пластин по технологии Field-stop Trench (поколение Gen7), обеспечивающей низкие потери проводимости и переключения. Совмещенные в одном корпусе с антипараллельным диодом, имеющим мягкий режим восстановления и низкое значение заряда обратного восстановления (Qrr), и обладающие широкой (>10 мкс) зоной безопасной работы в режиме короткого замыкания, эти транзисторы идеально подходят для работы в жестких условиях промышленного применения.

Новое семейство IGBT перекрывает рабочий диапазон токов от 10 до 50 А. Дополнительными достоинствами семейства являются высокая максимальная рабочая температура p-n перехода +150°C и положительная температурная зависимость параметра Vce(on), что облегчает применение транзисторов при параллельном включении. Все это позволяет снизить рассеиваемую мощность и достигнуть высокой плотности выходной мощности.

Транзисторы доступны для заказа в стандартных корпусах TO-247 и с удлиненными выводами (TO-247AD long lead), а также в самом мощном корпусе Super-247 (TO-274). Имеется возможность заказа отдельных кристаллов транзисторов.

Транзисторы перекрывают диапазон рабочих токов от 16 до 50 А (в корпусе TO-220) и от 65 до 130 А (в корпусе ТО-247) — ток нормирован для температуры корпуса 100°C. Естественно, что с ростом токовых характеристик у транзисторов наблюдается ухудшение динамических потерь: самый «слабый» транзистор из серии — IRG7PH30K10D обладает энергией переключения 0,9 мДж и обеспечивает ток 16 А, самый мощный представитель — IRG7PSH73K10 — 18,4 мДж при токе 130 А.

•••

Наши информационные каналы