SiA936EDJ — сдвоенный компактный 20V N-MOSFET с низким RDSon

26 ноября 2014

Vishayновостьдискретные полупроводникиMOSFET

SiA936EDJ

Vishay Intertechnology представила новый сдвоенный N-канальный TrenchFET силовой MOSFET-транзистор в ультракомпактном, термически улучшенном корпусе PowerPAK SC-70. Разработанный чтобы сэкономить место на плате и увеличить энергоэффективность изделия, SiA936EDJ имеет самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии для 20 В MOSFET транзисторов с размерами посадочной площадки 2х2 мм на печатной плате.

Основные преимущества:

  • низкое сопротивление канала в открытом состоянии:
    • 34 мОм (4.5 В)
    • 37 мОм (3.7 В)
    • 45 мОм (2.5 В)

позволяет снизить перепады напряжения при большой нагрузке, что очень важно для правильной работы низковольтных узлов с системами контроля питания;

  • номинальный продолжительный ток нагрузки, ограниченный корпусом — 4.5 А;
  • встроенная ESD защита 2000 В;
  • два МОП-транзистора, встроенных в один компактный PowerPAK SC-70 корпус для экономии места на плате;
  • напряжение сток-исток: 20 В;
  • напряжение затвор-исток: ± 12 В;
  • 100% тестирование затворного сопротивления;

Область применения:

Коммутация питания для различных низковольтных нагрузок в компактных устройствах, преобразователи мощности, системы защиты аккумуляторов.

•••

Наши информационные каналы

О компании Vishay

VISHAY Компания Vishay Intertechnology Inc. (Vishay) основана в 1962 году в США выходцем из Литвы, инженером Феликсом Зандманом, переехавшим в Америку из Европы в 1952 году, и его родственником и компаньоном Альфредом Сланером.  На момент основания Vishay Зандман работал в компании Budd, где развивал собственную методику измерения деформаций – метод фотостресса, а также пробовал разрабатывать прецизионный фольговый резистор на стеклянной (а не керамической) основе. Последний не заинтересовал ру ...читать далее

Товары
Наименование
SIA936EDJ-T1-GE3 (VISHAY)
Поиск по параметрам
MOSFET транзистор от Vishay