Диоды для ESD-защиты портативных приложений

17 ноября 2008

NXPстатья

Электростатический разряд (electrostatic discharge, ESD) является одним из опаснейших врагов современной электроники. До 30% поломок электронных устройств связывают с воздействием электростатического разряда. Для современных микросхем потенциал в 30 В является «смертельно опасным», а человек, идущий по ковру, способен генерировать на теле 15 000 В.

ESD-пробой может не привести к мгновенному отказу электронного устройства, но по истечении некоторого времени устройство всё-таки выйдет из строя из-за того, что в результате разряда произошло частичное разрушение проводника в микросхеме.

Компания NXP Semiconductors предлагает широкий спектр компонентов для ESD-защиты, среди которых есть, в частности, линейка ESD-диодов серии PESD для т.н. «общих применений». Среди них есть компоненты в чрезвычайно миниатюрных корпусах SOD882 (для дискретной продукции компании NXP характерно использование широкого спектра чрезвычайно компактных корпусов, см. табл. 1).

Таблица 1. Миниатюрные корпуса NXP для портативных приложений

Обозначение Кол-во выводов Размеры, мм Внешний вид
SOD882 2 1,0×0,6×0,5  
SOD523 (SC-79) 2 1,2×0,8×0,6  
SOT883 (SC-101) 3 1,0×0,6×0,5  
SOT663 3 1,6×1,2×0,55  
SOT416 (SC-75) 3 1,6×0,8×0,77  
SOT665 5 1,6×1,2×0,55  
SOT891 6 1,0×1,0x0,5  
SOT886 (XSON6) 6 1,45×1,0x0,5  
SOT666 6 1,6×1,2×0,55  

В своей линейке диодов и диодных сборок PESD (см.  табл. 2) компания NXP предлагает решения для защиты от электростатических разрядов до 30 кВ и с реализацией в одном корпусе защиты для 18 линий.

Таблица 2. Диоды и диодные сборки NXP Semiconductors для ESD-защиты 

 

223,3200,33,3  PESD3V3L4UW

Корпус Размер,
мм
Количество
защищаемых
линий
 С лин.
тип.,
пФ
Urwm,
В
ESD
max,
кВ
Ir при
Urwm
Конфигурация Тип
Одно-
направ-
ленных
 Дву-
направ-
ленных
max,
мА
В
SOD882 1,0×0,6×0,5 1 35 5 30 0,1 5   PESD5VOS1BL
2,9 5 10 0,1 5 PESD5VOU1BL
0,9 5 9 0,1 5 PESD5VOX1BL
1 150 5 30 1 5   PESD5VOS1UL
2 5 9 0,1 5 PESD5VOU1UL
200 3,3 30 2 3,3 PESD3V3S1UL
38 12 30 0,05 12 PESD12VS1UL
SOT883 (SC-101) 1,0×0,6×0,5 2 3,5 5 10 0,1 5   PESD5VOU2BM
2 1 22 3,3 15 0,3 3,3   PESD3V3L2UM
16 5 15 0,025 5 PESD5VOL2UM
SOT886 (XSON6) 1,45×1,0x0,5 2 1,0 5,5 8 0,1 3   PRTR5VOU2F
SOT891 1,0×1,0x0,5 2 1,0 5,5 8 0,1 3 PRTR5VOU2K
SOT523 (SC-79) 1,2×0,8×0,6 1 35 5 30 0,1 5   PESD5VOS1BB
2,9 5 10 0,1 5 PESD5VOU1BB
1 152 5 30 1 5   PESD5VOS1UB
2 5 9 0,1 5 PESD5VOU1UB
207 3,3 30 2 3,3 PESD3V3S1UB
38 12 30 0,05 12 PESD12VS1UB
229 2,5 30 6 2,5 PESD5Z2.5
172 3,3 30 0,05 3,3 PESD5Z3.3
89 5 30 0,05 5 PESD5Z5.0
78 6 30 0,01 6 PESD5Z6.0
69 7 30 0,01 7 PESD5Z7.0
35 12 30 0,01 12 PESD5Z12
SOT663 1,6×1,2×0,55 2 1 35 5 30 0,1 5   PESD3V3S2UQ
150 5 30 0,3 5 PESD5V0S2UQ
38 12 30 0,03 12 PESD12VS2UQ
SOT886 (XSON6) 1,45×1,0x0,5 4 3,5 5 10 0,1 5   PESD5V0U4BF
4 3 22 3,3 20 0,3 3,3   PESD3V3L4UF
16 5 20 0,025 5 PESD5V0L4UF
15 3,3 10 0,3 3,3 PESD3V3V4UF
12 5 10 0,025 5 PESD5V0V4UF
5 3,5 5 10 0,1 5   PESD5V0U5BF
5 4 22 3,3 20 0,3 3,3   PESD3V3L5UF
16 5 20 0,025 5 PESD5VOL5UF
4 1 5,5 8 0,1 3   IP4221CZ6-S
SOT891 1,0×1,0x0,5 4 1 5,5 8 0,1 3 IP4221CZ6-SX
SOT665 1,6×1,2×0,55 4 3,5 5 10 0,1 5   PESD5V0U4BF
4 3
16 5 20 0,025 5 PESD5V0L4UW
15 3,3 10 0,3 3,3 PESD3V3V4UW
12 5 10 0,025 5 PESD5V0V4UW
SOT666 1,6×1,2×0,55 5 3,5 5 10 0,1 5   PESD5V0U5BV
5 4 22 3,3 20 0,3 3,3   PESD3V3L5UV
16 5 20 0,025 5 PESD5V0L5UV

 

Основные преимущества защитных диодов NXP

 

  • Высокая устойчивость ESD до 30кВ
  • Соответствие IEC 61000-4-2
  • Низкие напряжения отсечки
  • Низкие паразитные емкости <1пФ
  • Низкие токи утечки <1мкА
  • Быстрое срабатывание <1нс

За счёт интеграции нескольких диодов в одном корпусе достигаются:

  • Снижение количества компонентов
  • Уменьшение размера платы
  • Повышение надежности.

 

Получение технической информации, заказ образцов, поставка —
e-mail: standart.vesti@compel.ru

 

•••

Наши информационные каналы

О компании NXP

29 сентября 2016 года было официально объявлено о рождении компании NXP. Компания была сформирована на базе подразделения по производству полупроводников знаменитой корпорации Philips – Philips Semiconductors – путем покупки 80, 1% акций этого подразделения у материнской корпорации консорциумом частных инвесторов. На момент образования в компании было пять подразделений: потребительской электроники, автомобильной электроники, идентификационных систем, мобильных и персональных устройств  и компон ...читать далее