Infineon – новый лидер рынка IGBT

19 сентября 2016

светотехникаInternational RectifierInfineonстатья

После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOPTM5 и TRENCHSTOPTM Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла лидирующие позиции на мировом рынке IGBT как по объему выпуска, так и по технологическим решениям.

В настоящее время кремниевые IGBT являются основным типом полностью управляемых силовых транзисторных ключей (СТК) при блокируемых напряжениях 300…500 В и выше (примерно до 6500 В) [1]. IGBT удачно сочетают достоинства, характерные для силовых MOSFET (быстроту переключения, сравнительно большой пиковый ток, простоту управления, широкую, практически прямоугольную ОБР, стойкость к лавинному пробою и быстрому нарастанию напряжения), с преимуществами приборов на неосновных носителях: сравнительно малое падение напряжения в проводящем состоянии; возможность работы с весьма большими плотностями тока как в импульсном, так и в продолжительном режимах; незначительное ухудшение падения напряжения на открытом ключе по мере роста класса допустимого блокируемого напряжения. Кроме того, важным преимуществом IGBT в сравнении с MOSFET является отсутствие в явном виде встроенного антипараллельного диода. Это позволяет, при необходимости, выбирать между применением внешнего диода с быстрым восстановлением, имеющим оптимальные для данной задачи характеристики, и использованием «СО-РАСK»-прибора, то есть размещенных в одном корпусе кристаллов IGBT и антипараллельного диода[1].

Вследствие разнообразия условий применения и критериев оптимальности конкретных проектов востребованы IGBT с различным (компромиссным) сочетанием свойств и параметров. При заданном классе IGBT по блокируемому напряжению приборы могут различаться по таким основным характеристикам как:

  • падение напряжения в проводящем состоянии UКЭ(ПРОВ) при заданном значении тока IК через транзистор;
  • максимально-допустимые постоянный и импульсный токи IК;
  • энергия потерь при включении WВКЛ и выключении WВЫКЛ;
  • себестоимость производства и, соответственно, цена IGBT;
  • наличие (или отсутствие) шунтирующего IGBT антипараллельного диода и его качественные характеристики (главным образом – быстродействие);
  • стойкость к короткому замыканию в силовой цепи в течение определенного времени;
  • температурные зависимости и разброс свойств между экземплярами однотипных приборов по параметрам UКЭ(ПРОВ), WВКЛ и WВЫКЛ [1].

Нормированная стойкость к КЗ позволяет применять IGBT в электроприводах без использования дополнительных дросселей, ограничивающих скорость нарастания тока в аварийных ситуациях. Небольшой положительный температурный коэффициент UКЭ(ПРОВ) в сочетании с малой дисперсией этого параметра среди однотипных транзисторов сильно облегчает организацию параллельной работы нескольких IGBT. Небольшая величина и термостабильность потерь WВКЛ и WВЫКЛ позволяет увеличить рабочую температуру прибора, что в свою очередь значительно упрощает организацию теплоотвода. В общем случае улучшение отдельных параметров достигается проигрышем в других характеристиках, однако прогресс технологий изготовления IGBT позволяет получать все более выгодный комплекс свойств ключей. Наличие разнообразных технологических семейств IGBT и рядов приборов по блокируемому напряжению и по типам корпусов дает разработчику преобразовательной техники возможность выбора оптимального транзистора под определенные условия применения.

Дискретные IGBT, предлагаемые Infineon

Рассмотрим технологические и конструктивные новинки дискретных IGBT на напряжения 600 и 650 В, предлагаемые компанией Infineon после объединения с International Rectifier. На рисунке 1 схематично показаны поперечные сечения чипов IGBT, выполненных по различным технологическим концепциям.

 

Рис. 1. Эволюция конструктивно-технологических решений IGBT

Рис. 1. Эволюция конструктивно-технологических решений IGBT

 

Слева, на рисунке 1а, изображен разрез NPT-IGBT. Он отличается сравнительно большой (зачастую – избыточной) толщиной основной пластины (подложки) низколегированного кремния типа N- и треугольной формой распределения напряженности электрического поля по толщине дрейфовой зоны при блокировании номинального напряжения. Все слои транзистора полностью располагаются в основной пластине (то есть не используется эпитаксиальное наращивание кремния). В нижней части пластины выполнен P+-эмиттер, имеющий оптимальный, без избыточности, уровень легирования. Это обеспечивает рациональное распределение концентрации неосновных носителей (дырок) в дрейфовой зоне в проводящем состоянии IGBT. Соответственно, имеем приемлемо небольшое UКЭ(ПРОВ), незначительный «хвост тока» при выключении транзистора, а также хорошую термостабильность и малый разброс параметров между различными экземплярами однотипных NPT-IGBT. Эти приборы сравнительно просты в технологическом отношении и поэтому бюджетны. Вместе с тем, NPT-IGBT вынужденно используется при сравнительно небольших плотностях тока, что определяет большую площадь чипа транзистора. Падение напряжения UКЭ(ПРОВ) у NPT-IGBT больше, чем у конкурирующих IGBT, аналогичных по блокируемому напряжению, и оно ощутимо растет при нагреве. Вынужденно большие толщина и площадь чипа неблагоприятно сказываются на величине заряда дырок, накапливающихся в дрейфовой зоне в проводящем состоянии. Для обеспечения невысокой себестоимости производства NPT-IGBT MOSFET структура, выполняемая в верхней части пластины, чаще имеет классическую планарную конструкцию. В настоящее время концепция NPT-IGBT применяется преимущественно для изготовления высоковольтных транзисторов (от 1200 В и выше), хотя ранее применялась и для приборов 600 В.

На рисунке 1б показан разрез IGBT, выполненного в соответствии с концепцией Trench-FieldStop (сокращенное название – торговая марка от Infineon – TrenchStop™). Она сочетает лучшие качества более старых решений NPT-IGBT и PT-IGBT. Аналогично PT-IGBT, FieldStop-приборы имеют тонкий N+-слой в нижней части дрейфовой зоны на границе с P+-эмиттером. Благодаря этому появляется возможность реализовать не треугольную, а четырехугольную (почти трапецеидальную) форму распределения напряженности электрического поля по толщине дрейфовой зоны при блокировании номинального напряжения и, соответственно, примерно вдвое уменьшить толщину дрейфовой зоны. Уменьшение толщины, в свою очередь, дает выигрыш как по падению напряжения UКЭ(ПРОВ), так и по величине накапливаемого заряда неосновных носителей. От концепции NPT-IGBT TrenchStop-приборы заимствуют выполнение дрейфовой зоны в основной пластине кремния, но она имеет не произвольную (избыточную), а оптимальную (минимальную) толщину. В более старых PT-IGBT подложка изготавливается из сильнолегированного P+-кремния, а буферный N+-слой, дрейфовая N—зона и верхняя MOSFET-структура выполняются в процессе эпитаксиального наращивания кремния. Это –длительный и высокотемпературный процесс, в течение которого ранее изготовленные слои сильно расплываются и значительно изменяют исходные параметры (толщину и концентрацию легирующей примеси). Это обусловливает неоптимальные свойства PT-IGBT и весьма большой разброс характеристик между различными экземплярами однотипных транзисторов. У TrenchStop-IGBT дрейфовая N—зона выполняется в основной пластине, имеющей требуемую толщину и уровень легирования, а тонкие буферный N+-слой, нижний P+-эмиттер и верхняя MOSFET-структура реализуются локальным легированием с точно выдержанными оптимальными параметрами. Главная технологическая трудность изготовления TrenchStop-IGBT заключается в необходимости обработки очень тонких пластин кремния: в несколько раз меньше, чем толщина стандартных подложек. Это приводит к повышенной себестоимости данных транзисторов. Но зато достигаются исключительно хорошие статические и динамические параметры IGBT с очень малым разбросом, а возможность применения транзисторов с большой плотностью прямого тока снижает требуемую площадь чипов и отчасти компенсирует высокую себестоимость производства. Помимо прочего, малая толщина кремния обеспечивает отличные тепловые характеристики – малое тепловое сопротивление и высокую стойкость при циклических нагрузках. Для каждого класса IGBT по номинальному блокируемому напряжению имеется оптимальная толщина основной пластины. Очевидно, наиболее сложным является изготовление сравнительно низковольтных IGBT: на 600…650 В. Выдающиеся параметры FieldStop-приборов и их вынужденно высокая себестоимость производства логично сочетаются с совершенствованием MOSFET-структуры: вместо планарных ячеек применяются технологически более сложные, но лучшие по комплексу параметров Trench-MOSFET, что дополнительно заметно улучшает характеристики IGBT.

TRENCHSTOP™5-IGBT

Компания Infineon производит TrenchStop-IGBT на номинальное напряжение 600 В уже 15 лет, постоянно работая над улучшением их свойств. Знаменательной вехой на этом пути стала разработка и освоение серийного производства IGBT TRENCHSTOP™5, поперечный разрез которых показан справа, на рисунке 1в (в том же масштабе, что и у других приборов на этом рисунке). У новых транзисторов удалось существенно уменьшить толщину (с 70 мкм, что являлось наименьшим значением для коммерчески-доступных TrenchStop-IGBT 600 В предыдущего поколения, до 50 мкм) при одновременном увеличении номинального блокируемого напряжения до 650 В. Оптимизация профиля легирования по толщине пластины снижает накапливаемый заряд неосновных носителей в дрейфовой зоне, что обеспечивает уменьшение «хвоста тока» при выключении IGBT. Также значительному усовершенствованию подверглась Trench-MOSFET-структура, что привело к увеличению плотности тока и уменьшению заряда в цепи затвора. Для большего выигрыша в части статических и динамических потерь TRENCHSTOP™5-IGBT принято решение отказаться от обеспечения гарантированной стойкости к КЗ в силовой цепи. В качестве СО-РАСK-диода используются вновь разработанные сверхбыстродействующие Rapid 1 Diode.

Для иллюстрации преимущества новых транзисторов в отношении динамических потерь на рисунке 2 показаны результаты испытаний трех различных поколений быстродействующих TrenchStop-IGBT от Infineon с одинаковым номинальным током 50 А в корпусе TO-247 в заданных условиях (переключение тока 25 А при температуре корпуса 25°С). Сравниваются: 1) TrenchStop-IGBT 600 В в комплектации с быстровосстанавливающимися диодами EmCon, представленные в 2006 г; 2) TrenchStop-HighSpeed 3-IGBT 600 В в комплектации с диодами EmCon (2010 год); 3) TRENCHSTOP™5-IGBT 650 В со сверхбыстрыми диодами Rapid 1 Diode в корпусе TO-247 с 3 выводами (2012 год); 4) TRENCHSTOP™5-IGBT 650 В с диодами Rapid 1 Diode в корпусе TO-247 с четырьмя выводами (2014 год). Наибольший прогресс достигнут в части уменьшения потерь выключения WВЫКЛ (в 5,5 раз) благодаря ликвидации «хвоста тока».

Рис. 2. Уменьшение коммутационных потерь в трех поколениях TrenchStop-IGBT от Infineon

Рис. 2. Уменьшение коммутационных потерь в трех поколениях TrenchStop-IGBT от Infineon

Рис. 3. Расположение выводов TREN CHSTOP™5-IGBT в корпусе TO-247-4 pin

Рис. 3. Расположение выводов
TREN CHSTOP™5-IGBT в корпусе TO-247-4 pin

В то же время потери включения WВКЛ при совершенствовании структуры чипа IGBT почти не изменяются. Это обусловлено тем, что WВКЛ определяется главным образом быстродействием (зарядом обратного восстановления) диода, работающего в паре с СТК [1, 2]. Более ощутимый выигрыш по потерям включения дает переход к четырехвыводному корпусу TO-247. Этот корпус имеет дополнительный вывод эмиттера, который используется в контуре управления транзистором (вывод Кельвина). Благодаря этому удается исключить из цепи управления паразитную индуктивность силового эмиттерного вывода (13…15 нГн для корпуса TO-247) и возникающую из-за нее отрицательную обратную связь по скорости изменения тока в силовой цепи на управляющий сигнал IGBT. В результате значительно улучшается быстродействие СТК и снижаются коммутационные потери, особенно при больших токах нагрузки [1, 2]. Практически для TRENCHSTOP™5-IGBT на номинальный ток 50 А применение четырехвыводного корпуса уменьшает динамические потери на 20% при номинальной нагрузке 50 А и на 30% – при токе 100 А [2]. В конечном итоге получаем выигрыш по КПД преобразователя и заметно более легкий тепловой режим транзистора.

Для сохранения достаточного расстояния между силовыми (высоковольтными) выводами СТК в корпусе TO-247-4 pin назначение выводов изменено по сравнению со стандартным корпусом TO-247-3 pin (рисунок 3).

Развернутое сравнение динамических характеристик быстродействующих транзисторов поколения TRENCHSTOP™5 с прибором предыдущего поколения TrenchStop-HighSpeed 3-IGBT дано в таблице 1 [3]. Условия испытаний: UПИТ = 400 В; IК = 20 А; TКОРП = 25°С; UЗИ = 0/15 В; RЗ = 15 Ом; LМОНТ = 45 нГн; CМОНТ = 40 пФ.

Таблица 1. Динамические характеристики типичных быстродействующих IGBT поколений TrenchStop-HighSpeed 3 и TRENCHSTOP™5

Параметр IKx40N60H3, HighSpeed 3 IKx40N65F5,
TRENCHSTOP™5,
семейство F5
IKx40N65H5, TRENCHSTOP™5,
семейство H5
Задержка включения IGBT, нс 19 21 21
Время нарастания тока IК, нс 33 10 11
Задержка выключения IGBT, нс 197 140 140
Время спада тока IК, нс 21 8 8
Энергия потерь включения, мкДж 610 300 270
Энергия потерь выключения, мкДж 290 130 160

Фундаментальные технологические преимущества TRENCHSTOP™5-IGBT (существенный выигрыш по толщине пластины, TrenchMOSFET ячейки высокой плотности и сверхбыстрый СО-РАСK-диод) открывают перед ними очень широкие сферы применения в силовой преобразовательной технике. При этом возможны различные сочетания требований по статическим и динамическим потерям. Для наилучшего удовлетворения потребностей в части КПД, стоимости и надежности при различных применениях компания Infineon в рамках поколения TRENCHSTOP™5 выпускает пять различных семейств IGBT. Благодаря тонкой оптимизации профилей легирования дрейфовой N—зоны, буферного N+-слоя и P+-эмиттера, а также распределения времени жизни дырок по толщине чипа удается обеспечить различные сочетания статических и динамических потерь. Таким образом, имеются семейство с рекордно малыми статическими потерями (UКЭ(ПРОВ)), сверхбыстродействующие семейства с минимальными WВКЛ и WВЫКЛ, а также семейства, оптимизированные для работы при мягкой коммутации (таблица 2).

Таблица 2. Семейства TRENCHSTOP™5-IGBT

Семейство Характерные особенности Типичные области применения
TRENCHSTOP5 L5 Лучший по UКЭ ПРОВ (1,05 В тип.); минимум полных потерь на низких частотах; применение до 20 кГц при жесткой коммутации. Солнечные энергоустановки; сварка (с выходом на переменном токе); источники бесперебойного питания; корректоры коэффициента мощности; низкочастотные конвертеры; трехуровневые инвертеры.
TRENCHSTOP5 S5 Лучшие по сбалансированности технических характеристик и простоте применения: не нужны конденсаторы по силовому питанию и конденсаторы в цепи затвора (при условии достаточно малой индуктивности монтажа); более мягкая коммутация, чем у быстродействующих семейств H5/F5. Солнечные энергоустановки; сварка; источники бесперебойного питания; зарядные устройства; среднечастотные конвертеры; многоуровневые инвертеры; выходные каскады преобразователей; корректоры коэффициента мощности.
TRENCHSTOP5 H5/F5 Лучшие быстродействующие IGBT: по динамическим потерям вплотную приближаются к SuperJunction MOSFET; наивысший достижимый КПД преобразователей, особенно при небольших нагрузках по току. Солнечные энергоустановки; сварка; источники бесперебойного питания; высокочастотные конвертеры; многоуровневые инвертеры; выходные каскады преобразователей; корректоры коэффициента мощности.
TRENCHSTOP5 R5 Оптимизированы по сбалансированности технических характеристик и стоимости решения для применения в составе установок индукционного нагрева. Полумостовые топологии индукционного нагрева (с последовательным резонансом), а также другие преобразователи с резонансной коммутацией IGBT.
TRENCHSTOP5 WR5 Оптимизированы для бюджетного применения в преобразователях с нулевым (или очень малым) током включения IGBT — для жесткого режима выключения IGBT в широком диапазоне токов (что характерно для сварочного оборудования); очень хорошая управляемость в зависимости от выбора сопротивления в цепи затвора; диод с мягким обратным восстановлением и малым зарядом восстановления. Сварочное оборудование; корректоры коэффициента мощности; среднечастотные конвертеры; преобразователи с коммутацией при малом напряжении на транзисторах.

TRENCHSTOP™5-IGBT различных семейств настолько хороши, что фактически задают новый стандарт по комплексу технических характеристик. Однако для ряда применений, особенно чувствительных к стоимости решения, востребованы IGBT с несколько уступающим набором параметров, но при существенно меньшей цене.

IGBT семейств RC-Drives и RC-Drives Fast

Эти приборы оптимизированы для массового применения в составе электроприводов с возбуждением от постоянных магнитов, преимущественно – с вентильными двигателями и БДПТ. Соответственно, транзисторы должны работать при жесткой коммутации в диапазоне 8…30 кГц (семейство RC-Drives Fast) или на низких частотах – до 8 кГц (семейство RC-Drives). При невысокой цене в больших партиях эти IGBT обеспечивают оптимальные технико-экономические характеристики для компрессоров холодильных машин и кондиционеров, электроприводов стиральных машин, насосов, вентиляторов и других применений мощностью до 1 кВт.

Основные особенности семейств RC-Drives и RC-Drives Fast:

  • интегральный антипараллельный диод (на одном чипе с IGBT), уменьшающий себестоимость решения и улучшающий надежность при многократном термоциклировании;
  • нормированная стойкость при КЗ в течение 5 мкс;
  • высокая допустимая рабочая температура 175°С;
  • малая дисперсия параметров приборов в больших партиях и хорошая термостабильность основных характеристик;
  • рекордная токонесущая способность для IGBT СО-РАСK 600 В в корпусе DPAK;
  • мягкая коммутация транзисторов, способствующая уменьшению электромагнитных помех, создаваемых электроприводами;
  • возможность применения на частотах свыше 16 кГц,что позволяет исключить акустические шумы при улучшении качества работы электропривода и увеличении его удельной мощности.

Компромисс основных параметров IGBT семейств RC-Drives и RC-Drives Fast (UКЭ(ПРОВ) против WВЫКЛ) при нормальной и максимально допустимой температурах показан на рисунке 4.

Рис. 4. Компромисс параметров (UКЭ(ПРОВ ) против WВЫКЛ ) IGBT семейств RC-Drives и RC-Drives F ast

Рис. 4. Компромисс параметров (UКЭ(ПРОВ ) против WВЫКЛ ) IGBT семейств RC-Drives и RC-Drives F ast

TRENCHSTOP™ Performance IGBT и IGBT Gen 6.2

Семейство TRENCHSTOP™ Performance IGBT по балансу технических характеристик в значительной мере похоже на TRENCHSTOP™5 S5. Эти IGBT имеют умеренное прямое падение напряжение в проводящем состоянии, достаточно малые потери выключения, быстровосстанавливающийся СО-РАСK-диод и небольшую скорость нарастания напряжения на выключающемся транзисторе, что способствует незначительному уровню генерируемых электромагнитных помех и простоте применения. Рекомендуемый диапазон рабочих частот при жесткой коммутации – 2…30 кГц. Однако при этом имеются и важные отличия от эталонных приборов TRENCHSTOP™5 S5: номинальное блокируемое напряжение уменьшено до 600 В; введена гарантированная стойкость в условиях КЗ в силовой цепи в течение 5 мкс; статические и динамические потери у TRENCHSTOP™ Performance IGBT несколько больше, но зато цена ниже.

После объединения с International Rectifier Infineon занимает лидирующие позиции на рынке IGBT. Номенклатура IGBT Infineon пополнилась несколькими семействами эффективных транзисторов. Среди приборов 600 В и 650 В, перешедших от International Rectifier, наибольший интерес представляют IGBT поколения Gen 6.2. По техническому уровню они примерно соответствуют другим семействам IGBT Infineon, но предлагают несколько иной баланс характеристик. Это расширяет возможности выбора при проектировании различных устройств силовой преобразовательной техники. Ассортимент IGBT на номинальные напряжения 600 В и 650 В перспективных семейств, выпускаемых Infineon, представлен в таблицах 3 (СО-РАСK IGBT) и 4 (одиночные IGBT).

Таблица 3. Основные параметры перспективных IGBT с антипараллельными диодами

Тип
транзистора
UКЭ(блок), В Рабочий диапазон частот, кГц Семейство Корпус IК МАКС, А (при 100°С UКЭ(ПРОВ), В, тип., при 25°С WВКЛ, мДж тип., при 25°С WВЫКЛ, мДж, тип., при 25°С
IKD03N60RF 600 4…30 RC-Drives Fast TO-252 2,5 2,2 0,05 0,04
IKD04N60RF 4 0,06 0,05
IKD06N60RF 6 0,09 0,09
IKD10N60RF 10 0,19 0,16
IKD15N60RF 15 0,27 0,25
IKD04N60R 0,002…8 RC-Drives 4 1,65 0,09 0,15
IKD06N60R 6 0,11 0,22
IKD10N60R 10 0,21 0,38
IKD15N60R 15 0,37 0,53
IKW30N65WR5 650 18…60 C-Trench Stop5 TO-247 30 1,4 0,63 0,14
IKW40N65WR5 40 0,63 0,14
IKW50N65WR5 50 0,74 0,18
IKW30N60DTP 600 2…30 Trench Stop Perf. 38 1,6 0,71 0,42
IKW40N60DTP 48 1,06 0,61
IKW50N60DTP 61 1,73 0,85
IKA08N65F5 650 30…120 Trench Stop5 TO-220; FullPak 6,8 1,6 0,07 0,02
IKA08N65H5 1,65
IKA15N65F5 8,5 1,6 0,13 0,04
IKA15N65H5 1,65 0,12 0,05
IKP08N65F5 TO-220 11 1,6 0,07 0,02
IKP08N65H5 1,65
IKP15N65F5 18 1,6 0,13 0,04
IKP15N65H5 1,65 0,12 0,05
IKP20N65F5 21 1,6 0,16 0,06
IKP20N65H5 1,65 0,17
IKP30N65F5 35 1,6 0,28 0,07
IKP30N65H5 1,65 0,1
IKP40N65F5 46 1,6 0,36 0,1
IKP40N65H5 1,65 0,39 0,12
IKW40N65F5 TO-247 46 1,6 0,36 0,1
IKW40N65H5 1,65 0,39 0,12
IKW50N65F5 56 1,6 0,49 0,16
IKW50N65H5 1,65 0,52 0,18
IKW50N65EH5 30…100 50 1,65 1,5 0,5
IKW75N65EH5 75 1,65 2,3 0,9
IKZ50N65NH5 TO-247 4 pin 50 1,65 0,33 0,12
IKZ50N65EH5 1,65 0,42
IKZ75N65NH5 75 1,76 0,44 0,2
IKZ75N65EH5 1,76 0,63
IKW30N65ES5 10…40 TO-247 39,5 1,35 0,56 0,32
IKW40N65ES5 50 0,86 0,4
IKW50N65ES5 60,5 1,23 0,55
IKW75N65ES5 80 1,42 2,4 0,95
IKW30N65NL5 0,05…20 62 1,05 0,56 1,35
IKW30N65EL5 62 1,05 0,47 1,35
IKW75N65EL5 80 1,1 1,61 3,2
IKZ75N65EL5 650 TO-247 4 pin 100 1,57
IRGR4607D 600 8…30 Gen 6.2 DPAK 7 1,75 0,14 0,062
IRGS4607D D2PAK
IRGB4607D TO-220
IRGIB4607D TO-220FP
IRGR4610D DPAK 10 1,7 0,056 0,122
IRGS4610D D2PAK
IRGB4610D TO-220
IRGIB4610D TO-220FP
IRGS4615D D2PAK 15 1,55 0,07 0,145
IRGB4615D TO-220
IRGIB4615D TO-220FP
IRGS4620D D2PAK 20 0,075 0,225
IRGB4620D TO-220
IRGIB4620D TO-220FP
IRGP4620D TO-247
IRGP4620D-E TO-247LL
IRGS4630D D2PAK 30 1,65 0,095 0,35
IRGB4630D TO-220
IRGIB4630D TO-220FP
IRGP4630D TO-247
IRGP4630D-E TO-247LL
IRGS4640D D2PAK 40 1,6 0,115 0,6
IRGB4640D TO-220
IRGIB4640D TO-220FP
IRGP4640D TO-247
IRGP4640D-E TO-247LL
IRGP4650D TO-247 50 0,39 0,632
IRGP4650D-E TO-247LL
IRGP4660D TO-247 60 1,65 0,625 1,275
IRGP4660D-E TO-247LL
IRGP4690D TO-247 90 1,7 2,465 2,155
IRGP4690D-E TO-247LL
IRGPS46160D TO-247 PLUS 160 5,75 3,43
IRGPS66160D 4,47
IRGS4715D 650 D2PAK 15 1,55 0,09 0,2
IRGB4715D TO-220
IRGP4740D TO-247 40 1,6 0,24 0,52
IRGP4740D-E TO-247LL
IRGP4750D TO-247 50 1,7 0,5 1,3
IRGP4750D-E TO-247LL
IRGP4760D TO-247 60 1,65 1 1,7
IRGP4760D-E TO-247LL
IRGP4790D TO-247 90 1,7 2,5 2,2
IRGP4790D-E TO-247LL
IRGPS47160D TO-247 PLUS 160

Таблица 4. Основные параметры перспективных дискретных IGBT

Тип
транзистора
UКЭ(блок), В Рабочий диапазон частот, кГц Семейство Корпус IК МАКС, А, (при 100°С UКЭ(ПРОВ), В, тип., при 25°С WВКЛ, мДж, тип., при 25°С WВЫКЛ, мДж, тип, при 25°С
IGW30N60TP 600 2…30 Trench; Stop; Perf TO-247 38 1,6 0,71 0,42
IGW40N60TP 48 1,06 0,61
IGW50N60TP 61 1,53 0,85
IGP20N65F5 650 30…120 Trench; Stop5 TO-220 21 1,6 0,16 0,06
IGP20N65H5 1,65 0,17
IGP40N65F5 46 1,6 0,36 0,1
IGP40N65H5 1,65 0,39 0,12
IGW40N65F5 TO-247 1,6 0,36 0,1
IGW40N65H5 1,65 0,39 0,12
IGW50N65F5 56 1,6 0,49 0,16
IGW50N65H5 1,65 0,52 0,18
IGW75N65H5 30…100 75 0,9 0,3
IGZ50N65H5 TO-247 4pin 54 0,41 0,19
IGZ75N65H5 75 0,68 0,43
IGZ100N65H5 101 0,85 0,77
IGW30N65L5 0,05…20 TO-247 62 1,05 0,47 1,35
IRGP4640 600 8…30 Gen 6.2 40 1,6 0,6 0,1
IRGP4640-E TO-247LL
IRGP4760 650 TO-247 60 1,65 1 1,7
IRGP4760-E TO-247LL
IRGP4790 TO-247 90 1,7 2,2 2,5
IRGP4790-E TO-247LL

Литература

  1. Попов Алексей, Попов Сергей. Применение IGBT в преобразовательной технике. Новости электроники, 2013, №5.
  2. Scarpa Vladimir, Brucchi Fabio. Kelvin emitter configuration further improves switching performance of TRENCHSTOPTM5 IGBTs/Bodos Power Systems, December 2014, p.p.34…35.
  3. Brucci Fabio, Zheng Forrest. Design considerations to increase power density in welding machines converters using TRENCHSTOPTM5 IGBT/Infineon Technologies//PCIM Europe, 20-22 May 2014, Nuremberg, Germany.

Получение технической информации, заказ образцов, заказ и доставка.

infenion_trenchstop_ne_08_16

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт. В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню р ...читать далее